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首字符2的型号第124页
> 2SC4927
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4927
描述
·带
TO- 3PML包
.Built式
阻尼二极管
高
击穿电压
应用
·电视/字符
显示水平偏转
输出的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
描述
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C(峰值)
I
C(浪涌)
Io
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极电流浪涌
C至ê二极管的正向电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
开基
集电极开路
条件
价值
1500
6
8
9
18
8
50
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4927
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) EBO
I
CES
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
ECF
t
f
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
二极管的正向电压
下降时间
条件
I
E
= 500毫安,我
C
=0
V
CE
= 1500V ;
BE
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
I
F
=8A
I
CP
= 6A ; F
H
=31.5kHz
I
B1
=1.2A;I
B2
=-2.4A
民
6
0.5
25
5
1.5
2.0
0.5
V
V
V
μs
典型值。
最大
单位
V
mA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4927
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4927
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4927
描述
·采用TO- 3PFM包
·内置阻尼二极管
·高击穿电压
应用
·电视/字符显示水平
偏转输出应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PFM )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
)
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C(峰值)
I
C(浪涌)
Io
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极电流浪涌
C至ê二极管的正向电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
开基
集电极开路
条件
价值
1500
6
8
9
18
8
50
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4927
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
二极管的正向电压
下降时间
条件
I
E
= 500毫安,我
C
=0
V
CE
= 1500V ;
BE
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
I
C
= 6A ;我
B
=1.2A
I
F
=8A
I
CP
= 6A ; F
H
=31.5kHz
I
B1
=1.2A;I
B2
=-2.4A
民
6
0.5
25
5
1.5
2.0
0.5
V
V
V
s
典型值。
最大
单位
V
mA
符号
V
( BR ) EBO
I
CES
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
ECF
t
f
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4927
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4927
4
2SC4927
硅NPN三重扩散
应用
电视/字符显示水平偏转输出
特点
高的击穿电压
V
CES
= 1500 V
内置阻尼二极管类型
独立包装
TO-3PFM
概要
TO-3PFM
2
1.基地
2.收集
3.辐射源
1
I
D
1
2
3
3
2SC4927
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极电流浪涌
集电极耗散功率
结温
储存温度
C至ê二极管的正向电流
注意:
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CES
V
EBO
I
C
I
C(峰值)
I
C(浪涌)
P
C
*
Tj
TSTG
I
D
1
评级
1500
6
8
9
18
50
150
-55到+150
8
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
电气特性
( TA = 25°C )
项
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
C至ê二极管的正向电压
下降时间
符号
V
( BR ) EBO
I
CES
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
ECF
t
f
民
6
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
500
25
5
1.5
2.0
0.5
单位
V
A
—
V
V
V
s
测试条件
I
E
= 500毫安,我
C
= 0
V
CE
= 1500 V ,R
BE
= 0
V
CE
= 5 V,I
C
= 1 A
I
C
= 6 A,I
B
= 1.2 A
I
C
= 6 A,I
B
= 1.2 A
I
F
= 8 A
I
CP
= 6 A,I
B1
= 1.2 A,
I
B2
-2.4 A,F
H
= 31.5千赫
2
2SC4927
最大集电极耗散功率曲线
80
件(W)的
60
集电极耗散功率
40
20
0
50
100
150
TC ( ℃)
200
外壳温度
安全工作区
20
( 100 V, 18 A)
I
C
(A)
16
F = 15.75千赫
TA = 25
°C
对于显像管电弧
集电极电流
12
8
( 800 V , 4 A)
0.5毫安
0
800
1200 1600 2000
400
集电极到发射极电压V
CE
(V)
4
典型的输出特性
10
2.0 A
1.4 A
1.8 A 1.6 A
I
C
(A)
集电极电流
5
1.2 A
1.0 A
0.8 A
0.6 A
0.4 A
0.2 A
TC = 25°C
0
I
B
= 0
10
V
CE
(V)
5
集电极到发射极电压
3
2SC4927
直流电流传输比
与集电极电流
100
h
FE
50
75°C
20
10
5
TC = -25°C
25°C
V
CE
= 5 V
直流电流传输比
2
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
集电极电流I
C
(A)
10
集电极到发射极饱和电压
与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
(V)
10
5
2
1
0.5
TC = -25°C
0.2
0.1
75°C
0.2
0.5
1
2
5
集电极电流I
C
(A)
10
25°C
I
C
/ I
B
= 5
0.05
0.1
4
2SC4927
基地发射极饱和电压
与集电极电流
10
基地发射极饱和电压
V
BE ( SAT )
(V)
5
I
C
/ I
B
= 5
2
TC = -25°C
1
0.5
75°C
0.2
25°C
0.1
0.2
0.5
1
2
5
集电极电流I
C
(A)
10
集电极到发射极饱和电压
与基极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
(V)
10
8
I
C
= 4 A
6A
8A
6
4
2
0 TC = 25℃
0.1
0.2
0.5
1
2
基极电流I
B
(A)
5
5
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2SC4927
PDF信息
推荐型号
2-1534127-1
2N6427
282815-7
2N5970
248J-7-10-100K
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228LMU063M2DC
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2SA1683T
2N2206
2N1710
25AA080AT-E/STG
2SD1273AQ
2SA1645L
2SB751
2N5005_02
2SK2162_06
2-1437556-8
2N2877
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2SC4927
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2SC4927
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