分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥（单相/三相）
RF（低电容） &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压（升压/降压）
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
（双N ，双P，P + N）
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF （ 1GHz的 ）
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻（片）
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
（数字）
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证（ 300V交流）
MPP / MPE / DMP （高电流）
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压（ 1KV 6KV ）
贴片电容&多层（ MLCC ）
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格（ -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期： 2004年9月 2005年第二次编辑
2N6427 / MMBT6427
2N6427
MMBT6427
C
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 1V
B
NPN达林顿晶体管
该器件是专为要求极高的应用
高电流增益集电极电流为1.0 A.从源
处理05.见MPSA14的特点。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
40
40
12
1.2
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N6427
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBT6427
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997仙童半导体公司
TO- 92卷带数据
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直： PKG 92 ，
94 （ NON PROELECTRON
系列）， 96
TO- 92标准
直： PKG 94
（ PROELECTRON系列
BCXXX ， BFXXX ， BSRXXX ）
97, 98
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
L34Z
NO LEADCLIP
2.0 K /盒
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
2001仙童半导体公司
2001年3月，修订版B1
TO- 92卷带式数据，继续
TO- 92缫丝风格
CON组fi guration ：
图2.0
机选“A” （H ）
机选“E” （J ）
款式“A” ， D26Z ， D70Z （ S / H）
风格“E” ， D27Z ， D71Z （ S / H）
TO- 92径向弹药包装
CON组fi guration ：
图3.0
第一网关在集电极
胶带上侧
FLAT晶体管的顶部
第一网OFF为辐射源
胶带上侧
FLAT晶体管是底
ORDER风格
D74Z （M）的
ORDER风格
D75Z （P）的
第一网OFF为发射器（ ON PKG 92 ）
胶带，底面
FLAT晶体管是底
第一网关在集电极（ ON PKG 92 ）
胶带，底面
FLAT晶体管的顶部
1999年9月，修订版A
小信号晶体管
TO- 92案例（续）
TO-92
型号
描述
LEAD VCBO VCEO
CODE
(V)
(V)
* VCES
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
欧洲央行
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
民
35
35
50
50
50
50
70
70
120
160
60
45
30
25
40
40
250
300
350
250
300
350
80
80
80
70
40
60
80
60
80
25
25
25
25
25
25
40
50
40
30
30
民
25
25
40
40
40
40
60
60
100
140
60
45
30
25
40
40
250
300
350
250
300
350
60
60
60
60
35
40
60
40
60
25
25
25
25
25
25
25
30
20
30
30
VEBO ICBO @ VCB
（ nA的）
(V)
* ICES
(V)
* ICEV
最大
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
8.0
8.0
8.0
5.0
12
12
6.0
6.0
6.0
5.0
5.0
5.0
10
10
10
5.0
25
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
6.0
6.0
最大
100
100
100
100
100
100
100
100
50
50
2.0
2.0
2.0
100
50
50
50
50
50
50
50
50
100
100
100
10
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
25
25
25
25
25
25
25
25
100
120
60
45
30
25
30
30
150
200
250
150
200
250
60
60
60
25
10
60
80
60
80
18
18
18
18
18
25
20
20
20
20
20
的hFE
*的hFE
(1kHZ)
民
150
150
100
100
150
150
100
100
80
80
170
600
1,200
100
20,000
14,000
45
40
20
45
40
20
1,000
4,000
10,000
100
100
40
40
40
40
150
150
90
55
55
180
60
100
30
100
45
最大
500
500
200
200
300
300
200
200
500
500
700
1,400
2,000
500
200,000
140,000
220
200
100
220
200
100
--
--
--
300
400
--
--
--
--
300
500
500
500
800
540
300
300
600
400
660
@ VCE
(V)
@ IC
（MA ）
VCE （ SAT ） @ IC玉米棒
(V)
（MA ）
TO-92-18R
fT
NF
花花公子
（ pF）的（兆赫） （ dB）的
* CRB * TYP
最大最小
15
135
15
15
15
15
15
15
15
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
13
7.0
7.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
--
--
--
10
40
--
--
--
--
10
10
10
10
10
--
12
12
12
4.0
--
135
120
120
135
135
120
120
100
100
100
100
150
200*
150
130
40
40
40
40
40
40
--
--
--
105
--
75
75
75
75
--
--
--
--
--
--
100
100
100
--
--
MAX MAX
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
3.0
3.0
3.0
--
10
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
5.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
5.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
400
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
2N5812
2N5813
2N5816
2N5817
2N5818
2N5819
2N5822
2N5823
2N5830
2N5831
2N5961
2N5962
2N5963
2N6076
2N6426
2N6427
2N6515
2N6516
2N6517
2N6518
2N6519
2N6520
BCX38A
BCX38B
BCX38C
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN高压
NPN高压
NPN低噪声
NPN低噪声
NPN低噪声
PNP低噪声
NPN达林顿
NPN达林顿
NPN高压
NPN高压
NPN高压
PNP高压
PNP高压
PNP高压
NPN达林顿
NPN达林顿
NPN达林顿
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
5.0
5.0
10
10
10
10
10
10
5.0
5.0
5.0
1.0
0.15
2.0
2.0
2.0
2.0
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
5.0
2.0
2.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
10
10
10
10
10
10
500
500
50
50
50
50
50
50
500
500
500
10
12
2,000
2,000
2,000
2,000
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
50
50
50
0.10
1.0
0.75
0.75
0.75
0.75
0.75
0.75
0.75
0.75
0.25
0.25
0.20
0.20
0.20
0.25
1.50
1.50
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.25
1.25
1.25
0.50
0.15
0.50
0.50
0.50
0.50
--
--
--
--
--
0.30
0.25
0.60
1.0
1.0
1.0
500
500
500
500
500
500
500
500
50
50
10
10
10
10
500
500
50
50
50
50
50
50
800
800
800
500
12
2,000
2,000
2,000
2,000
--
--
--
--
--
50
50
100
100
10
10
GES6014
NPN幅度/ SWITCH
MPS404A
PNP CHOPPER
MPS650
MPS651
MPS750
MPS751
NPN HIGH CURRENT
NPN HIGH CURRENT
PNP HIGH CURRENT
PNP HIGH CURRENT
MPS3392
NPN幅度/ SWITCH
MPS3395
NPN幅度/ SWITCH
MPS3396
NPN幅度/ SWITCH
MPS3397
NPN幅度/ SWITCH
MPS3398
NPN幅度/ SWITCH
MPS3415
NPN低噪声
MPS3702
PNP幅度/ SWITCH
MPS3704
NPN幅度/ SWITCH
MPS3706
NPN幅度/ SWITCH
MPS3707
NPN低噪声
MPS3708
NPN低噪声
74
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
器件可形成领先优势，
有关详细信息，请参阅第216页通219 。
此外，在Ammopack或磁带&卷可用，
有关详细信息，请参阅第230页通235 。
TO- 92-18R
ON Semiconductort
达林顿晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
40
40
12
500
625
5.0
1.5
12
-55到+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2N6426*
2N6427
·安森美半导体首选设备
1
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
2
3
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
集热器3
BASE
2
发射器1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（IC = 10 MADC ， VBE = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
MADC ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
MADC ，
IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 25伏直流电， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 10 VDC ， IC = 0 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2.0%.
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
冰
ICBO
IEBO
40
40
12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
50
50
VDC
VDC
VDC
MADC
NADC
NADC
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年2月 - Rev.1号
出版订单号：
2N6426/D
2N6426 2N6427
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
DC电流增益（1）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
的hFE
2N6426
2N6427
2N6426
2N6427
2N6426
2N6427
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
—
—
0.71
0.9
1.52
1.24
1.2
1.5
2.0
1.75
VDC
VDC
20,000
10,000
30,000
20,000
20,000
14,000
—
—
—
—
—
—
200,000
100,000
300,000
200,000
200,000
140,000
VDC
—
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 50 MADC ， IB = 0.5 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 0.5 MADC
基射极饱和电压
（ IC = 500 MADC ， IB = 0.5 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
小信号特性
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 1.0伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入阻抗
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 1.0千赫）
电流增益 - 频率高
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
输出导纳
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 5.0伏， RS = 100 kΩ的， F = 1.0千赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2.0%.
2N6426
2N6427
的hFE
2N6426
2N6427
| HFE |
2N6426
2N6427
HOE
NF
1.5
1.3
—
—
2.4
2.4
—
3.0
—
—
1000
10
毫姆欧
dB
20,000
10,000
—
—
—
—
—
科博
CIBO
缺氧缺血性脑病
100
50
—
—
2000
1000
—
—
—
5.4
10
7.0
15
pF
pF
k
RS
in
en
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
http://onsemi.com
2
2N6426 2N6427
噪声特性
（ VCE = 5.0伏， TA = 25 ° C）
500
200
100
10
A
50
100
A
20
10
5.0
10 20
50 100 200
IC = 1.0毫安
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
0.02
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
100
A
10
A
带宽= 1.0赫兹
RS
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
带宽= 1.0赫兹
恩，噪声电压（NV ）
IC = 1.0毫安
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
带宽= 10 Hz至15.7千赫
NF ，噪声系数（dB ）
IC = 10
A
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
1000
0
1.0
2.0
5.0
IC = 1.0毫安
100
A
带宽= 10 Hz至15.7千赫
100
70
50
30
20
10
A
100
A
1.0毫安
10
1.0
2.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
1000
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
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3
2N6426 2N6427
小SIGNALCHARACTERISTICS
20
TJ = 25°C
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
2.0
VCE = 5.0 V
F = 100 MHz的
TJ = 25°C
CIBO
科博
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
VR ，反向电压（伏）
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
IC ，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
图7.高频电流增益
TJ = 125°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200 k
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
3.0
TJ = 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.1 0.2
IC = 10毫安
50毫安
250毫安
500毫安
的hFE ， DC电流增益
25°C
-55°C
VCE = 5.0 V
500
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
IB ，基极电流（ μA ）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.6
TJ = 25°C
1.4
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 1000
1.2
VBE （ ON） @ VCE = 5.0 V
1.0
0.8
0.6
-1.0
-2.0
-3.0
*适用于IC / IB
≤
hFE/3.0
*R
QVC
对VCE （SAT）
25 ° C至125°C
-55 ° C到25°C时
25 ° C至125°C
-4.0
q
VB的VBE
-5.0
-6.0
5.0 7.0 10
-55 ° C到25°C时
VCE （SAT） @ IC / IB = 1000
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
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4
2N6426 2N6427
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
D = 0.5
0.2
0.05
单脉冲
单脉冲
Z
θJC （T ）
= R （t）的
R
θJC
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
Z
θJA （T ）
= R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA （T ）
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
电阻（标准化）
图12.热响应
IC ，集电极电流（毫安）
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.4 0.6
电流限制
热限制
第二击穿极限
TA = 25°C
TC = 25°C
1.0毫秒
100
s
图A
tP
PP
PP
1.0 s
t1
1/f
40
t
占空比
+
T1 F
+
1
tP
峰值脉冲功率= PP
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图13.活动区的安全工作区
设计说明：采用瞬态热阻数据
http://onsemi.com
5
2N6427 / MMBT6427
分立功率&信号
技术
2N6427
MMBT6427
C
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 1V
B
NPN达林顿晶体管
该器件是专为要求极高的应用
高电流增益集电极电流为1.0 A.从源
处理05.见MPSA14的特点。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
40
40
12
1.2
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N6427
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBT6427
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997仙童半导体公司
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
特点
大电流（最大500 mA）的
低电压（最大30 V）的
高直流电流增益（最小值10000） 。
应用
通用
高增益放大。
描述
NPN达林顿晶体管采用TO -92 ; SOT54塑料
封装。
MAM252
2N6427
钉扎
针
1
2
3
集热器
BASE
辐射源
描述
手册， halfpage
2
1
1
2
3
TR1
TR2
3
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）
和符号。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
CES
I
C
P
合计
h
FE
f
T
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功耗
直流电流增益
跃迁频率
T
AMB
≤
25
°C
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
发射极开路
V
BE
= 0
条件
10000
125
分钟。
马克斯。
40
30
500
625
100000
兆赫
V
V
mA
mW
单位
1997年7月4日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
2N6427
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1997年7月4日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
2N6427
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1997年7月4日
5
ON Semiconductort
达林顿晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
40
40
12
500
625
5.0
1.5
12
-55到+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2N6426*
2N6427
·安森美半导体首选设备
1
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
2
3
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
集热器3
BASE
2
发射器1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（IC = 10 MADC ， VBE = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
MADC ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
MADC ，
IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 25伏直流电， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 10 VDC ， IC = 0 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2.0%.
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
冰
ICBO
IEBO
40
40
12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
50
50
VDC
VDC
VDC
MADC
NADC
NADC
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年2月 - Rev.1号
出版订单号：
2N6426/D
2N6426 2N6427
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
DC电流增益（1）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
的hFE
2N6426
2N6427
2N6426
2N6427
2N6426
2N6427
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
—
—
0.71
0.9
1.52
1.24
1.2
1.5
2.0
1.75
VDC
VDC
20,000
10,000
30,000
20,000
20,000
14,000
—
—
—
—
—
—
200,000
100,000
300,000
200,000
200,000
140,000
VDC
—
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 50 MADC ， IB = 0.5 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 0.5 MADC
基射极饱和电压
（ IC = 500 MADC ， IB = 0.5 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
小信号特性
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 1.0伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入阻抗
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 1.0千赫）
电流增益 - 频率高
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
输出导纳
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 5.0伏， RS = 100 kΩ的， F = 1.0千赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2.0%.
2N6426
2N6427
的hFE
2N6426
2N6427
| HFE |
2N6426
2N6427
HOE
NF
1.5
1.3
—
—
2.4
2.4
—
3.0
—
—
1000
10
毫姆欧
dB
20,000
10,000
—
—
—
—
—
科博
CIBO
缺氧缺血性脑病
100
50
—
—
2000
1000
—
—
—
5.4
10
7.0
15
pF
pF
k
RS
in
en
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
http://onsemi.com
2
2N6426 2N6427
噪声特性
（ VCE = 5.0伏， TA = 25 ° C）
500
200
100
10
A
50
100
A
20
10
5.0
10 20
50 100 200
IC = 1.0毫安
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
0.02
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
100
A
10
A
带宽= 1.0赫兹
RS
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
带宽= 1.0赫兹
恩，噪声电压（NV ）
IC = 1.0毫安
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
带宽= 10 Hz至15.7千赫
NF ，噪声系数（dB ）
IC = 10
A
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
1000
0
1.0
2.0
5.0
IC = 1.0毫安
100
A
带宽= 10 Hz至15.7千赫
100
70
50
30
20
10
A
100
A
1.0毫安
10
1.0
2.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
1000
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
http://onsemi.com
3
2N6426 2N6427
小SIGNALCHARACTERISTICS
20
TJ = 25°C
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
2.0
VCE = 5.0 V
F = 100 MHz的
TJ = 25°C
CIBO
科博
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
VR ，反向电压（伏）
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
IC ，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
图7.高频电流增益
TJ = 125°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200 k
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
3.0
TJ = 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.1 0.2
IC = 10毫安
50毫安
250毫安
500毫安
的hFE ， DC电流增益
25°C
-55°C
VCE = 5.0 V
500
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
IB ，基极电流（ μA ）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.6
TJ = 25°C
1.4
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 1000
1.2
VBE （ ON） @ VCE = 5.0 V
1.0
0.8
0.6
-1.0
-2.0
-3.0
*适用于IC / IB
≤
hFE/3.0
*R
QVC
对VCE （SAT）
25 ° C至125°C
-55 ° C到25°C时
25 ° C至125°C
-4.0
q
VB的VBE
-5.0
-6.0
5.0 7.0 10
-55 ° C到25°C时
VCE （SAT） @ IC / IB = 1000
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
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4
2N6426 2N6427
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
D = 0.5
0.2
0.05
单脉冲
单脉冲
Z
θJC （T ）
= R （t）的
R
θJC
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
Z
θJA （T ）
= R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA （T ）
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
电阻（标准化）
图12.热响应
IC ，集电极电流（毫安）
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.4 0.6
电流限制
热限制
第二击穿极限
TA = 25°C
TC = 25°C
1.0毫秒
100
s
图A
tP
PP
PP
1.0 s
t1
1/f
40
t
占空比
+
T1 F
+
1
tP
峰值脉冲功率= PP
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图13.活动区的安全工作区
设计说明：采用瞬态热阻数据
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5
ON Semiconductort
达林顿晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
40
40
12
500
625
5.0
1.5
12
-55到+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2N6426*
2N6427
·安森美半导体首选设备
1
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
2
3
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
集热器3
BASE
2
发射器1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（IC = 10 MADC ， VBE = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
MADC ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
MADC ，
IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 25伏直流电， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 10 VDC ， IC = 0 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2.0%.
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
冰
ICBO
IEBO
40
40
12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
50
50
VDC
VDC
VDC
MADC
NADC
NADC
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年2月 - Rev.1号
出版订单号：
2N6426/D
2N6426 2N6427
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
DC电流增益（1）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
的hFE
2N6426
2N6427
2N6426
2N6427
2N6426
2N6427
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
—
—
0.71
0.9
1.52
1.24
1.2
1.5
2.0
1.75
VDC
VDC
20,000
10,000
30,000
20,000
20,000
14,000
—
—
—
—
—
—
200,000
100,000
300,000
200,000
200,000
140,000
VDC
—
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 50 MADC ， IB = 0.5 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 0.5 MADC
基射极饱和电压
（ IC = 500 MADC ， IB = 0.5 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
小信号特性
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 1.0伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入阻抗
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 1.0千赫）
电流增益 - 频率高
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
输出导纳
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 5.0伏， RS = 100 kΩ的， F = 1.0千赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2.0%.
2N6426
2N6427
的hFE
2N6426
2N6427
| HFE |
2N6426
2N6427
HOE
NF
1.5
1.3
—
—
2.4
2.4
—
3.0
—
—
1000
10
毫姆欧
dB
20,000
10,000
—
—
—
—
—
科博
CIBO
缺氧缺血性脑病
100
50
—
—
2000
1000
—
—
—
5.4
10
7.0
15
pF
pF
k
RS
in
en
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
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2
2N6426 2N6427
噪声特性
（ VCE = 5.0伏， TA = 25 ° C）
500
200
100
10
A
50
100
A
20
10
5.0
10 20
50 100 200
IC = 1.0毫安
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
0.02
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
100
A
10
A
带宽= 1.0赫兹
RS
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
带宽= 1.0赫兹
恩，噪声电压（NV ）
IC = 1.0毫安
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
带宽= 10 Hz至15.7千赫
NF ，噪声系数（dB ）
IC = 10
A
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
1000
0
1.0
2.0
5.0
IC = 1.0毫安
100
A
带宽= 10 Hz至15.7千赫
100
70
50
30
20
10
A
100
A
1.0毫安
10
1.0
2.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
1000
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
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3
2N6426 2N6427
小SIGNALCHARACTERISTICS
20
TJ = 25°C
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
2.0
VCE = 5.0 V
F = 100 MHz的
TJ = 25°C
CIBO
科博
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
VR ，反向电压（伏）
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
IC ，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
图7.高频电流增益
TJ = 125°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200 k
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
3.0
TJ = 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.1 0.2
IC = 10毫安
50毫安
250毫安
500毫安
的hFE ， DC电流增益
25°C
-55°C
VCE = 5.0 V
500
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
IB ，基极电流（ μA ）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.6
TJ = 25°C
1.4
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 1000
1.2
VBE （ ON） @ VCE = 5.0 V
1.0
0.8
0.6
-1.0
-2.0
-3.0
*适用于IC / IB
≤
hFE/3.0
*R
QVC
对VCE （SAT）
25 ° C至125°C
-55 ° C到25°C时
25 ° C至125°C
-4.0
q
VB的VBE
-5.0
-6.0
5.0 7.0 10
-55 ° C到25°C时
VCE （SAT） @ IC / IB = 1000
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
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4
2N6426 2N6427
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
D = 0.5
0.2
0.05
单脉冲
单脉冲
Z
θJC （T ）
= R （t）的
R
θJC
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
Z
θJA （T ）
= R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA （T ）
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
电阻（标准化）
图12.热响应
IC ，集电极电流（毫安）
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.4 0.6
电流限制
热限制
第二击穿极限
TA = 25°C
TC = 25°C
1.0毫秒
100
s
图A
tP
PP
PP
1.0 s
t1
1/f
40
t
占空比
+
T1 F
+
1
tP
峰值脉冲功率= PP
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图13.活动区的安全工作区
设计说明：采用瞬态热阻数据
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QQ：2881677436 复制
