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INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4460

描述

·带

TO- 3PML包

高

击穿电压，高可靠性

.

·快速

开关速度。

ùWide

安全工作区

应用

For

开关稳压器的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

T

C

=25℃

P

C

集电极耗散功率

3

T

j

T

英镑

结温

储存温度

150

-55~150

℃

℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

800

500

7

15

25

4

55

W

单位

V

V

V

A

A

A

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4460

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

V

CEX （ SUS）的

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

输出电容

条件

I

C

= 1毫安;我

E

=0

I

C

= 5毫安;

BE

=∞

I

E

= 1毫安;我

C

=0

I

C

=5A;I

B1

=2A;

I

B2

=-2A;L=500μH

I

C

=6A;I

B

=1.2 A

I

C

=6A;I

B

=1.2A

V

CB

= 500V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1.2A ; V

CE

=5V

I

C

= 6A ; V

CE

=5V

I

C

= 1.2A ; V

CE

=10V

V

CB

=10V;f=1MHz

15

8

18

160

兆赫

pF

民

800

500

7

500

1.0

1.5

10

10

50

典型值。

最大

单位

V

V

V

V

V

V

μA

μA

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

=5I

B1

=-2.5I

B2

=7A;

R

L

=28.6Ω

V

CC

=200V

0.5

3.0

0.3

μs

μs

μs

h

FE-1

分类

L

15-30

M

20-40

N

30-50

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4460

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4460

4

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3PML包

高

击穿电压，高可靠性

.

·快速

开关速度。

ùWide

ASO 。

应用

·音频

和通用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

2SC4460

Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号

最大绝对额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

Collectorl功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

800

500

7

15

25

4

55

3

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

A

W

W

℃

℃

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

2SC4460

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

V

CEX （ SUS）的

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

输出电容

条件

I

C

= 1毫安;我

E

=0

I

C

= 5毫安;

BE

=∞

I

E

= 1毫安;我

C

=0

I

C

=5A;I

B1

=2A;

I

B2

=-2A;L=500μH

I

C

=6A;I

B

=1.2 A

I

C

=6A;I

B

=1.2A

V

CB

= 500V我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1.2A ; V

CE

=5V

I

C

= 6A ; V

CE

=5V

I

C

= 1.6A ; V

CE

=10V

V

CB

=10V;f=1MHz

15

8

20

160

兆赫

pF

民

800

500

7

500

1.0

1.5

10

10

50

典型值。

最大

单位

V

V

V

V

V

V

μA

μA

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

=5I

B1

=-2.5I

B2

=7A;

R

L

=28.6Ω

V

CC

=200V

0.5

3.0

0.3

μs

μs

μs

h

FE-1

分类

L

15-30

M

20-40

N

30-50

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4460

图2外形尺寸

JMnic

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4460

描述

·采用TO- 3PML包

·高击穿电压，高可靠性

.

·快速开关速度。

·安全运行的广域

应用

·对于开关稳压器的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号

辐射源

描述

绝对最大额定值（ TA = 25 ）

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

T

C

=25

P

C

集电极耗散功率

3

T

j

T

英镑

结温

储存温度

150

-55~150

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

800

500

7

15

25

4

55

W

单位

V

V

V

A

A

A

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4460

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

输出电容

条件

I

C

= 1毫安;我

E

=0

I

C

= 5毫安;

BE

？＆ LT ;

I

E

= 1毫安;我

C

=0

I

C

=5A;I

B1

=2A;

I

B2

=-2A;L=500H

I

C

=6A;I

B

=1.2 A

I

C

=6A;I

B

=1.2A

V

CB

= 500V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1.2A ; V

CE

=5V

I

C

= 6A ; V

CE

=5V

I

C

= 1.2A ; V

CE

=10V

V

CB

=10V;f=1MHz

15

8

18

160

兆赫

pF

民

800

500

7

500

1.0

1.5

10

10

50

典型值。

最大

单位

V

V

V

V

V

V

A

A

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

V

CEX （ SUS）的

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

=5I

B1

=-2.5I

B2

=7A;

R

L

=28.6D

V

CC

=200V

0.5

3.0

0.3

s

s

s

h

FE-1

分类

L

15-30

M

20-40

N

30-50

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4460

图2外形尺寸

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4460

4

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4460

描述

·带

TO- 3PML包

高

击穿电压，高可靠性

.

·快速

开关速度。

ùWide

安全工作区

应用

For

开关稳压器的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

条件

集电极 - 基极电压

发射极开路

集电极 - 发射极电压

开基

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

T

C

=25℃

集电极开路

OR

CT

U

价值

800

500

7

15

25

4

55

单位

V

V

V

A

A

A

P

C

集电极耗散功率

3

W

T

j

T

英镑

结温

储存温度

150

-55~150

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4460

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

V

CEX （ SUS）的

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

C

OB

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

条件

I

C

= 1毫安;我

E

=0

I

C

= 5毫安;

BE

=∞

I

E

= 1毫安;我

C

=0

I

C

=5A;I

B1

=2A;

I

B2

=-2A;L=500μH

I

C

=6A;I

B

=1.2 A

I

C

=6A;I

B

=1.2A

V

CB

= 500V ;我

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1.2A ; V

CE

=5V

I

C

= 6A ; V

CE

=5V

民

800

500

7

500

1.0

1.5

10

典型值。

最大

单位

V

V

V

V

V

V

μA

μA

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

跃迁频率

I

C

= 1.2A ; V

CE

=10V

V

CB

=10V;f=1MHz

输出电容

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

=5I

B1

=-2.5I

B2

=7A;

R

L

=28.6Ω

V

CC

=200V

15

8

OR

CT

U

50

18

160

10

兆赫

pF

0.5

3.0

0.3

μs

μs

μs

h

FE-1

分类

L

15-30

M

20-40

N

30-50

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4460

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

图2外形尺寸

OR

CT

U

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4460

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

OR

CT

U

4

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百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！

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