【晶体管2SC2206NPN硅外延平面型用于高频放大补充2SA12546.9±0.11.52.5±0.】,IC型号2SC2206C,2SC2206C PDF资料,2SC2206C经销商,ic,电子元器件-51电子网

晶体管

2SC2206

NPN硅外延平面型

用于高频放大

补充2SA1254

6.9±0.1

1.5

2.5±0.1

1.0

2.4±0.2 2.0±0.2 3.5±0.1

单位：mm

特点

最适合的FM / AM收音机射频放大。

高转换频率f

M型封装可以方便的自动和手动插入的

以及独立固定到印刷电路板上。

1.5 R0.9

R0.9

0.4

1.0±0.1

0.85

0.55±0.1

0.45±0.05

1.25±0.05

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

(Ta=25C)

评级

400

150

–55 ~ +150

单位

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

2.5

EIAJ ： SC- 71

M型模具包

电气特性

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极电压

跃迁频率

噪声系数

共发射极反向传输电容

反向传输阻抗

(Ta=25C)

符号

CBO

首席执行官

EBO

FE *

CE （ SAT ）

条件

= 10μA ，我

= 0

= 1mA时，我

= 0

= 10μA ，我

= 0

= 10V ，我

= -1mA

= 10毫安，我

= 1毫安

= 10V ，我

= 1毫安

= 10V ，我

= -1mA ， F = 200MHz的

= 10V ，我

= -1mA ， F = 5MHz时

= 10V ，我

= 1mA时， F = 10.7MHz的

= 10V ，我

= -1mA ， F = 2MHz的

150

民

0.1

0.7

300

2.8

1.5

220

兆赫

典型值

最大

单位

等级分类

70 ~ 140

110 ~ 220

秩

4.1±0.2

4.5±0.1

晶体管

- TA

500

Ta=25C

450

=100A

12.5

2SC2206

— V

15.0

=10V

Ta=25C

— I

集电极耗散功率P

（ mW）的

集电极电流I

（MA ）

350

300

250

200

150

100

80 100 120 140 160

80A

集电极电流I

（MA ）

400

10.0

60A

7.5

40A

5.0

20A

2.5

100

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

(V)

基极电流I

(

)

— V

120

=10V

Ta=25C

100

— V

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

100

=10V

CE （ SAT ）

— I

=10

集电极电流I

（MA ）

基极电流I

(

)

Ta=75C

25C

–25C

Ta=75C

0.3

25C

0.1

0.03

0.01

0.1

–25C

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.3

100

基极至发射极电压V

(V)

基极至发射极电压V

(V)

集电极电流I

（MA ）

— I

240

=10V

400

350

300

250

200

150

100

0.1

– 0.1 – 0.3

— I

=10V

— I

反向传输阻抗Z

(

)

Ta=25C

=10V

f=2MHz

Ta=25C

正向电流传输比H

200

过渡频率f

（兆赫）

160

Ta=75C

25C

120

–25C

0.3

100

–1

–3

–10

–30

–100

– 0.1

– 0.3

–1

–3

–10

集电极电流I

（MA ）

发射极电流I

（MA ）

发射极电流I

（MA ）

晶体管

— V

共发射极反向传输电容C

（PF ）

3.0

f=10.7MHz

Ta=25C

2.5

2SC2206

PG - 我

f=100MHz

=10V

Ta=25C

=6V

f=100MHz

=50

Ta=25C

NF - 我

2.0

=3mA

1.5

1mA

噪声系数NF （ dB）的

–1

–3

–10

–30

–100

功率增益PG （分贝）

1.0

0.5

0.1

0.3

100

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

–3

–10

集电极到发射极电压V

(V)

发射极电流I

（MA ）

发射极电流I

（MA ）

— g

反向传输纳B

（女士）

+ JB

=10V

+ JB

=10V

— g

向前转移纳B

（女士）

f=10.7MHz

= 0.1毫安

f=10.7MHz

10.7

-1mA 100

输入纳B

（女士）

–4mA

=–1mA

10– 0.1

=–1mA

–20

–2mA

100

–7mA

100

–2mA

– 0.2

–40

– 0.3

–60

=–4mA

100

f=10.7MHz

– 0.4

100

–80

– 0.5

–100

+ JB

=10V

100

– 0.6

– 0.5

–120

– 0.4

– 0.3

– 0.2

– 0.1

输入电导G

（女士）

反向传输电导G

（女士）

正向传输导

（女士）

— g

1.2

+ JB

=10V

输出纳B

（女士）

1.0

0.8

=–1mA

100

0.6

0.4

0.2

f=10.7MHz

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

输出电导G

（女士）

请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息

并在此材料中描述的半导体

（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的

换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术

＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。

（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-

istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得

物业，给予相对权利，或者给予任何许可。

（3）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-

ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-

struments和家用电器）。

提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：

特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，

燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和

可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或

对人体的危害。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

（ 4 ）在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不

通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购

荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准

确保最新的技术规格满足您的要求。

（ 5 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -

妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -

明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，

所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们

产品。

（ 6 ）使用了该干的包装要求的产品，观察条件（包括保质期

及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。

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从我们公司。

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半导体产品最适合他们的应用程序。

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建议客户联系我们的半导体销售办事处，并获得最新信息

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B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性，但

总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此，

松下将不承担任何错误等，可能AP-而引起的任何损失承担任何责任

梨在这种材料。

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因此，如果没有松下的事先书面同意，任何其他用途，如再现，

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2001年MAR