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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第695页 > 2SC4409
SMD型
电源开关应用
2SC4409
晶体管
特点
低集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 0.5V （最大值） （我
C
= 1A)
高速开关时间：吨
英镑
=为500ns （典型值）。
小扁包
P
C
= 1.0 2.0W （安装在陶瓷基板）
补充2SA1681
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
Jumction温度
存储温度范围
*安装在一个陶瓷基板（ 250毫米
2
×0.8 T）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
80
50
6
2
0.2
0.5
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极击穿电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
Testconditons
V
CB
= 80V ，我
E
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
V
CE
= 2V ，我
C
= 100毫安
V
CE
= 2V ，我
C
= 1.5A
I
C
= 1A ，我
B
= 0.05A
I
C
= 1A ，我
B
= 0.05A
50
100
14
0.1
见测试电路
0.5
0.1
ìs
120
40
0.5
1.2
V
V
V
兆赫
pF
民
典型值
最大
0.1
0.1
400
单位
ìA
ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
= 2V ，我
C
= 100毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SC4409
测试电路
晶体管
记号
记号
KA
电气特性曲线
2
www.kexin.com.cn
SMD型
2SC4409
晶体管
www.kexin.com.cn
3
2SC4409
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
2SC4409
功率放大器的应用
电源开关应用
低集电极饱和电压： V
CE （SAT）
= 0.5V （最大） （在我
C
= 1A)
高速开关时间：吨
英镑
=为500ns （典型值）。
小扁包
P
C
= 1 2 W （安装在一个陶瓷基板）
补充2SA1681
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C
（注）
T
j
T
英镑
等级
80
50
6
2
0.2
500
1000
150
55~150
2
单位
V
V
V
A
A
mW
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-62
2-5K1A
重量0.05克（典型值）。
注意： 2SC4409安装在陶瓷基板（ 250毫米
×
0.8 t)
1
2004-07-07
2SC4409
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE （1）
h
FE （2）
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
f
T
C
ob
t
on
20
s
输入I
B1
开关时间
贮存时间
t
英镑
I
B1
I
B2
下降时间
t
f
I
B1
= I
B2
=
0.05 A,
占空比
＆ LT ;
1%
=
I
B2
测试条件
V
CB
=
80 V，I
E
=
0
V
EB
=
6 V，I
C
=
0
I
C
=
10毫安，我
B
=
0
V
CE
=
2 V，I
C
=
百毫安
V
CE
=
2 V，I
C
=
1.5 A
I
C
=
1 ，我
B
=
0.05 A
I
C
=
1 ，我
B
=
0.05 A
V
CE
=
2 V，I
C
=
百毫安
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
产量
30
民
50
120
40
典型值。
100
14
0.1
最大
0.1
0.1
400
0.5
1.2
V
V
兆赫
pF
单位
A
A
V
30 V
0.5
s
0.1
记号
产品型号（或缩写代码）
K
LOT号
A
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2004-07-07
2SC4409
I
C
– V
CE
2.4
2.0 100
50
1.6
Ta
=
25°C
20
15
10
500
h
FE
– I
C
直流电流增益
h
FE
共发射极
300
100
50
30
10
1
6
4
25
Ta
=
100°C
25
共发射极
VCE
=
2 V
集电极电流I
C
(A)
30
1.2
3
10
30
100
300
1000
3000
0.8
集电极电流I
C
（MA ）
0.4
IB
=
2毫安
0
1
2
3
4
5
0
0
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
V
CE （SAT）
– I
C
3
V
BE （SAT）
– I
C
基射极饱和
电压V
BE （SAT）
(V)
3
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （SAT）
(V)
共发射极
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
1
25
25
3
10
30
100
300
1000
3000
IC / IB
=
20
1
0.5
Ta
= 25°C
Ta
=
100°C
0.2
1
25
100
3
10
30
100
共发射极
IC / IB
=
20
300
1000
3000
集电极电流
I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
安全工作区
10
5
3
集成电路最大值（脉冲） *
IC MAX（连续）
10毫秒*
1毫秒*
100毫秒*
(A)
集电极电流I
C
I
C
– V
BE
2.0
共发射极
VCE
=
2 V
1
0.5
0.3
直流操作
（大
=
25°C)
0.1
0.05
0.03
集电极电流I
C
(A)
1.6
1.2
0.8
Ta
=
100°C
25
25
0.01
0.005
*:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
最大VCEO
0.4
0.003
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.001
0.1
0.3
1
3
10
30
100
基射极电压
V
BE
(V)
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
3
2004-07-07
2SC4409
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
030619EAA
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
东芝或其它。
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
东芝产品不应被嵌入到禁止要生产的下游产品
现卖，根据任何法律和法规。
4
2004-07-07
SMD型
产品speci fi cation
2SC4409
特点
低集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 0.5V （最大值） （我
C
= 1A)
高速开关时间：吨
英镑
=为500ns （典型值）。
小扁包
P
C
= 1.0 2.0W （安装在陶瓷基板）
补充2SA1681
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
Jumction温度
存储温度范围
*安装在一个陶瓷基板（ 250毫米
2
×0.8 T）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
80
50
6
2
0.2
0.5
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极击穿电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
Testconditons
V
CB
= 80V ，我
E
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
V
CE
= 2V ，我
C
= 100毫安
V
CE
= 2V ，我
C
= 1.5A
I
C
= 1A ，我
B
= 0.05A
I
C
= 1A ，我
B
= 0.05A
50
100
14
0.1
见测试电路
0.5
0.1
ìs
120
40
0.5
1.2
V
V
V
兆赫
pF
民
典型值
最大
0.1
0.1
400
单位
ìA
ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
= 2V ，我
C
= 100毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1第3
SMD型
产品speci fi cation
2SC4409
测试电路
记号
记号
KA
电气特性曲线
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 3
SMD型
产品speci fi cation
2SC4409
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
3 3
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284510-3
255358
2N3872
2N2906/A
2SK1641
2SD1280
20010HS-02000
2SB1201T
2MBI50P-140
29683C
2020AX103Z1
23220
2-1437016-1
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC4409
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
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2SC4409
TOSHIBA
24+
8000000
DIP
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2SC4409
TOSHIBA
2019
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SOT-89
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联系人：朱经理、张小姐
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2SC4409
TOSHIBA
2019+
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联系人：王云
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2SC4409
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2SC4409
TOSHIBA/东芝
18+
80000
SOT89
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