2SB1518
PNP硅外延
低频功率放大器,开关
特点
低饱和电压
V
CE (SAT)
= -0.2 V典型值。 (在我
C
= –2 A)
小型表面贴装封装。
表1绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
符号评级
单位
——————————————————————–
集电极 - 基极电压
V
CBO
–30
V
——————————————————————–
集电极到发射极电压V
首席执行官
–25
V
——————————————————————–
发射器基极电压
V
EBO
–5
V
——————————————————————–
集电极电流
I
C
–3
A
——————————————————————–
集电极耗散功率P
C
*
1
W
——————————————————————–
结温
Tj
150
°C
——————————————————————–
储存温度
TSTG
-55 + 150℃
——————————————————————–
*当使用的氧化铝陶瓷板( 12.5
×
20
×
0.7
mm)
UPAK
3
2
1
1.基地
2.收集
3.辐射源
表2电气特性
( TA = 25°C )
项
符号
最小典型最大单位测试条件
———————————————————————————————————————————————–
—
V
I
C
= -10 μA ,我
E
= 0
集电极基极击穿电压
V
( BR ) CBO
–30 —
———————————————————————————————————————————————–
—
V
I
C
= -1毫安,R
BE
=
∞
集电极到发射极击穿电压V
( BR ) CEO
–25 —
———————————————————————————————————————————————–
—
—
V
I
E
= -10 μA ,我
C
= 0
发射极基极击穿电压
V
( BR ) EBO
–5
———————————————————————————————————————————————–
—
—
–0.1 A
V
CB
= -24 V,I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
———————————————————————————————————————————————–
—
—
–0.1 A
V
EB
= -4 V,I
C
= 0
发射Cuto FF电流
I
EBO
———————————————————————————————————————————————–
160 —
500 —
V
CE
= -1 V,I
C
= –0.1 A
直流电流传输比
h
FE
1*
———————————————————————————————————————————————–
100 —
—
—
V
CE
= -1 V,I
C
= –3 A
直流电流传输比
h
FE
2
———————————————————————————————————————————————–
—
–0.2 –0.3 V
I
C
= -2 A,I
B
= –0.2 A
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
———————————————————————————————————————————————–
—
—
–1.2 V
I
C
= -2 A,I
B
= –0.2 A
基地发射极饱和电压
V
BE ( SAT )
———————————————————————————————————————————————–
*该2SB1518为h分组
FE
1,如下所示。
GRADE
D
E
——————————————————————–
标志
JH
JJ
——————————————————————–
160到320
250至500
h
FE
1
——————————————————————–