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低频晶体管( 20V , 3A )
2SC4115S
特点
1 )低V
CE ( SAT )
.
V
CE ( SAT )
= 0.2V (典型值)。
(I
C
/ I
B
= 2A / 0.1A)
2 )优秀的电流增益特性。
3 )补充了2SA1585S 。
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
40
20
6
2
5
0.4
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
W
ROHM : SPT
EIAJ :SC- 72
外形尺寸(单位:毫米)
2SC4115S
4±0.2
2±0.2
3±0.2
(15Min.)
0.45
+0.15
0.05
3Min.
2.5
+0.4
0.1
5
0.5
0.45
+0.15
0.05
(1) (2) (3)
(1 )发光体
( 2 )集电极
(3 )基
指H
FE
°C
°C
单脉冲Pw = 10ms的
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
20
6
120
典型值。
0.2
290
25
马克斯。
0.1
0.1
0.5
390
单位
V
V
V
I
C
=50
A
I
C
=1mA
I
E
=50
A
V
CB
=30V
V
EB
=5V
I
C
/I
B
=2A/0.1A
V
CE
=2V,
I
C
=0.1A
V
CE
=2V,
I
E
= 0.5A,
f=100MHz
V
CE
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
A
A
V
兆赫
pF
利用脉冲电流测量。
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2009.11 - Rev.B的
2SC4115S
包装规格和h
FE
CODE
TYPE
2SC4115S
h
FE
QRS
基本订购
单位(件)
TAPING
TP
5000
数据表
h
FE
值被分类如下:
h
FE
Q
120至270
R
180 390
S
270 560
电气特性曲线
10
5
V
CE
=2V
集电极电流:我
C
(A)
2
20mA
18mA
16mA
14mA
集电极电流:我
C
(A)
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
5m
2m
1m
0
Ta=100°C
25°C
40°C
集电极电流:我
C
(A)
Ta=25°C
12mA
10mA
8mA
6mA
5
50mA
45mA
40mA
1.6
4
Ta=25°C
35mA
30mA
25mA
20mA
15mA
10mA
1.2
4mA
0.8
2mA
0.4
I
B
=0A
1.0
3
2
5mA
1
I
B
=0A
1
2
3
4
5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
Fig.1
发射极接地传播
特征
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
Fig.2
接地发射极输出
特点( )
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
Fig.3
接地发射极输出
特点( )
5000
2000
直流电流增益:H
FE
2
1
0.5
0.2
0.1
50m
20m
10m
5m
Ta=100°C
25°C
40°C
V
CE
=
2V
I
C
/I
B
=10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
5m
2m
l
C
/l
B
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
1000
500
200
100
50
20
10
Ta=100°C
25°C
40°C
5
1m 2m 5m0.010.02 0.05 0.10.2 0.5 1 2
集电极电流:我
C
(A)
5 10
2m
1m 2m 5m10m20m50m0.1 0.2 0.5 1 2
集电极电流:我
C
(A)
5 10
1m
1m 2m 5m 0.010.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
集电极电流:我
C
(A)
5 10
Fig.4
直流电流增益主场迎战
集电极电流
Fig.5
集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流( )
集电极输出电容:C
ob
(PF )
发射极输入电容:C
ib
(PF )
Fig.6
集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流( )
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
2
1
0.5
0.2
0.1
50m
20m
10m
5m
Ta=100°C
25°C
40°C
跃迁频率:F
T
(兆赫)
I
C
/I
B
=50
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
Ta=25°C
V
CE
=2V
1000
500
Ta=25°C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
C
ob
200
100
C
ob
50
20
10
0.1 0.2
2m
1m 2m 5m10m20m50m 0.1 0.2 0.5 1 2
集电极电流:我
C
(A)
5 10
5 10 20 50 100 200 500 1000
发射极电流:我
E
(MA )
0.5
1
2
5
10
20
50
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射极 - 基极电压: V
EB
(V)
Fig.7
集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流( )
Fig.8
增益带宽积主场迎战
发射极电流
Fig.9
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
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2009.11 - Rev.B的
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笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部,则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更,恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的(在下文中
"Products" ) 。如果你希望使用任何此类产品,请务必参阅规格,
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路,电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时,必须考虑到。
时非常谨慎,以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是,如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息, ROHM ,应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你,或明或
隐,任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置(诸如视听设备,办公自动化设备, commu-
讯设备,电子电器,娱乐设备) 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性,一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害,火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障,如降级,冗余,消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
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该产品并非设计或制造任何设备,设备使用,或
系统,该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵,其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险(如医疗
仪表,交通运输设备,航空器械,核反应器,
燃料控制器或其他安全装置) 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途,请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制,你会被要求
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更详细的产品信息和目录都可以,请与我们联系。
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10000
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TO92S
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:李小姐
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1926+
6852
TO-92
只做进口原装正品现货!或订货假一赔十!
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SC4115STPR
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2024
20918
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上海原装现货库存,欢迎咨询合作2SC5464-Y(TE85L
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
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