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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4075
描述
·带
TO- 220F封装
高
电压
ùWide
安全工作区
应用
●颜色
电视色度输出，声音输出
与B / W的电视视频输出，音频输出
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
辐射源
描述
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
10
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
300
7
0.2
0.7
2
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC4075
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安;我
B
=0
300
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10μA ;我
E
=0
300
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10μA ;我
C
=0
7
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 50毫安;我
B
= 5M一
2.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 200V ;我
E
=0
0.1
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
0.1
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 10毫安; V
CE
=10V
40
200
f
T
跃迁频率
I
C
= 10毫安; V
CE
=30V
50
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
=0; V
CB
=50V;f=1MHz
5.3
pF
h
FE
分类
C
40-80
D
60-120
E
100-200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4075
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4075
描述
·采用TO- 220F封装
·高电压
·安全运行的广域
应用
·彩电色度输出，声音输出
与B / W的电视视频输出，音频输出
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
10
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
300
7
0.2
0.7
2
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 1毫安;我
B
=0
I
C
= 10μA ;我
E
=0
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 50毫安;我
B
= 5M一
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 10毫安; V
CE
=10V
I
C
= 10毫安; V
CE
=30V
I
E
=0; V
CB
=50V;f=1MHz
40
50
民
300
300
7
2SC4075
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
0.1
0.1
200
V
A
A
兆赫
5.3
pF
h
FE
分类
C
40-80
D
60-120
E
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4075
图2外形尺寸
3
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    2SC4075
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