SMD信号DMOS
晶体管（ N沟道）
2N7002
SMD信号DMOS晶体管（ N沟道）
特点
电压控制的小信号开关
高密度电池设计低R
DS （ ON）
坚固可靠
高饱和电流Capablity
符合RoHS标准
机械数据
案例：
终端：
重量：
SOT -23 ，塑料包装
每MIL -STD- 202G ，方法208
0.008克
SOT-23
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
标识代码
描述
2N7002
WA
60
± 20
300
1200
300
150
-55到+150
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
单位
条件
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
漏电流脉冲（注1 ）
吸取功率耗散（注2 ）
结温
存储温度范围
P
D
T
J
T
英镑
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
分钟。
60
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
-
1
100
-100
单位
V
μA
nA
条件
V
GS
= 0
V，I
D
=10uA
V
DS
= 60
V, V
GS
= 0
V
V
DS
= 0
V, V
GS
= 20
V
V
DS
= 0
V, V
GS
= -20
V
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
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版本A / NX 2007-12-22
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SMD信号DMOS晶体管（ N沟道）
2N7002
电气特性
(T
环境
=25C)
（注3）
符号
描述
栅极阈值电压
漏源导通电阻
分钟。
1.1
-
-
-
-
500
200
-
典型值。
1.8
1.2
1.5
0.6
0.075
-
580
0.78
马克斯。
2.3
1.8
2.1
0.9
0.105
-
-
1.15
V
mA
mS
V
单位
V
条件
V
DS
=
V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=
10V ，我
D
=500mA
V
GS
=
5V ，我
D
=50mA
V
GS
=
10V ，我
D
=500mA
V
GS
=
5V ，我
D
=50mA
V
GS
=
10V, V
DS
≥2V
DS （ ON）
V
DS
=
10V ，我
D
=500mA
V
GS
=
0V ，我
S
=200mA
V
th
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
I
D（上）
漏源电压
在国家漏极电流
正向跨导
漏源二极管的正向电压（注1 ）
g
FS
V
SD
动态特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
输入电容
反向传输电容
输出电容
切换时间接通时间
切换时间关断时间
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
47.1
3.5
8.8
8.8
14.8
马克斯。
-
-
-
-
-
nS
V
DD
=
30V
,
R
L
=
155
I
D
= 190毫安，V
GS
=10V
pF
V
DS
=
25
V,
V
GS
=
0V,
f=1MHz
单位
条件
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
注意：
（ 1 ）脉冲Width≤10us ，职务Cycle≤1 ％
（2 ）封装安装在玻璃环氧印刷电路板3.94 ' '× 3.94 ' '× 0.04 ''
（ 3 ）脉冲测试：脉冲Width≤80μs ，职务Cycle≤1 ％
开关时间测试电路
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第2 7
SMD信号DMOS晶体管（ N沟道）
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典型特性曲线
Fig.1-输出特性
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
Fig.2-导通电阻与漏电流
漏电流
I
D
(A)
漏源电压
V
DS
(V)
漏电流
I
D
(A)
漏源导通电阻
R
DS
(Ω)
Fig.3-导通电阻与结温
Fig.4-传输特性
结温
T
J
(℃)
漏电流
I
D
(A)
栅源电压
V
GS
(V)
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SMD信号DMOS晶体管（ N沟道）
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Fig.5-阈值特性
门源阈值电压（ A）
Fig.6-源极 - 漏极二极管正向电压
源出电流
I
S
(A)
结温
T
J
(℃)
源 - 漏电压
V
SD
(V)
Fig.7-电容
Fig.8-栅极电荷
漏源电压
V
DS
(V)
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
电容
（PF ）
栅极电荷Qg （ NC ）
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第4 7
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Fig.9-安全工作区
漏极功耗
P
D
（ mW）的
Fig.10-功耗与环境温度
漏电流
I
D
(A)
漏源电压
V
DS
(V)
周围温度Ta （
° C
)
等效电路
该晶体管静电敏感器件。
请谨慎操作。
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