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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3892
描述
·带
TO-3P (H) IS包
.Built式
阻尼二极管
电压,高速
应用
·水平
偏转输出应用
钉扎
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形(TO -3P (H), IS)和符号
·
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1400
600
5
7
14
3.5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SC3892
典型值。
最大
单位
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
=的200mA,我
C
=0
5
V
V
CESAT
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1.2A
I
C
= 5A ;我
B
=1.2A
5.0
V
基射极饱和电压
1.5
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 500V ;我
E
=0
10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
66
200
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
8
12
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
1
3
兆赫
C
OB
集电极输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
F
=5A
210
pF
V
F
t
s
二极管的正向电压
2.0
V
μs
μs
贮存时间
阻性负载
I
CP
= 5A ;我
B1
=1A;I
B2
=-2A;R
L
=40Ω
2.5
t
f
下降时间
0.2
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3892
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.15 MM)
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3892A
描述
·采用TO- 3P (H ) IS包
·内置阻尼二极管
·高电压,高转速
应用
·水平偏转输出应用
钉扎
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形(TO -3P (H), IS)和符号
绝对最大额定值( TA = 25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1500
600
5
7
14
3.5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
二极管的正向电压
贮存时间
阻性负载
I
CP
= 5A ;我
B1
=1A;I
B2
=-2A;R
L
=40A
下降时间
条件
I
E
=的200mA,我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1.2A
I
C
= 5A ;我
B
=1.2A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
F
=5A
66
8
1
5
2SC3892A
符号
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
V
F
t
s
t
f
典型值。
最大
单位
V
5.0
1.5
10
200
12
3
210
2.0
2.5
0.2
V
V
A
mA
兆赫
pF
V
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3892A
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.15 MM)
3
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    -
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联系人:何小姐
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