订购数量： ENN7920
2SA2124
2SA2124
应用
PNP外延平面硅晶体管
大电流开关应用
电压调节器，继电器驱动器，灯驱动器，电气设备。
特点
通过MBIT过程。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高电流容量。
高速开关。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 450毫米
!0.8m)
2
条件
评级
-
-30
-
-30
--6
--2
--5
--400
1.3
3.5
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
Tc=25°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
集电极 - 发射极饱和电压
基站至Emitterr饱和电压
符号
ICBO
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
fT
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VCB = -
-30V ， IE = 0
VEB = -
-4V ， IC = 0
VCE = -
-2V ， IC = - 100毫安
VCE = -
-2V ， IC = - 1.5A
VCE = -
-10V ， IC = - 300毫安
IC = - 1.5A ， IB = - 75毫安
IC = - 1.5V ， IB = -
-75mA
200
65
440
--0.2
--0.95
--0.4
--1.2
兆赫
V
V
条件
评级
民
典型值
最大
--0.1
--0.1
560
单位
A
A
标记： AX
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
D2004EA TS IM TB- 00000072 No.7920-1 / 4
2SA2124
从接下页。
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
COB
吨
TSTG
tf
条件
IC = - 10μA ， IE = 0
IC = - 1mA时， RBE = ∞
IE = - 10μA ， IC = 0
VCB = - 10V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
民
--30
--30
--6
17
45
200
23
典型值
最大
单位
V
V
V
pF
ns
ns
ns
包装尺寸
单位：mm
2038B
4.5
1.6
开关时间测试电路
IB1
IB2
VR
50
4.0
PW=20s
D.C.≤1%
1.5
IC
产量
输入
RB
RL
+
470F
VCC = --12V
1.0
2.5
+
220F
1
0.4
0.5
1.5
2
3
0.4
VBE=5V
IC = --20IB1 = 20IB2 = --0.5A
3.0
0.75
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
三洋： PCP
--2.0
--1.8
IC - VCE
mA
--3
0m
--2.0
IC - VBE
VCE = --2V
A
0m
-4
-
--25
集电极电流， IC - 一个
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--10mA
集电极电流， IC - 一个
--1.6
--3
5
A
mA
--20mA
--15mA
--1.5
--5mA
--1.0
--2mA
--0.4
--0.2
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--0.5
IB=0
--1.8
--2.0
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
TA
75
°
C
25
°
--25
C
°
C
--0.8
--1.0
IT07249
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT07248
基极发射极电压VBE - V
No.7920-2/4
2SA2124
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的12月， 2004年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.7920-4 / 4
订购数量： EN7920A
2SA2124
三洋半导体
数据表
2SA2124
应用
PNP外延平面硅晶体管
大电流开关应用
电压调节器，继电器驱动器，灯驱动器，电气设备。
特点
通过MBIT过程。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高电流容量。
高速开关。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 450毫米
0.8m)
2
条件
评级
--30
--30
--6
--2
--5
--400
1.3
3.5
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
Tc=25°C
标记： AX
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
80509 TK IM TC- 00002048 / D2004EA TS IM TB- 00000072 No.7920-1 / 4
2SA2124
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
集电极 - 发射极饱和电压
基站至Emitterr饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
fT
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
COB
吨
TSTG
tf
条件
VCB = -
-30V ， IE = 0A
VEB = -
-4V ， IC = 0A
VCE = -
-2V ， IC = - 100毫安
VCE = -
-2V ， IC = -
-1.5A
VCE = -
-10V ， IC = - 300毫安
IC = -
-1.5A ， IB = - 75毫安
IC = -
-1.5V ， IB = -
-75mA
IC = -
-10μA ， IE = 0A
IC = -
-1mA ， RBE = ∞
IE = - 10μA ， IC = 0A
VCB = -
-10V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
--30
--30
--6
17
45
200
23
200
65
440
-
-0.2
-
-0.95
--0.4
--1.2
兆赫
V
V
V
V
V
pF
ns
ns
ns
评级
民
典型值
最大
--0.1
--0.1
560
单位
μA
μA
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7007B-004
开关时间测试电路
IB1
IB2
VR
50Ω
RB
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
IC
产量
RL
+
470μF
VCC = --12V
+
220μF
VBE=5V
IC = --20IB1 = 20IB2 = --0.5A
No.7920-2/4
2SA2124
1.4
1.3
1.2
PC - TA
M
ou
4.0
3.5
PC - 锝
集电极耗散，电脑 - 含
1.0
nt
ed
集电极耗散，电脑 - 含
on
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
ac
er
0.8
am
ic
bo
ar
0.6
d
(4
50
m
0.4
m
2
0.
8m
m
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
)
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°
C
IT07256
外壳温度，TC -
°C
IT08355
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，或其他方式，
没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照，应准予
关于知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或任何第三
派对。三洋半导体有限公司。不得与有关第三方的任何索赔或诉讼承担责任
这导致从使用的技术信息和产品中提到的知识产权
以上。
该目录规定的8月， 2009年说明和信息，在此受
更改，恕不另行通知。
PS No.7920-4 / 4
订购数量： EN7920B
2SA2124
三洋半导体
数据表
2SA2124
Applicaitons
PNP外延平面硅晶体管
大电流开关应用
电压调节器，继电器驱动器，灯驱动器，电气设备
特点
通过MBIT流程
电流容量大
低集电极 - 发射极饱和电压
高速开关
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
条件
评级
--30
--30
-
-6
-
-2
-
-5
单位
V
V
V
A
A
接下页。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7007B-004
顶视图
4.5
1.6
1.5
产品&包装信息
包
： PCP
JEITA ， JEDEC
： SC - 62 ， SOT- 89 ， TO- 243
最小包装数量： 1000个/卷。
2SA2124-TD-E
包装类型： TD
记号
1.0
TD
1
0.4
0.5
1.5
3.0
2
3
0.4
电气连接
2
0.75
1
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
底部视图
3
三洋： PCP
http://www.sanyosemi.com/en/network/
O1712 TKIM TC- 00002827 / 80509 TKIM TC- 00002048 / D2004EA TSIM TB- 00000072 No.7920-1 / 7
AX
LOT号
2.5
4.0
2SA2124
从接下页。
参数
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
IB
PC
Tj
TSTG
当安装在陶瓷基体（ 450毫米
×0.8mm)
Tc=25°C
2
条件
评级
-
-400
1.3
3.5
150
-
-55到+150
单位
mA
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
COB
吨
TSTG
tf
条件
VCB = - 30V ， IE = 0A
VEB = - 4V ， IC = 0A
VCE = - 2V ， IC = - 百毫安
VCE = - 2V ， IC = - 1.5A
VCE = - 10V ， IC = - 300毫安
IC = - 1.5A ， IB = - 75毫安
IC = - 1.5A ， IB = - 75毫安
IC = - 10μA ， IE = 0A
IC = - 1mA时， RBE = ∞
IE = - 10μA ， IC = 0A
VCB = - 10V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
--30
-
-30
--6
17
45
200
23
200
65
440
--0.2
--0.95
-
-0.4
--1.2
兆赫
V
V
V
V
V
pF
ns
ns
ns
评级
民
典型值
最大
--0.1
--0.1
560
单位
μA
μA
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
IB1
IB2
VR
50Ω
RB
IC
产量
RL
+
470μF
VCC = --12V
+
220μF
VBE=5V
IC = 20IB1 = --20IB2 = --0.5A
订购信息
设备
2SA2124-TD-E
包
PCP
航运
1,000pcs./reel
备忘录
无铅
No.7920-2/7
QQ：2881677436 复制
