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JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3842
描述
·带
TO- 3PML包
高
电压，高速
高
电流能力
应用
For
在电视输出水平和使用
电源开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
最大
600
400
6
10
70
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC3842
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安，我
B
=0
400
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安，我
E
=0
600
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
6
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1A
1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 500V ，我
E
=0
100
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
100
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
10
40
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
32
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
100
pF
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3842
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3842
描述
·带
TO- 3PML包
高
电压，高速
高
电流能力
应用
For
在电视输出水平和使用
电源开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
最大
600
400
6
10
70
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SC3842
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安，我
B
=0
400
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安，我
E
=0
600
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
6
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1A
1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 500V ，我
E
=0
100
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
100
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
10
40
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
32
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
100
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3842
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3842
描述
·采用TO- 3PML包
·高电压，高转速
·高电流能力
应用
·对于电视输出的水平和使用
电源开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
最大
600
400
6
10
70
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2SC3842
符号
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安，我
B
=0
400
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安，我
E
=0
600
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安，我
C
=0
6
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1A
1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 500V ，我
E
=0
100
A
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
100
A
h
FE
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
10
40
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
32
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
100
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3842
图2外形尺寸
3
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2SC5081
265015
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2041-6202-00
223878615645
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