从迁移到Am29LV640DU
的MirrorBit Am29LV640MU
应用说明
-XO \\ ????
7KH IROORZLQJ GRFXPHQW UHIHUV WR 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG
0LFUR设备SNMP DQG ） XMLWVX ？ $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ？
LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ？ WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG
） XMLWVX ？
规格连续性
7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GRFXPHQW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ？ $ Q \\
FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GRFXPHQWDWLRQ LPSURYHPHQWV DQG DUH QRWHG
LQ WKH GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ？ ZKHUH VXSSRUWHG ？ ） XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSUR ？
SULDWH ？ DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ？
订购零件编号的连续性
0美元“ DQG ） XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P' DQG 0 ％ 0' ？ 7R RUGHU
WKHVH SURGXFWV ？ SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ？
欲了解更多信息
3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ） XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ
PHPRU \\ VROXWLRQV ？
公开号
25628
调整
A
修订
0
发行日期
2002年1月2日
从迁移到Am29LV640DU
的MirrorBit
TM
Am29LV640MU
应用说明
介绍
注意：
本应用笔记假定用户是王法
miliar与Flash技术和硬件/软件的系统设
签收。
AMD的MirrorBit
TM
技术为客户提供了低
成本的闪存解决方案。 MirrorBit技术恩
ABLES闪存产品持有两倍
数据作为标准闪存，而不影响设备
续航能力，性能或可靠性。
AMD的MirrorBit Am29LV640MU设备引脚相容
IBLE与AMD的Am29LV640DU产品。产品
非常相似，能轻松实现。随着
改进加到Am29LV640MU ，有
这两种产品之间有一些细微的变化。这
应用笔记将重点放在这些变化和新的
性能增强功能。
迁移到的MirrorBit
Am29LV640MU产品提供在同一
0.8mm节距FBGA封装，并具有相同的引脚输出
作为AMD的Am29LV640DU产品。作为扩展到
以前的产品提供，该Am29LV640DU是
也可在1.0毫米间距加固BGA封装
年龄以支持迁移到64兆比特的MirrorBit DE-
副的Am29LV640MU 。使用现有的系统
A M 2 9 LV 6 4 0杜canmigrateto M irror B它
Am29LV640MU无需重新设计电路板。欲了解更多IN-
形成在交替的MirrorBit包，请参考
“的MirrorBit包”应用笔记，出版num-
BER 25694 。
A8
NC
A7
NC
B8
NC
B7
NC
C7
A13
C6
A9
C5
WE＃
C4
RY / BY ＃
C3
A7
D7
A12
D6
A8
D5
RESET＃
D4
加
D3
A17
D2
A4
E7
A14
E6
A10
E5
A21
E4
A18
E3
A6
E2
A2
F7
A15
F6
A11
F5
A19
F4
A20
F3
A5
F2
A1
G7
A16
G6
DQ7
G5
DQ5
G4
DQ2
G3
DQ0
G2
A0
H7
V
IO
H6
DQ14
H5
DQ12
H4
DQ10
H3
DQ8
H2
CE＃
J7
DQ15
J6
DQ13
J5
V
CC
J4
DQ11
J3
DQ9
J2
OE ＃
K7
V
SS
K6
DQ6
K5
DQ4
K4
DQ3
K3
DQ1
K2
V
SS
L8
NC *
L7
NC *
M8
NC *
M7
NC *
A2
NC *
A1
NC *
B1
C2
A3
L2
NC *
L1
M2
NC *
M1
NC *
*球是通过在衬底短接在一起，但不连接到模具上。
NC *
NC *
图1 。
细间距BGA封装（ 63球），连接图
出版＃
25628
启：
A
Amendment/0
发行日期：
2002年1月2日
A8
俄罗斯足协
A7
A13
A6
A9
A5
WE＃
A4
RY / BY ＃
A3
A7
A2
A3
A1
俄罗斯足协
B8
俄罗斯足协
B7
A12
B6
A8
B5
RESET＃
B4
加
B3
A17
B2
A4
B1
俄罗斯足协
C8
俄罗斯足协
C7
A14
C6
A10
C5
A21
C4
A18
C3
A6
C2
A2
C1
俄罗斯足协
D8
V
IO
D7
A15
D6
A11
D5
A19
D4
A20
D3
A5
D2
A1
D1
俄罗斯足协
E8
V
SS
E7
A16
E6
DQ7
E5
DQ5
E4
DQ2
E3
DQ0
E2
A0
E1
俄罗斯足协
F8
俄罗斯足协
F7
NC
F6
DQ14
F5
DQ12
F4
DQ10
F3
DQ8
F2
CE＃
F1
V
IO
G8
俄罗斯足协
G7
DQ15
G6
DQ13
G5
V
CC
G4
DQ11
G3
DQ9
G2
OE ＃
G1
俄罗斯足协
H8
俄罗斯足协
H7
V
SS
H6
DQ6
H5
DQ4
H4
DQ3
H3
DQ1
H2
V
SS
H1
俄罗斯足协
图2中。
强化BGA （1.0 mm间距）连接图
在AMD的MirrorBit设备ID更改
器件
设备标识（ ID ）在AMD的闪存设备是
可无论是通过软件命令序列或
通过高电压的硬件方法。设备ID是
aunique本身tofreadab乐datava鲁ES ， WH IC
不同的厂商和设备之间的区别
型。之间Am29LV640DU的主要区别
和MirrorBit Am29LV640MU是Am29LV640DU
而使用单字节编码器
Am29LV640MU使用一个三字节的设备代码。
表1和2示出的单之间的差
使用字节码装置和三字节的设备代码
高电压硬件方法。
对于Am29LV640DU表1的设备ID ，高压法
描述
生产厂家
ID ： AMD
设备ID ：
Am29LV640D
CE＃
L
L
OE ＃
L
L
WE＃
H
H
A21–
A15
X
X
A14–
A10
X
X
A9
V
ID
V
ID
A8–
A7
X
X
A6
L
L
A5–A2
X
X
A1
L
L
A0
L
H
DQ15–
DQ0
0001h
22D7h
注意：
V
ID
= 8.5 – 12.5 V.
2
迁移从Am29LV640DU到的MirrorBit
TM
Am29LV640MU
表2中。
描述
生产厂家
ID ： AMD
器件ID
阅读1
器件ID
阅读2
器件ID
阅读3
CE＃
L
L
L
L
OE ＃
L
L
L
L
WE＃
H
H
H
H
对于Am29LV640MU设备ID ，高压法
A21–
A10
X
X
X
X
A9
V
ID
V
ID
V
ID
V
ID
A8
X
X
X
X
A7
X
X
L
L
A6
L
L
L
L
A5–
A4
X
X
L
L
A3
X
L
H
H
A2
X
L
H
H
A1
L
L
H
H
A0
L
H
L
H
DQ15–
DQ0
0001h
227Eh
2213h
2201h
注意：
V
ID
= 8.5 – 12.5 V.
设备ID读取指令序列扩展
4到6个周期的MirrorBit设备。在DE-
数据总线的副代码只有低字节是均值
ingful 。所有三个字节的设备代码必须被读
以确定设备的类型。的代码的第一个字节
（ 7E）仅表示有两个设备ID
字节被读取。有关更详细的信息
表3中。
三字节寄存器代码参考
从单迁移
字节到三字节的设备ID “应用说明，本标准出版
阳离子数25538 。
表3和表4示出的不同的总线周期
Am29LV640DU和Am29LV640MU 。
对于Am29LV640DU设备ID命令序列
总线周期
第一次
第二
数据
AA
AA
ADDR
2AA
2AA
数据
55
55
第三
ADDR
555
555
数据
90
90
ADDR
X00
X01
第四
数据
0001
22D7
命令序列
制造商ID
器件ID
ADDR
555
555
表4 。
器件ID命令序列的Am29LV640MU
总线周期
命令
顺序
制造商ID
器件ID
第一次
ADDR
555
555
数据
AA
AA
第二
ADDR
2AA
2AA
数据
55
55
第三
ADDR
555
555
数据
90
90
第四
ADDR
X00
X01
数据
0001
227E
X0E
科幻FTH
ADDR
数据
第六
ADDR
数据
2213
X0F
2201
差异功耗
的MirrorBit Am29LV640MU设备具有更高的功率
在读操作消耗。有效的读电流
由于新的页面模式存取特性更高。
擦除/编程电流更高，因为该设备
会编程多达8位的时间，而不是传统
tional 4位。这些新功能意味着，阅读，
编程和擦除发生在更短的时间。活跃
功率较高，但在较短的时间周期。表
5之间比较耗电
Am29LV640DU和Am29LV640MU 。
迁移从Am29LV640DU到的MirrorBit
TM
Am29LV640MU
3
表5.功耗
规范
消耗电流
最初读
内页读
节目
抹去
待机
加速
节目
耗电量
随机读取
内页读
节目
抹去
64 K字节扇区擦除
加速计划（ ACC PIN）
90毫瓦
30毫瓦
150毫瓦
150毫瓦
3 W
210毫瓦
27毫瓦
不适用
78毫瓦
78毫瓦
1.2 W
87毫瓦
ACC引脚
V
CC
针
30毫安
10毫安
50毫安
50毫安
1 A
10毫安
30毫安
9毫安
不适用
26毫安
26毫安
0.4 A
5毫安
15毫安
LV640MU
LV640DU
新页面读取缓冲区和写缓冲
特点
页面读取缓冲区和页写缓冲是两个新
性能增强功能的MirrorBit产品。
页面读取缓冲功能，增加阅读perfor-
曼斯显著。该模式可提供更快的读取
存取速度用于在页面内的任意位置。该
该装置的页大小是4个字。网页设
4字边界。一个页面内的第一接入
需要用于设备90的全部随机存取时间
要根据不同的速度等级为120ns 。随后
访问保持在相同的页面地址
范围内，而片选（ CE ＃ ）保持有效，有
25至40毫微秒的减少页面访问时间。页面
读缓存是自动使用标准读AC-
正如事实。不需要特殊的指令或信号。
该系统只需要保持CE＃在整个活跃
网页模式访问，并注意减少AC-的
塞斯时间页面内剩余的访问。该
系统可以减少等待状态的数目为内
页面访问，并采取增加的优势
读取性能。
加页写缓冲双打亲
编程的吞吐量相比，目前的
Am29LV640DU设备。页写缓冲是一个
寄存器组用于保存几个单词是
被编程为一组。页写缓冲AL-
低点的系统写入到一个最大的16个字中
1编程操作。写缓冲器亲
编程命令序列是由第一令状开始
荷兰国际集团两个解锁周期。下面是写流程图
缓冲区编程。看
“的MirrorBit
TM
FL灰内存
写缓冲区编程和页面模式读取“ AP-
折叠术注意事项，公布25539 ，
更详细的IN-
形成。
能源消费量（基于下面的操作时间）
4字读
页面
随机
卜FF器
随机
10.35毫微
32.4毫微
14.16 J
307.2 J
60兆焦耳
23.52 J
不适用
9.72毫微
不适用
13.73 J
124.8兆焦耳
9.744 J
16 ， Word程序
64 K字节扇区擦除
16字加速计划
（ ACC PIN）
操作时序
最初读
内页读
1 ， Word程序
扇区擦除
1字加速计划
90纳秒
25纳秒
5.9 s
0.4 s
7 s
90纳秒
不适用
11 s
1.6 s
7 s
4
迁移从Am29LV640DU到的MirrorBit
TM
Am29LV640MU
QQ：2880707522 复制
