【数据表数据表硅晶体管2SC3585微波低噪声放大器NPN硅外延TRANSISOR描述该2SC3585】,IC型号2SC3585R45,2SC3585R45 PDF资料,2SC3585R45经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

硅晶体管

2SC3585

微波低噪声放大器

NPN硅外延TRANSISOR

描述

该2SC3585是设计用于在使用一个NPN外延硅晶体管

低噪声和VHF频段小信号放大器UHF频段。该

2SC3585具有出色的功率增益具有非常低的噪声系数。该

2SC3585采用直接钝化氮化物基面处理（ DNP

过程），这是一个NEC独有的新的制造技术，它

提供了在高电流值优异的噪声系数。这使得

优秀的相关增益和非常宽的动态范围。

包装尺寸

（单位：毫米）

2.8±0.2

0.4

0.05

+0.1

1.5

0.65

0.15

+0.1

0.95

特点

NF -

嘎

1.8分贝TYP 。

9分贝TYP 。

@f = 2.0 GHz的

2.9±0.2

2

绝对最大额定值（T

A

= 25

C)

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T

j

T

英镑

20

10

1.5

35

200

150

65 150

V

mA

mW

C

0.3

1.1至1.4

记号

引脚连接

1.发射器

2.基

3.收集

电气特性（T

A

= 25

C)

特征

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

反馈电容

插入功率增益

最大可用增益

噪声系数

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

*

f

T

C

re

**

50

100

10

0.3

6.0

8.0

10

1.8

3.0

0.8

分钟。

典型值。

马克斯。

1.0

250

GHz的

pF

dB

单位

测试条件

V

CB

= 10 V，I

E

= 0

V

EB

= 1 V，I

C

= 0

V

CE

= 6 V，I

C

= 10毫安

V

CE

= 6 V，I

C

= 10毫安

V

CB

= 10 V，I

E

= 0中，f = 1.0兆赫

V

CE

= 6 V，I

C

= 10 mA时， F = 2.0 GHz的

V

CE

= 6 V，I

C

= 10 mA时， F = 2.0 GHz的

V

CE

= 6 V，I

C

= 5毫安， F = 2.0 GHz的

A

S

21e

2

MAG

NF

*脉冲测量PW

350

S，占空比

2 %

**的发射端和外壳应连接到三端电容桥的gurad终端。

h

FE

分类

类

记号

h

FE

R43 / Q *

R43

50至100

R44/R *

R44

80至160

R45 / S *

R45

125至250

*旧规格/新规范

一号文件P10361EJ4V1DS00 （第4版）

发布日期1997年三月

日本印刷

0-0.1

0.16

0.06

+0.1

0.4

0.05

+0.1

1

3

1984

2SC3585

典型特征（T

A

= 25

C)

总功耗对比

环境温度

3

P

T

- 总功率耗散-W

自由的空气

C

re

-Feed回电容pF的

200

F = 1.0 MHz的

2

反馈电容与

集电极 - 基极电压

1

0.7

0.5

0.3

0.2

100

0

50

100

150

0.1

1

T

A

- 环境温度 - ℃，

2

3

5

7

10

V

CB

-collector基极电压-V

插入增益与

集电极电流

10

V

CE

= 6 V

8

V

CE

= 6 V

F = 2.0 GHz的

|S

21e

|

2

-Insertion增益分贝

20

30

直流电流增益主场迎战

集电极电流

200

100

h

FE

-DC电流增益

6

50

4

20

2

10

0.5

1

5

10

50

I

C

-collector电流毫安

增益带宽积主场迎战

集电极电流

30

V

CE

= 6 V

f

T

- 获得带宽积兆赫

20

MAG-最大可用增益分贝

|S

21e

|

2

-Insertion增益-dB

0

1

2

3

5

7

10

I

C

-collector电流毫安

20

30

插入增益，最大可用

增益与频率

20

V

CE

= 6 V

I

C

= 10毫安

16

MAG

|S

21e

|

2

12

10

7

5

3

2

8

4

1

2

3

5

7

10

I

C

-collector电流毫安

20

30

0

0.1

0.2

0.3

0.5 7.0 1.0

F-频率GHz的

2.0 3.0

2

2SC3585

噪声系数与

集电极电流

7

6

NF-噪声系数分贝

5

4

3

2

1

0

0.5

V

CE

= 6 V

F = 2.0 GHz的

1

5

10

50 70

I

C

-collector电流毫安

S参数

V

CE

= 6.0 V，I

C

= 3.0毫安，Z

O

= 50

F（兆赫）

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

2000

S

11

0.858

0.724

0.580

0.457

0.362

0.304

0.232

0.179

0.147

0.108

S

11

23.1

40.6

51.1

58.9

65.6

73.1

82.2

84.9

88.2

104.1

S

21

8.499

6.923

5.951

4.615

4.134

3.412

3.180

2.763

2.726

2.378

S

21

153.3

131.6

118.4

104.9

98.0

88.9

82.0

75.7

70.5

64.9

S

12

0.030

0.060

0.080

0.099

0.106

0.129

0.148

0.154

0.188

0.197

S

12

46.5

58.7

60.3

60.2

61.2

61.1

60.1

59.5

58.7

56.8

S

22

0.905

0.826

0.749

0.666

0.614

0.574

0.542

0.514

0.483

0.455

S

22

13.5

21.2

27.0

28.6

30.1

30.0

31.7

35.2

40.1

42.6

V

CE

= 6.0 V，I

C

= 10.0毫安，Z

O

= 50

F（兆赫）

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

2000

S

11

0.613

0.406

0.285

0.214

0.156

0.130

0.105

0.065

0.042

0.018

S

11

37.0

53.6

56.0

57.6

58.1

54.2

56.5

55.0

48.9

65.6

S

21

16.141

10.096

7.640

5.564

4.787

3.876

3.573

3.058

2.997

2.590

S

21

133.9

111.5

101.4

90.7

86.0

79.3

74.0

69.4

65.3

60.7

S

12

0.021

0.053

0.064

0.089

0.095

0.119

0.141

0.158

0.178

0.202

S

12

52.5

70.6

73.0

71.7

70.6

70.3

68.3

68.9

66.5

66.2

S

22

0.781

0.651

0.590

0.548

0.526

0.506

0.489

0.470

0.439

0.426

S

22

19.4

22.4

24.0

22.8

23.3

22.1

24.8

27.9

31.4

36.5

3

2SC3585

S参数

S

11e

, S

22e

- 频率条件

V

CE

= 6 V

200 MHz的步骤

8

0.0 2

0.4

0.9

1.0

0.8

1.2

9

0.0

1

0.4

0.10

0.40

0.11

0.39

100

0.12

0.38

0.13

0.37

90

0.14

0.36

80

110

0.7

0.15

0.35

70

1.4

0.1

6

0.3

4

0.6

0.

0. 06

44

0.

5

07

43

0.

0

13

1. 8

0.2

1.6

1

20

6

00

0.1

0.3

7

3

0 .0

0.4

5

POS

14

ITIV

0

ER

EA

CT

+

A

- JX

的nCE

Z

O

––

CO

M

PO

N

T

EN

0.4

2.0

0.

1

0. 8

32

50

19

0.

31

0.

0

0.2 0

40

0.3

WAVELE

NGTH

S

0.02

往

0.0

基因

0.48

47

3

RA

0.

W

屈曲

系数可

0.4

0.0

器

6

IN

DE

7

.03

THS

TO

GLE

OF

RE

0

NG

4

GRE

0.4

0

AN

E

0.4

ES

0

04

VEL

16

6

0.

WA

15

0

)

(

0

1.

0.01

0.49

2.0 GHz的

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

3.0

4.0

5.0

10

20

电抗分量

R

––––

0.2

Z

O

0

0.49

0.48

0.01

0.02

RD

负载

A

0.1

0.4

I

C

= 3毫安

T

NEN

PO

OM

EC

NC

TA

X –

AC

J –

O

RE

––Z

E

IV

AT

0.6

0

0.2

0.

8

0

5

1

0.3

(

5

0.4

5

0.0

40

1

0.

4

44

0.

06

0.

5

0.7

0.8

0.9

1.2

1.4

1.0

S

21e

- 频率条件

90°

120°

V

CE

= 6 V

S

12e

- 频率

60°

120°

I

C

= 10毫安

0.2 GHz的

150°

I

C

= 3毫安

I

C

= 10毫安

S

21e

1.0 GHz的

30°

150°

S

12e

I

C

= 3毫安

30°

180°

2.0 GHz的

0.2 GHz的1.0 GHz的

2.0 GHz的

0

4

8

12

16

0° 180°

20

150°

30°

150°

120°

90°

60°

120°

90°

4

0.

4

0.3

6

3

0.1

0.3

7

0.1

60

32

18

0.

0

0.6

1.6

1.8

2.0

3.

0

S

11e

5

4.0

)

0.35

0.15

70

0.36

0.14

80

1.0

1.

0.2 GHz的

10

2.0

GH

S

22e

0.2 GHz的

20

z

50

(

)

I

C

= 10毫安

5.0

0.8

0.6

0.37

0.13

0.4

0.2

90

0.38

0.12

0.39

0.11

1

00

0.40

0.10

11

0

.09

0.4

1

0.4

0.0

2

20

8

NE

G

1

0.

4

0.

3

07

30

0.

4

0.6

3.

0.8

0

1

0.2

9

0.2

30

0.3

4.0

0

1.

6.0

0.24

0.23

0.26

2

0.2

0.27

8

10

0.2

20

0.2

10

0.1

20

50

0.25

S

22e

0

0.26

0.27

0.24

0.2

0.23

8

0.2

10

0.2

2

9

20

0.2

1

3

0

.3

0.2

0

0.

3

4

0.1

1

0

9

条件

90°

V

CE

= 6 V

60°

2.0 GHz的

0.2 GHz的

0

0°

0.04 0.08 0.12 0.16 0.20

30°

60°

2SC3585

[备忘录]

5