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2SA1194(K)
PNP硅外延
ADE - 208-854 ( Z)
1日。版
2000年9月
应用
高增益放大器
概要
TO- 126 MOD
2
3
1.发射器
2.收集
3. BASE
1
2
3
1
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C(峰值)
P
C
P
C
*
1
结温
储存温度
注意:
1.价值在T
C
= 25°C
Tj
TSTG
等级
–60
–60
–7
–1
–2
1
8
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
2SA1194(K)
电气特性
( TA = 25°C )
符号
–60
1000
典型值
0.7
0.8
最大
–1.0
–1.0
–2.0
–2.0
V
V
s
s
I
C
= -500毫安
I
B1
= –I
B2
= -1毫安
单位
V
A
A
测试条件
I
C
= -1毫安,R
BE
=
V
CB
= -60 V,I
E
= 0
V
EB
= -7 V,I
C
= 0
V
CE
= -3 V,I
C
= -500毫安*
1
I
C
= -500毫安,我
B
= -1毫安*
1
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
关闭时间
注意:
1.脉冲测试
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
t
on
t
关闭
最大集电极耗散曲线
12
集电极耗散功率PC( W)
–10
–3 i
C(峰值)
–1.0
–0.3
–0.1
–0.03
安全工作区
=
PW
1m
集电极电流I
C
(A)
8
I
C(最大值)
PW = 10毫秒( 1次射门)
D
(T C 0
C
= PE
25鼠
°
碳离子
)
s (1
t)
4
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
TA = 25°C
–0.01
–0.1 –0.3 –1.0
–3
–10 –30 –100
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
2SA1194(K)
典型的输出特性
P
c
=
.0
–0.8
8W
–1
.6
T
C
= 25°C
–0
4
–0.
–0.2
–0.1
–0.08
–0.06
–0.04
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
100,000
直流电流传输比H
FE
30,000
10,000
3,000
1,000
300
100
–10
V
CE
= –3 V
脉冲
TA = 75℃
25°C
–1,000
集电极电流I
C
(MA )
–800
–600
–400
–0.02
–200
-0.01毫安
–0.01
0
I
B
= 0
–2
–4
–6
–8
–10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
–30
–100
–300
集电极电流I
C
(MA )
–1,000
饱和电压与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
基地发射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
–10
l
C
= 500 l
B
脉冲
–3
TA = 25°C
–1.0
V
CE (SAT)
–0.3
75°C
V
BE (SAT)
开关时间t(微秒)
10
3
1.0
开关时间与集电极电流
t
关闭
t
英镑
t
on
t
d
0.3
0.1
0.03
–0.1
–10
–30
–100
–300
集电极电流I
C
(MA )
–1,000
0.01
–10
I
C
= 500 I
B
TA = 25°C
–30
–100
–300
集电极电流I
C
(MA )
–1,000
开关时间测试电路
I
C
V
IN
R
1
t
r
, t
f
10ns
V
IN
PW
10s
占空比
10%
l
B1
l
B2
0
D.U.T.
R
L
+
V
CC
t
d
t
on
输入
–10 V
0
产量
响应波形
10%
90%
t
英镑
10%
90%
t
关闭
R
2
0.002
0.002
50
V
BB
6V
+
10%
90%
50
50
3
2SA1194(K)
包装尺寸
单位:mm
8.0
±
0.5
0
°
12
φ
3.1
+0.15
–0.1
3.7
±
0.7
11.0
±
0.5
2.7
±
0.4
12
0
°
2.3
±
0.3
120°
1.1
15.6
±
0.5
0.8
2.29
±
0.5
2.29
±
0.5
0.55
1.2
日立代码
JEDEC
EIAJ
质谱(参考值)
TO- 126 MOD
0.67 g
4
2SA1194(K)
注意事项
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使用该产品,要求特别高的应用程序之前,请联系日立的销售办事处
质量和可靠性或者它的失效或故障可能直接威胁人的生命或造成危险
人身伤害,如航天,航空,核电,燃烧控制,运输,
交通,安全设备,或用于生命支持医疗器械。
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对于最大额定值,工作电源电压范围,热辐射等特性,安装
条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时
超越了保障范围。即使在保障范围内,考虑通常预期
失败率或半导体器件的失效模式,并采用系统性的措施,如故障 -
保险柜,使结合日立产品的设备不会造成人身伤害,火灾或其它
间接损失是由于日立产品的操作。
5,本产品不设计成抗辐射。
6.没有一种是允许复制或重复的,任何形式的,该文献的全部或部分,而不
书面批准日立。
7.联系方式日立的销售办事处对本文档或Hitachi半导体任何问题
产品。
株式会社日立制作所
半导体&集成电路。
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100-0004 ,日本
联系电话:东京( 03 ) 3270-2111传真: ( 03 ) 3270-5109
网址
北美洲
欧洲
亚洲
日本
:
:
:
:
http://semiconductor.hitachi.com/
http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg
http://sicapac.hitachi-asia.com
http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htm
日立亚洲有限公司
日立塔
16哥烈码头# 20-00 ,
新加坡049318
联系电话: <65>-538-6533 / 538-8577
传真: <65>-538-6933 / 538-3877
网址: http://www.hitachi.com.sg
日立亚洲有限公司
(台北分公司)
4 /楼167号,敦化北路,
洪郭栋
台北( 105 ),台湾
联系电话: <886>- ( 2 ) -2718-3666
传真: <886>- ( 2 ) -2718-8180
电传: 23222 HAS -TP
网址: http://www.hitachi.com.tw
日立亚洲(香港)有限公司
第三组(电子元器件)
7 / F。 ,北塔,
环球金融中心
海港城,广东道
尖沙咀,九龙,
香港
联系电话: <852>- ( 2 ) -735-9218
传真: <852>- ( 2 ) -730-0281
网址: http://www.hitachi.com.hk
欲了解更多信息,写信至:
日立半导体
(美国)有限公司
179东塔斯曼驱动器,
圣何塞, CA 95134
联系电话: <1> ( 408 ) 433-1990
传真: <1> ( 408 ) 433-0223
日立欧洲公司
电子元件组
Dornacher大街3
D- 85622克恩,慕尼黑
德国
联系电话: <49> ( 89 ) 9 9180-0
传真: <49> ( 89 ) 9 29 30 00
日立欧洲公司
电子元件组。
Whitebrook公园
较低的Cookham路
梅登黑德
伯克希尔SL6 8YA ,英国
联系电话: <44> ( 1628 ) 585000
传真: <44> ( 1628 ) 585160
版权
株式会社日立制作所,2000。保留所有权利。日本印刷。
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