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晶体管
2SC3315
NPN硅外延平面型
用于高频放大
单位：mm
4.0±0.2
3.0±0.2
0.7±0.1
s
特点
q
q
q
q
最适合高密度安装。
让供应与径向录音。
最适合的FM / AM收音机射频放大。
高转换频率f
T
.
记号
+0.2
0.45–0.1
15.6±0.5
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
30
20
3
15
300
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
1
2
3
1.27 1.27
2.54±0.15
EIAJ ：SC- 72
新的S型套餐
s
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
基地发射极电压
共发射极反向传输电容
跃迁频率
噪声系数
功率增益
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
EBO
h
FE *
V
BE
C
re
f
T
NF
PG
条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 6V ，我
E
= -1mA
V
CB
= 6V ，我
E
= -1mA
V
CE
= 6V ，我
C
= 1mA时， F = 10.7MHz的
V
CB
= 6V ，我
E
= -1mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 6V ，我
E
= -1mA ， F = 100MHz的
V
CB
= 6V ，我
E
= -1mA ， F = 100MHz的
20
450
民
30
3
65
720
0.8
650
3.3
24
5.0
1.0
260
mV
pF
兆赫
dB
dB
典型值
最大
单位
V
V
*
h
FE
等级分类
C
65 ~ 160
D
100 ~ 260
h
FE
秩
2.0±0.2
1
晶体管
P
C
- TA
500
240
Ta=25C
200
25
25C
Ta=75C
20
2SC3315
I
C
— V
CE
30
V
CE
=6V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
160
I
B
=100A
120
80A
60A
40A
40
20A
300
集电极电流I
C
（MA ）
400
–25C
15
200
80
10
100
5
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
30
10
3
1
0.3
25C
0.1
–25C
0.03
0.01
0.1
I
C
/I
B
=10
300
h
FE
— I
C
V
CE
=6V
1600
1400
1200
1000
f
T
— I
E
正向电流传输比H
FE
250
200
Ta=75C
25C
100
–25C
过渡频率f
T
（兆赫）
V
CE
=10V
800
6V
600
400
200
150
Ta=75C
50
0.3
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
共发射极反向传输电容C
re
（PF ）
2.5
2.4
C
re
— V
CE
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
I
C
=1mA
f=10.7MHz
Ta=25C
30
f=100MHz
R
g
=50
Ta=25C
PG - 我
E
V
CE
=10V
6V
集电极输出电容C
ob
（PF ）
2.0
2.0
25
1.6
功率增益PG （分贝）
0.3
1
3
10
30
100
20
1.5
1.2
15
1.0
0.8
10
0.5
0.4
5
0
1
3
10
30
100
0
0.1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
发射极电流I
E
（MA ）
2
晶体管
NF - 我
E
12
f=100MHz
R
g
=50k
Ta=25C
2SC3315
10
噪声系数NF （ dB）的
8
6
4
2
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
发射极电流I
E
（MA ）
3
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