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功率晶体管
2SA0885
(2SA885)
PNP硅外延平面型
单位:mm
对于低频功率放大
补充2SC1846
I
特点
可以由一对互补与得到的3 W输出
2SC1846
TO- 126B封装,无需保温板功能的安装
灰到散热器
φ
3.16
±0.1
8.0
+0.5
–0.1
3.2
±0.2
3.8
±0.3
11.0
±0.5
1.9
±0.1
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
45
35
5
1.5
1
1.2
*1
5
结温
储存温度
*2
0.75
±0.1
0.5
±0.1
0.5
±0.1
1.76
±0.1
2.3
±0.2
3
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
4.6
±0.2
16.0
±1.0
1
2
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
TO- 126B封装
150
55
to
+150
注)* 1 :不带散热片
* 2 :使用100
×
100
×
2毫米A1散热器
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
正向电流传输比
I
EBO
V
CBO
V
首席执行官
h
FE1 *
h
FE2
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
注) *:等级分类
h
FE1
Q
85至170
R
120至240
S
170至340
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
=
20
V,I
E
= 0
V
CE
=
20
V,I
B
= 0
V
EB
=
5V,
I
C
= 0
I
C
=
10 A,
I
E
= 0
I
C
=
2
妈,我
B
= 0
V
CE
=
10
V,I
C
=
500
mA
V
CE
=
5
V,I
C
=
1
A
I
C
=
500
妈,我
B
=
50
mA
V
CB
=
10
V,I
E
= 50 mA时, F = 200 MHz的
V
CB
=
10
V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
200
20
30
45
35
85
50
0.5
V
兆赫
pF
340
典型值
最大
0.1
100
10
单位
A
A
A
V
V
注)括号中的部分数字显示传统的零件编号。
3.05
±0.1
1
2SA0885
P
C
T
a
6
功率晶体管
I
C
V
CE
–1.5
T
C
=25C
–1.25
I
B
=–10mA
–9mA
–8mA
–7mA
–6mA
–0.75
–5mA
–0.5
–4mA
–3mA
–0.25
–2mA
–1mA
–1.0
–1.2
V
CE
=–10V
T
C
=25C
I
C
I
B
集电极耗散功率P
C
(W)
5
(1)在一个100 ×100× 2毫米
铝散热器
(2)不带散热片
4
(1)
3
–1.0
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(A)
–0.8
–0.6
2
(2)
–0.4
1
–0.2
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
环境温度T
a
(C)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(MA )
V
CE ( SAT )
I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–10
V
BE ( SAT )
I
C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=10
–10
I
C
/I
B
=10
1000
h
FE
I
C
V
CE
=–10V
T
C
=100C
300
25C
–3
–3
正向电流传输比H
FE
–1
–1
T
C
=–25C
100C
100
–25C
–0.3
25C
–0.1
T
C
=100C
–25C
–0.3
25C
30
–0.1
10
–0.03
–0.03
3
–0.01
–0.01
–0.03
–0.1
–0.3
–1
–0.01
–0.01
–0.03
–0.1
–0.3
–1
1
–0.01
–0.03
–0.1
–0.3
–1
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
I
E
200
50
C
ob
V
CB
–100
V
CER
R
BE
集电极到发射极电压V
CER
(V)
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
I
C
=–10mA
T
C
=25C
集电极输出电容C
ob
(PF )
过渡频率f
T
(兆赫)
V
CB
=–10V
180 F = 200MHz的
T
C
=25C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
3
10
30
100
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
–1
–80
–60
–40
–20
–3
–10
–30
–100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
发射极电流I
E
(MA )
集电极基极电压V
CB
(V)
基极 - 射极电阻R
BE
(k)
2
功率晶体管
I
首席执行官
T
a
10
4
V
CE
=–10V
–10
–3
I
CP
10
3
2SA0885
安全操作区( ASO )
单脉冲
T
C
=25C
集电极电流I
C
(A)
–1
–0.3
I
C
t=10ms
t=1s
I
首席执行官
(T
a
)
I
首席执行官
(T
a
=25C)
10
2
–0.1
–0.03
–0.01
–0.003
10
1
0
20
40
60
80 100 120 140 160
–0.001
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
环境温度T
a
(C)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
(3)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 4 )在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
产品。
( 6 )使用了该干的包装要求的产品,观察条件(包括保质期
及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
( 7 )本资料的任何部分,未经书面许可,不得转载或复制任何手段
从我们公司。
使用数据表之前,请仔细阅读下面的注意事项
A.这些材料的目的是作为参考,以帮助客户松下的选择
半导体产品最适合他们的应用程序。
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建议客户联系我们的半导体销售办事处,并获得最新信息
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总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此,
松下将不承担任何错误等,可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,
销售或分发该材料给第三方,通过互联网或以任何其他方式,是禁止的。
2001年MAR
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    2SA0885R
    -
    -
    -
    -
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联系人:刘先生
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