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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3296
描述
·带
TO- 220Fa包
ùWide
安全工作区
.Complement
键入2SA1304
应用
“权力
扩增fi er应用
垂直
输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25℃
开基
集电极开路
OR
CT
U
价值
150
150
5
1.5
0.5
2
单位
V
V
V
A
A
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
20
150
-55~150
W
T
j
T
英镑
结温
储存温度
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC3296
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，我
B
=0
150
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
1.5
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
0.85
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 120V ;我
E
=0
10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
10
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
40
140
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
f
T
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
OR
CT
U
4
35
pF
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3296
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
OR
CT
U
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3296
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
4
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3296
描述
·带
TO- 220Fa包
ùWide
安全工作区
.Complement
键入2SA1304
应用
“权力
扩增fi er应用
垂直
输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
20
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
150
150
5
1.5
0.5
2
W
单位
V
V
V
A
A
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC3296
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，我
B
=0
150
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
1.5
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
0.85
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 120V ;我
E
=0
10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
10
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
40
140
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
35
pF
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
4
兆赫
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3296
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3296
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3296
描述
·带
TO- 220Fa包
ùWide
安全工作区
.Complement
键入2SA1304
应用
“权力
扩增fi er应用
垂直
输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
20
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
150
150
5
1.5
0.5
2
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC3296
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，我
B
=0
150
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
1.5
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
0.85
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 120V ;我
E
=0
10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
10
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
40
140
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
35
pF
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
4
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3296
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3296
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3296
描述
·采用TO- 220Fa包
·安全运行的广域
·补键入2SA1304
应用
·功率放大器应用
·垂直输出应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
20
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
150
150
5
1.5
0.5
2
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
V
CB
= 120V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
40
民
150
2SC3296
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
典型值。
最大
单位
V
1.5
0.85
10
10
140
35
4
V
V
A
A
pF
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3296
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3296
4
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2SC3494C
2-796642-1
28C64A-15I/L
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204-10UBGC-S400-A6
2N2854
2518B-030
258657
2SC1473Q
250B15F501A2NA
250U15B102A1NB
20EJS8
2SD1903S
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27C16A-20IP
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