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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB856
描述
·采用TO- 220封装
·低集电极饱和电压
应用
·低频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-50
-50
-4
-3
25
150
-45~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿votage
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -50mA ;
BE
=6
I
C
= -5mA ;我
E
=0
I
E
= -5mA ;我
C
=0
I
C
= -2 A ，我
B
=-0.2 A
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
V
CB
= -20V ;我
E
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-4V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-4V
35
35
35
民
-50
-50
-4
典型值。
2SB856
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
最大
单位
V
V
V
-1.2
-1.5
-100
200
V
V
A
兆赫
h
FE-1
分类
A
35-70
B
60-120
C
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB856
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB856
描述
-collector
电流：I
C
= -3A
ULOW
集电极饱和电压
: V
CE （ SAT ）
= -1.2V(Max)@I
C
= -2A
高
集电极耗散功率
应用
·设计
低频功率放大器的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
-50
V
-50
V
-4
V
-3
A
25
W
150
℃
I
C
集电极电流连续
总功耗
@ T
C
=25℃
P
C
T
J
结温
T
英镑
存储温度范围
-45~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
I
C
= -50mA ;
BE
=
∞
民
典型值。
2SB856
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
-50
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -5mA ;我
E
= 0
-50
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -5mA ;我
C
= 0
-4
V
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2A ;我
B
= -0.2A
B
-1.2
V
基射极电压上
I
C
= -1A ; V
CE
= -4V
-1.5
V
μA
收藏家Cuto FF电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
h
FE-1
分类
A
35-70
B
60-120
w
C
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
CB
= -20V ;我
E
= 0
I
C
= -1A ; V
CE
= -4V
35
I
C
= -0.1A ; V
CE
= -4V
35
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -4V
-100
200
35
兆赫
100-200
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB856
描述
-collector
电流：I
C
= -3A
ULOW
集电极饱和电压
: V
CE （ SAT ）
= -1.2V(Max)@I
C
= -2A
高
集电极耗散功率
应用
·设计
低频功率放大器的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
-50
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
-50
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
-4
V
I
C
集电极电流连续
总功耗
@ T
C
=25℃
-3
A
P
C
25
W
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-45~150
℃
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
I
C
= -50mA ;
BE
=
∞
民
典型值。
2SB856
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
-50
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -5mA ;我
E
= 0
-50
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -5mA ;我
C
= 0
-4
V
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2A ;我
B
= -0.2A
B
-1.2
V
基射极电压上
I
C
= -1A ; V
CE
= -4V
-1.5
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -20V ;我
E
= 0
-100
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
= -4V
35
200
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -0.1A ; V
CE
= -4V
35
f
T
电流增益带宽积
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -4V
35
兆赫
h
FE-1
分类
A
35-70
B
60-120
C
100-200
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推荐型号
2082-6024-30
20GL2C41A
2N890
22-03-1112
2SC4159D
20021321-00010T4LF
2-5-1D
2SC3494C
2-796642-1
28C64A-15I/L
204-10UBGC-S400-A6
2N2854
2518B-030
258657
2SC1473Q
250B15F501A2NA
2SC3296
250U15B102A1NB
20EJS8
2SD1903S
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    2SB856
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    -
    -
    终端采购配单精选

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2SB856
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2SB856
TOS
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HIT
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