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2SC3266
东芝晶体管NPN硅外延式( PCT程序)
2SC3266
功率放大器的应用
电源开关应用
·
·
低饱和电压: V
CE (SAT)
= 0.5 V (最大值) (我
C
= 2 A)
补充2SA1296
单位:mm
最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
20
20
6
2
0.5
750
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
TO-92
SC-43
2-5F1B
电气特性
(大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
h
FE (1)
直流电流增益
(注)
h
FE (2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE (SAT)
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
20 V,I
E
=
0
V
EB
=
6 V,I
C
=
0
I
C
=
10毫安,我
B
=
0
I
E
=
0.1毫安,我
C
=
0
V
CE
=
2 V,I
C
=
0.1 A
V
CE
=
2 V,I
C
=
2 A
I
C
=
2 A,I
B
=
0.1 A
V
CE
=
2 V,I
C
=
0.1 A
V
CE
=
2 V,I
C
=
0.5 A
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
重量:0.33克(典型值)
20
6
120
75
典型值。
120
30
最大
0.1
0.1
700
0.5
0.85
单位
mA
mA
V
V
V
V
兆赫
pF
注:H
FE (1)
分类
Y: 120 240 , GR : 200 400 , BL : 350 700
1
2003-03-25
2SC3266
2
2003-03-25
2SC3266
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
3
2003-03-25
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