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2MBI 75S -120
IGBT模块( S系列)
I
特点
NPT-技术
在10 ×1平方SC SOA
C
高短路耐受-能力
关断的温度依赖性小
开关损耗
低损耗和软交换
2件组IGBT
1200V
2x75A
I
外形绘图
I
应用
高功率开关
交流电机控制
直流电动机的控制
不间断电源
I
最大额定值和特性
绝对最大额定值
集电极 - 发射极电压
门发射极电压
连续
集热器
1ms
当前
连续
1ms
马克斯。功耗
工作温度
储存温度
隔离电压
交流1分钟。
*
1
螺杆转矩
( T
c
=25°C
)
符号
V
CES
V
GES
I
C
25°C / 80°C
I
-C脉冲
25°C / 80°C
-I
C
-I
-C脉冲
P
C
T
j
T
英镑
V
is
安装*
端子*
2
(在T
j
=25°C )
符号
2
I
等效电路
单位
V
评级
1200
±
20
100 / 75
200 / 150
75
150
600
+150
-40
+125
2500
3.5
3.5
A
W
°C
V
Nm
注意:
* 1 :所有的端子应连接在一起时,隔离测试将完成。
* 2 :值得推荐值; 2.5
3.5牛米( M5 )
电气特性
零栅极电压集电极电流
栅极 - 射极电流Leackage
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
C
IES
C
OES
C
水库
t
ON
t
R,X
t
R,I
t
关闭
t
f
V
F
t
rr
打开-O FF时间
二极管正向导通电压
反向恢复时间
测试条件
V
GE
=0V V
CE
=1200V
V
CE
=0V V
GE
=± 20V
V
GE
= 20V我
C
=75mA
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V我
C
=75A
T
j
=125°C
V
GE
=0V
V
CE
=10V
f=1MHz
V
CC
= 600V
I
C
= 75A
V
GE
=
±15V
R
G
= 16
感性负载
I
F
= 75A ; V
GE
=0V
I
F
=75A
T
j
= 25°C
T
j
=125°C
分钟。
典型值。
5.5
7.2
2.3
2.8
9’000
1’875
1’650
0.35
0.25
0.10
0.45
0.08
2.3
2.0
马克斯。
1.0
200
8.5
2.6
单位
mA
nA
V
pF
1.2
0.6
1.0
0.3
3.0
350
s
V
ns
热特性
热阻
符号
测试条件
IGBT
二极管
随着热复合
分钟。
典型值。
R
日(J -C )
R
日(J -C )
R
TH( C-F )
马克斯。
0.21
0.47
单位
° C / W
0.05
2MBI 75S -120
2件组IGBT
1200V
2x75A
2MBI 75S -120
2件组IGBT
1200V
2x75A
2MBI 75S -120
2件组IGBT
1200V
2x75A
规格如有变更,恕不另行通知
2000年9月
2MBI 75S -120
IGBT模块( S系列)
I
特点
NPT-技术
在10 ×1平方SC SOA
C
高短路耐受-能力
关断的温度依赖性小
开关损耗
低损耗和软交换
2件组IGBT
1200V
2x75A
I
外形绘图
I
应用
高功率开关
交流电机控制
直流电动机的控制
不间断电源
I
最大额定值和特性
绝对最大额定值
集电极 - 发射极电压
门发射极电压
连续
集热器
1ms
当前
连续
1ms
马克斯。功耗
工作温度
储存温度
隔离电压
交流1分钟。
*
1
螺杆转矩
( T
c
=25°C
)
符号
V
CES
V
GES
I
C
25°C / 80°C
I
-C脉冲
25°C / 80°C
-I
C
-I
-C脉冲
P
C
T
j
T
英镑
V
is
安装*
端子*
2
(在T
j
=25°C )
符号
2
I
等效电路
单位
V
评级
1200
±
20
100 / 75
200 / 150
75
150
600
+150
-40
+125
2500
3.5
3.5
A
W
°C
V
Nm
注意:
* 1 :所有的端子应连接在一起时,隔离测试将完成。
* 2 :值得推荐值; 2.5
3.5牛米( M5 )
电气特性
零栅极电压集电极电流
栅极 - 射极电流Leackage
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
C
IES
C
OES
C
水库
t
ON
t
R,X
t
R,I
t
关闭
t
f
V
F
t
rr
打开-O FF时间
二极管正向导通电压
反向恢复时间
测试条件
V
GE
=0V V
CE
=1200V
V
CE
=0V V
GE
=± 20V
V
GE
= 20V我
C
=75mA
T
j
= 25°C
V
GE
= 15V我
C
=75A
T
j
=125°C
V
GE
=0V
V
CE
=10V
f=1MHz
V
CC
= 600V
I
C
= 75A
V
GE
=
±15V
R
G
= 16
感性负载
I
F
= 75A ; V
GE
=0V
I
F
=75A
T
j
= 25°C
T
j
=125°C
分钟。
典型值。
5.5
7.2
2.3
2.8
9’000
1’875
1’650
0.35
0.25
0.10
0.45
0.08
2.3
2.0
马克斯。
1.0
200
8.5
2.6
单位
mA
nA
V
pF
1.2
0.6
1.0
0.3
3.0
350
s
V
ns
热特性
热阻
符号
测试条件
IGBT
二极管
随着热复合
分钟。
典型值。
R
日(J -C )
R
日(J -C )
R
TH( C-F )
马克斯。
0.21
0.47
单位
° C / W
0.05
2MBI 75S -120
2件组IGBT
1200V
2x75A
2MBI 75S -120
2件组IGBT
1200V
2x75A
2MBI 75S -120
2件组IGBT
1200V
2x75A
规格如有变更,恕不另行通知
2000年9月
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2MBI75S
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2MBI75S
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