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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3012
描述
·采用TO- 3PN封装
·补键入2SA1232
·高转换频率
应用
·音频功放。
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
130
130
5
10
15
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 130V ;我
E
=0
V
EB
= 3V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
60
40
2SC3012
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
典型值。
0.6
1.3
最大
1.5
2.0
50
50
320
单位
V
V
A
A
150
60
pF
兆赫
h
FE-1
分类
R
60-120
Q
100-200
P
160-320
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3012
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3012
描述
·采用TO- 3PN封装
·补键入2SA1232
·高转换频率
应用
·音频功放。
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
130
130
5
10
15
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 130V ;我
E
=0
V
EB
= 3V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
60
40
2SC3012
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
典型值。
0.6
1.3
最大
1.5
2.0
50
50
320
单位
V
V
A
A
150
60
pF
兆赫
h
FE-1
分类
R
60-120
Q
100-200
P
160-320
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3012
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3012
描述
·带
TO- 3PFa包
.Complement
键入2SA1232
跃迁频率
应用
·音频
高频功率放大器。
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
130
130
5
10
15
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SC3012
典型值。
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
0.6
1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
1.3
2.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 130V ;我
E
=0
50
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 3V ;我
C
=0
50
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
60
320
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
40
C
ob
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
150
pF
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
60
兆赫
h
FE-1
分类
R
60-120
Q
100-200
P
160-320
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3012
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.30毫米)
3
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