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JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1184
描述
·带
TO- 126封装
高
击穿电压
应用
·音频
频功率放大器
高
频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25℃
P
D
总功耗
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
15
150
-55½+150
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-120
-120
-5
-1
-0.1
1.5
W
单位
V
V
V
A
A
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SA1184
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ;我
B
=0
-120
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -10μA ;我
C
=0
-5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -500mA ;我
B
=-50mA
-1.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= -500mA ; V
CE
=-5V
-1.0
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -120V ;我
E
=0
-1
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-1
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -100mA ; V
CE
=-5V
80
240
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.1A ; V
CE
=5V
120
兆赫
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1184
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1184
描述
·采用TO- 126封装
·高击穿电压
应用
·音频功放
·高频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25
P
D
总功耗
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
15
150
-55 +150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-120
-120
-5
-1
-0.1
1.5
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2SA1184
符号
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ;我
B
=0
-120
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -10μA ;我
C
=0
-5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -500mA ;我
B
=-50mA
-1.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= -500mA ; V
CE
=-5V
-1.0
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -120V ;我
E
=0
-1
A
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-1
A
h
FE
直流电流增益
I
C
= -100mA ; V
CE
=-5V
80
240
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.1A ; V
CE
=5V
120
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1184
图2外形尺寸
3
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1184
描述
·带
TO- 126封装
高
击穿电压
应用
·音频
频功率放大器
高
频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-120
-120
-5
-1
-0.1
1.5
单位
V
V
V
A
A
P
D
总功耗
T
C
=25℃
15
150
-55½+150
W
T
j
T
英镑
结温
储存温度
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SA1184
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ;我
B
=0
-120
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -10μA ;我
C
=0
-5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -500mA ;我
B
=-50mA
B
-1.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= -500mA ; V
CE
=-5V
-1.0
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -120V ;我
E
=0
-1
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-1
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -100mA ; V
CE
=-5V
80
240
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.1A ; V
CE
=5V
120
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1184
图2外形尺寸
3
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2520EX103Z9
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2N444
232CL9R
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24CX2
28E04D
24H1001-2R
26-7402-180
2SC4624
272GHR102K
2SC5637
2CW37-13
252A154A40NA
2SC4081S
2SC3012
2N5493
25XX040X-I/SN
2SD2203
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    2SA1184
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