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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SA1006 ，
2SA1006A,2SA1006B
应用
·音频
频功率放大器
高频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
V
CBO
V
首席执行官
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
2SC2336
集电极 - 基极电压
2SC2336A
发射极开路
2SC2336B
2SC2336
集电极 - 发射极电压
2SC2336A
开基
2SC2336B
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
180
200
250
180
200
250
5
1.5
3.0
1.5
单位
V
V
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
V
A
A
总功耗
T
C
=25℃
25
150
-55~150
W
℃
℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
条件
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
V
CB
= 150V ;我
E
=0
V
EB
= 3V ;我
C
=0
I
C
= 5毫安; V
CE
=5V
I
C
= 150毫安; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
民
典型值。
最大
1.0
1.5
1
1
单位
V
V
μA
μA
30
60
30
320
pF
兆赫
h
FE-2
分类
R
Q
60-120
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
P
100-200
160-320
OR
CT
U
95
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
5
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SA1006 ，
2SA1006A,2SA1006B
应用
·音频功放
·
高频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2SC2336
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC2336A
2SC2336B
2SC2336
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SC2336A
2SC2336B
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
a
=25
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
180
200
250
180
200
250
5
1.5
3.0
1.5
W
25
150
-55~150
V
A
A
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
符号
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
条件
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
V
CB
= 150V ;我
E
=0
V
EB
= 3V ;我
C
=0
I
C
= 5毫安; V
CE
=5V
I
C
= 150毫安; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
民
典型值。
最大
1.0
1.5
1
1
单位
V
V
A
A
30
60
30
95
320
pF
兆赫
h
FE-2
分类
R
60-120
Q
100-200
P
160-320
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
5
这种材料版权归其各自的制造商
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SA1006 ，
2SA1006A,2SA1006B
应用
·音频
频功率放大器
高频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SC2336
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC2336A
2SC2336B
2SC2336
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SC2336A
2SC2336B
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
总功耗
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
℃
℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
180
200
250
180
200
250
5
1.5
3.0
1.5
W
V
A
A
V
V
单位
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
条件
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
V
CB
= 150V ;我
E
=0
V
EB
= 3V ;我
C
=0
I
C
= 5毫安; V
CE
=5V
I
C
= 150毫安; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
民
典型值。
最大
1.0
1.5
1
1
单位
V
V
μA
μA
30
60
30
95
320
pF
兆赫
h
FE-2
分类
R
60-120
Q
100-200
P
160-320
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
4
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
5
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SA1006 ，
2SA1006A,2SA1006B
应用
·音频
频功率放大器
高频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
V
CBO
V
首席执行官
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
2SC2336
集电极 - 基极电压
2SC2336A
发射极开路
2SC2336B
2SC2336
集电极 - 发射极电压
2SC2336A
开基
2SC2336B
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
180
200
250
180
200
250
5
1.5
3.0
1.5
单位
V
V
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
V
A
A
总功耗
T
C
=25℃
25
150
-55~150
W
℃
℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
条件
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
V
CB
= 150V ;我
E
=0
V
EB
= 3V ;我
C
=0
I
C
= 5毫安; V
CE
=5V
I
C
= 150毫安; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
民
典型值。
最大
1.0
1.5
1
1
单位
V
V
μA
μA
30
60
30
320
pF
兆赫
h
FE-2
分类
R
Q
60-120
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
P
100-200
160-320
OR
CT
U
95
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
5
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SA1006 ，
2SA1006A,2SA1006B
应用
·音频
频功率放大器
高频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SC2336
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC2336A
2SC2336B
2SC2336
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SC2336A
2SC2336B
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
总功耗
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
℃
℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
180
200
250
180
200
250
5
1.5
3.0
1.5
W
V
A
A
V
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
条件
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
V
CB
= 150V ;我
E
=0
V
EB
= 3V ;我
C
=0
I
C
= 5毫安; V
CE
=5V
I
C
= 150毫安; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
民
典型值。
最大
1.0
1.5
1
1
单位
V
V
μA
μA
30
60
30
95
320
pF
兆赫
h
FE-2
分类
R
60-120
Q
100-200
P
160-320
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2336 2SC2336A 2SC2336B
5
这种材料版权归其各自的制造商
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28F640W30
2N3907
25LC320/SN
25LC320-/SN
2SC4545Q
2SJ308
24LC014
28C011TRT2FE-20
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