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1.8伏特英特尔
无线闪存
用3伏的I / O和SRAM ( W30 )
28F6408W30 , 28F3204W30 , 28F320W30 , 28F640W30
初步数据表
产品特点
闪存性能
- 70 ns的初始访问速度
- 25纳秒页面模式读取速度
- 20 ns的突发模式读取速度
- 突发模式和页模式中的所有块和
在所有的分区边界
- 增强的工厂编程:
每个字编程时间3.5微秒
- 可编程等待信号极性
s
闪光灯电源
— V
CC
= 1.70 V – 1.90 V
— V
CCQ
= 2.20 V – 3.30 V
- 待机电流= 6 μA (典型值)。
- 读取电流= 7毫安
( 4字突发,典型值)。
s
FLASH软件
- 5/9微秒(典型值)编程/擦除挂起延时
时间
英特尔
闪存数据集成( FDI)和
通用闪存接口( CFI )兼容
s
质量和可靠性
- 工作温度:
-25°C至+85°C
- 100K最小擦除周期
- 0.18微米ETOX VII过程
s
闪存架构
- 多4兆位分区
- 双操作: RWW或RWE
- 参数块大小= 4 - K字
- 主块大小= 32 , K字
- 顶部和底部的设备参数
s
闪存安全
- 128位保护寄存器: 64唯一设备
标识符位; 64用户OTP保护
寄存器位
- 绝对的写保护与V
PP
在地面
- 计划和电源时擦除锁定
TRANSITIONS
- 个人和瞬时块锁定/
与向下锁定解锁
s
SRAM
- 70 ns的访问速度
- 16位的数据总线
- 低电压数据保留
= S-V
CC
= 2.20 V – 3.30 V
s
密度和包装
- 32 - Mbit的离散的VF BGA封装
- 64 - Mbit的离散的μBGA *包装
- 56有源矩阵球, 0.75毫米球间距
μBGA *和VF BGA封装
- 32 /4 , 64 / 8和128 /待定?兆位(闪存+
SRAM)的80球堆积-CSP封装( 14
毫米毫米x 8毫米)
- 16位的数据总线
s
1.8伏特英特尔
无线闪存用3伏I / O结合国家的最先进的英特尔
闪存技术
低功耗SRAM ,提供最通用和紧凑的内存解决方案的高性能,低功耗,
主板内存限制的应用。
1.8伏特英特尔无线闪存用3伏的I / O提供了多分区,双操作闪存
架构,该架构使该器件能够读取一个分区,而编程或擦除在另一个分区。
这同时读 - 写或读时擦除功能,能够实现更高的数据吞吐率
相比于单个分区的设备,它允许两个处理器来交错的代码执行,因为
编程和擦除操作,现在可以发生的后台进程。
1.8伏特英特尔无线闪存用3伏的I / O采用了新的增强型工厂编程
( EFP )模式,以提高12 V工厂编程的性能。这一新功能有助于消除制造
编程高密度闪存设备相关的瓶颈。对比3.5微秒的EFP节目时间
每个字,每字8.0微秒的标准厂房项目的时间和节省显著的工厂编程的时间
以提高工厂的效率。
此外, 1.8伏特英特尔无线闪存与3伏I / O包括块向下锁定,可编程
WAIT信号极性与所支持的软件工具的阵列。所有这些特点使这款产品完美
解决方案对于任何苛刻的应用程序的内存。
注意:
本文件包含的新产品在生产中的初步信息。该
规格如有变更,恕不另行通知。验证与您当地的英特尔销售办事处的
你有一个定案之前,设计最新的数据表。
290702-002
2001年3月
本文档中的信息均与英特尔提供的连接
产品。没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,对任何知识产权
产权授予本文件。除非英特尔产品销售条款和此类产品的条件提供,英特尔不承担任何责任
无论如何,英特尔不做任何明示或暗示的担保,销售和/或使用英特尔产品,包括责任或有关的保证
适合特定目的的适销性,或不侵犯任何专利,版权或其他知识产权。英特尔产品不
设计用于医疗,救生或延长生命的应用。
英特尔可能随时更改规格和产品说明,在任何时候,恕不另行通知。
设计者不得依赖于任何功能或说明的缺失或特性标记"reserved"或"undefined."英特尔保留
今后对其定义的权利,对于因今后对其进行修改所产生的冲突或不兼容性概不负责。
1.8伏特英特尔
无线闪存( 3伏的I / O和SRAM)可能包含勘误表,这可能会使设计缺陷或错误
产品与已出版的规格有所差异。最新的勘误表备索。
请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商,以获取最新的规格和订购产品之前。
哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本,可致电1-800-得到
548-4725或访问英特尔网站http://www.intel.com 。
版权所有英特尔公司,二○○○年至2001年。
*其他名称和品牌可能是其他公司的财产。
初步
28F320W30 , 28F3204W30 , 28F6408W30 , 28F640W30
目录
1.0
产品介绍
.................................................................................................1
1.1
1.2
文件Purpose................................................................................................ 1
命名法........................................................................................................1
产品概述................................................ .................................................. 2
包Diagram.................................................................................................. 3
包Dimensions............................................................................................. 4
信号Descriptions................................................................................................五
框图....................................................................................................... 6
闪存存储器映射............................................... ................................................. 6
公共汽车Operations...................................................................................................... 9
Flash命令定义............................................... ................................... 9
读阵列..........................................................................................................12
4.1.1异步模式............................................. .................................. 12
4.1.2同步模式............................................. ................................... 12
设置配置寄存器( CR ) ............................................ .............................. 13
4.2.1读取模式( RM ) .......................................... .......................................... 14
4.2.2第一等待数( LC2-0 ) ....................................... ........................... 14
4.2.3等待信号极性( WT ) ......................................... ............................ 16
4.2.4 WAIT信号功能............................................ ................................. 17
4.2.5数据输出配置( DOC ) ......................................... ................. 17
4.2.6 WAIT配置( WC ) .......................................... ............................. 18
4.2.7突发序列( BS) .......................................... .................................... 19
4.2.8时钟配置( CC ) .......................................... ............................. 20
4.2.9突发包裹( BW ) .......................................... .......................................... 21
4.2.10突发长度( BL2-0 ) ........................................ ..................................... 21
阅读查询Register...........................................................................................21
读取ID Register.................................................................................................21
读状态寄存器............................................... ........................................... 22
4.5.1清除状态寄存器............................................ ................................. 24
Read-While-Write/Erase......................................................................................24
工厂编程模式............................................... ......................................... 24
编程电压保护( VPP ) ............................................ .................. 25
增强工厂编程( EFP ) ............................................ .................. 25
5.3.1 EFP要求和注意事项........................................... ...... 26
5.3.2安装阶段............................................. .............................................. 26
5.3.3项目阶段............................................. ......................................... 26
5.3.4验证阶段............................................. .............................................. 27
5.3.5退出阶段............................................. ................................................. 27
写保护(V
PP
& LT ; V
PPLK
) ...........................................................................27
2.0
产品说明
.................................................................................................. 2
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
3.0
产品运营
................................................................................................... 9
3.1
3.2
4.0
闪存读取模式
...................................................................................................12
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
5.0
编程和擦除电压
...............................................................................24
5.1
5.2
5.3
5.4
初步
iii
28F320W30 , 28F3204W30 , 28F6408W30 , 28F640W30
6.0
闪存擦除模式
.................................................................................................... 27
6.1
6.2
块擦除......................................................................................................... 27
擦除保护(V
PP
& LT ; V
PPLK
) .......................................................................... 28
编程/擦除挂起.............................................. ....................................... 28
编程/擦除恢复.............................................. ........................................ 28
块Lock........................................................................................................... 29
块解锁.......................................................................................................三十
锁定降挡.............................................. ..................................................三十
擦除时块锁定操作暂停............................................ ........ 30
WP #锁断控制............................................ ......................................... 30
保护寄存器读............................................... ..................................... 32
程序保护注册............................................... ................................ 32
保护寄存器锁定............................................... ...................................... 33
上电/下特性............................................ ............................. 34
电源去耦............................................... .................................... 34
闪存复位特性............................................... ................................. 34
绝对最大额定值............................................... ................................. 35
扩展温度操作............................................... ........................ 35
直流特性................................................ .............................................. 36
离散电容( 32 - Mbit的VF BGA封装) ........................................ ..... 38
堆叠电容( 32/4和64/8堆积-CSP封装) ........................... 39
Flash读操作............................................... ........................................ 40
闪存写入操作............................................... ........................................ 49
闪存编程和擦除操作............................................. .................... 51
复位操作................................................ ................................................ 51
SRAM读操作............................................... ........................................ 53
SRAM写操作............................................... ......................................... 55
SRAM数据保持操作.............................................. .......................... 56
7.0
闪存挂起/恢复模式
.......................................................................... 28
7.1
7.2
8.0
闪存安全模式
............................................................................................. 29
8.1
8.2
8.3
8.4
8.5
9.0
Flash保护注册
..................................................................................... 32
9.1
9.2
9.3
10.0
电源和复位注意事项
...................................................................... 34
10.1
10.2
10.3
11.0
电气规格
........................................................................................ 35
11.1
11.2
11.3
11.4
11.5
12.0
FLASH交流特性
...................................................................................... 40
12.1
12.2
12.3
12.4
13.0
SRAM交流特性
..................................................................................... 53
13.1
13.2
13.3
14.0
订购信息
.............................................................................................. 58
闪存写入状态机( WSM )
................................................................ 59
流程图
............................................................................................................. 61
通用闪存接口
................................................................................. 68
附录A
附录B
附录C
iv
初步
28F320W30 , 28F3204W30 , 28F6408W30 , 28F640W30
修订历史
日期
调整
09/19/00
03/14/01
VERSION
-001
-002
蓝本
删除28F3208W30产品引用(产品已经停产)
28F640W30产品附加值
经修订的表2中,
信号说明( DQ
15–0
, ADV # ,等待, S- UB # , S- LB # ,V
CCQ
)
经修订的第3.1节,
巴士业务
修订后的表5 ,
命令总线定义,
注1和2
修订后的第4.2.2节
第一等待计数( LC
2–0
);
修订后的图6 ,
数据输出
与LC设定在3码;
加到图7中,
首先访问延迟配置
修订后的第4.2.3节
等待信号极性( WT )
增加了4.2.4节,
等待信号功能
修订后的第4.2.5节
数据输出配置( DOC )
添加图8 ,
数据输出配置与等待信号延迟
修订后的表13 ,
状态寄存器DWS和PWS说明
修订后的整个第5.0节,
编程和擦除电压
修订后的整个第5.3节,
增强工厂编程( EFP )
修订后的整个第8.0节,
闪存安全模式
修订后的整个第9.0节,
Flash保护寄存器;
加入表15
simulta-
neous允许的操作与保护注册
修订后的第10.1节,
上电/下特性
修订后的第11.3节,
直流特性。变
I
CCS ,
I
CCWS ,
I
CCES
从规格
18 μA至21μA ;改变了我
CCR
规格为12 mA至15毫安(突发长度= 4 )
补充图20 ,
在同步未读数组运算波形等待信号
形式
补充图21 ,
在异步页模式读操作等待信号
波形
补充图22 ,
在异步单字读操作等待信号
波形
经修订的数字23 ,
写波形
修订后的第12.4节,
复位操作
澄清13.2节,
SRAM写操作时,
注2
修订后的第14.0节,
订购信息
次要文本编辑
描述
初步
v
恒忆无线闪存( W30 )
28F640W30 , 28F320W30 , 28F128W30
数据表
产品特点
高性能的同时读 - 写/擦除
- 突发频率在40兆赫
- 70 ns的初始访问速度
- 25纳秒页面模式读取速度
- 20 ns的突发模式读取速度
- 突发模式和页模式中的所有块
和所有分区边界
- 突发挂起功能
- 增强的工厂编程:
每个字编程时间3.5微秒
- 可编程等待信号极性
闪光灯电源
— V
CC
= 1.70 V – 1.90 V
— V
CCQ
= 2.20 V – 3.30 V
- 待机电流( 130纳米) = 8 μA (典型值)。
- 读取电流= 7毫安
( 4字突发,典型值)
FLASH软件
- 5 μS/ 9微秒(典型值)编程/擦除挂起
等待时间
- 恒忆闪存数据集成( FDI)和
通用闪存接口( CFI )兼容
质量和可靠性
- 工作温度:
-40 ° C至+85°C
- 100K最小擦除周期
- 130纳米ETOX 第八流程
- 180纳米ETOX VII过程
闪存架构
- 多4兆位分区
- 双操作: RWW或RWE
- 参数块大小= 4 - K字
- 主块大小= 32 , K字
- 顶部或底部的参数块
闪存安全
- 128位保护寄存器: 64个独特
设备标识符位; 64用户OTP
保护寄存器位
- 绝对的写保护与V
PP
at
- 计划和电源时擦除锁定
TRANSITIONS
- 个人和瞬时座
锁定/带向下锁定解锁
密度和包装
- 130纳米: 32MB, 64MB,和128MB的VF
BGA封装; 64兆, 128兆的QUAD +
- 180纳米: 32Mb的和128Mb的密度在VF
BGA封装; 64Mb的密度μBGA *
- 56有源矩阵球, 0.75毫米球间距
- 16位的数据总线
订单号: 290702-13
2007年11月
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另有,任何知识产权权利的授予此文档。除非在NUMONYX的条款及
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产品并非设计用于医疗,救生,生命维持,关键控制或安全系统,使用或核设施应用领域。
法律INES L和D ISC莱姆呃s
恒忆BV可能会更改规格和产品说明,在任何时候,恕不另行通知。
恒忆BV可能有涉及到提交专利或正在申请的专利,商标,版权或其他知识产权
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否则,对此类专利,商标,版权或其他知识产权。
设计者不得依赖于不存在或存在任何功能或说明标有“保留”的特点或“未定义”恒忆保留这些为
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*其他名称和品牌可能是其他公司的财产。
版权所有 2007年,恒忆BV ,并保留所有权利。
数据表
2
2007年11月
订单号: 290702-13
恒忆无线闪存( W30 )
目录
1.0
介绍
.............................................................................................................. 7
1.1
文档目的................................................ .............................................. 7
1.2
命名法..................................................................................................... 7
1.3
约定....................................................................................................... 8
功能概述
.................................................................................................. 9
2.1
概观........................................................................................................... 9
2.2
存储器映射和分区.............................................. ................................ 10
包装信息
............................................................................................... 13
3.1
W30闪存设备 - 130纳米光刻.......................................... ........ 13
3.2
W30闪存设备 - 180纳米光刻.......................................... ........ 15
Ballout和信号说明
............................................................................... 18
4.1
信号Ballout ................................................ .................................................. 18
4.2
信号说明................................................ ............................................ 20
最大额定值和工作条件............................................. ...............
24
5.1
绝对最大额定值............................................... .................................. 24
5.2
工作条件................................................ ......................................... 24
电气规格
........................................................................................... 26
6.1
直流电流特性............................................... ................................... 26
6.2
直流电压特性............................................... ................................... 27
AC特性
................................................................................................... 28
7.1
读操作 - 130纳米光刻............................................ .................... 28
7.2
读操作 - 180纳米光刻............................................ .................... 29
7.3
AC写特性............................................... ...................................... 38
7.4
擦除和编程时间.............................................. ..................................... 43
电源和复位规格
............................................................................... 44
8.1
活跃Power..................................................................................................... 44
8.2
自动省电( APS ) ............................................ .............................. 44
8.3
待机Power.................................................................................................. 44
8.4
上电/下特性............................................ ............................... 44
8.4.1系统复位和RST # .......................................... ................................ 45
8.4.2 VCC , VPP和RST #转换....................................... ........................ 45
8.5
电源去耦............................................... .................................... 45
8.6
重置Specifications........................................................................................... 46
8.7
AC I / O测试条件............................................ ........................................... 46
8.8
闪存设备容量............................................... .................................... 47
闪存设备的操作
.......................................................................................... 48
9.1
公交运营................................................ ................................................. 48
9.1.1读.............................................. .................................................. .... 48
9.1.2突发暂停............................................. .......................................... 49
9.1.3待机.............................................. .................................................. 49
9.1.4 Reset.................................................................................................... 50
9.1.5写.............................................. .................................................. .... 50
9.2
闪存设备命令............................................... ...................................... 50
9.3
命令序列................................................ ....................................... 53
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0读操作
...................................................................................................... 55
10.1读取阵列....................................................................................................... 55
2007年11月
订单号: 290702-13
数据表
3
恒忆无线闪存( W30 )
10.2
10.3
10.4
10.5
阅读设备ID ............................................... .................................................. 55
阅读查询( CFI ) ............................................. ................................................. 56
读状态寄存器............................................... ........................................... 56
清除状态寄存器............................................... .......................................... 58
11.0方案业务
.................................................................................................59
11.1 Word程序...................................................................................................59
11.2工厂编程............................................... .......................................... 60
11.3增强工厂计划( EFP ) ........................................... .............................. 61
11.3.1 EFP要求和注意事项........................................... ............ 61
11.3.2 Setup....................................................................................................62
11.3.3程序.............................................. .................................................. 62
11.3.4 Verify....................................................................................................62
11.3.5 Exit.......................................................................................................63
12.0编程和擦除操作............................................. .................................... 65
12.1编程/擦除挂起和恢复........................................... ........................ 65
12.2块擦除.......................................................................................................67
12.3同时读 - 写和读,而擦除...................................... ......................... 69
13.0安全模式
........................................................................................................71
13.1块锁定操作.............................................. .......................................... 71
13.1.1 Lock......................................................................................................72
13.1.2 Unlock...................................................................................................72
13.1.3向下锁定............................................ ................................................ 72
13.1.4块锁定状态............................................ ....................................... 73
13.1.5锁定在擦除挂起........................................... ........................... 73
13.1.6状态寄存器错误检查........................................... ...................... 74
13.1.7 WP #锁断控制......................................... ................................. 74
13.2保护Register.............................................................................................75
13.2.1读保护注册........................................... ..................... 76
13.2.2编程保护注册........................................... ................ 76
13.2.3锁定保护寄存器........................................... ...................... 76
13.3 VPP Protection...................................................................................................78
14.0设置读取配置寄存器
..............................................................................79
14.1读取模式( RCR [15] ) ......................................... ............................................... 80
14.2首先访问延迟计数( RCR [ 13:11 ] ) ..................................... ......................... 80
14.2.1延迟数设置............................................ ................................ 81
14.3等待信号极性( RCR [10] ) ........................................ ................................... 81
14.4 WAIT信号功能.............................................. ........................................... 82
14.5数据保持(RCR[9])............................................................................................82
14.6等待延迟( RCR [8]) ......................................... ................................................ 83
14.7突发序列(RCR [7]) ......................................... ........................................... 83
14.8时钟边沿(RCR [6]) ......................................... ................................................. 85
14.9突发包裹( RCR [3] ) ......................................... ................................................. 85
14.10突发长度( RCR [ 2 : 0 ] ) ....................................... .............................................. 85
A
B
C
写状态Machine.................................................................................................86
通用闪存接口
..........................................................................................89
订购信息
...............................................................................................99
数据表
4
2007年11月
订单号: 290702-13
恒忆无线闪存( W30 )
修订历史
日期
调整
09/19/00
VERSION
-001
初始版本
删除28F3208W30产品引用(产品已经停产)
28F640W30产品附加值
经修订的表2中,
信号说明( DQ
15–0
, ADV # ,等待, S- UB # , S- LB # ,V
CCQ
)
经修订的第3.1节,
巴士业务
修订后的表5 ,
命令总线定义,
注1和2
修订后的第4.2.2节
第一等待计数( LC
2–0
);
修订后的图6 ,
数据输出采用LC
在设置代码3 ;
加到图7中,
首先访问延迟配置
修订后的第4.2.3节
等待信号极性( WT )
增加了4.2.4节,
等待信号功能
修订后的第4.2.5节
数据输出配置( DOC )
添加图8 ,
数据输出配置与等待信号延迟
修订后的表13 ,
状态寄存器DWS和PWS说明
修订后的整个第5.0节,
编程和擦除电压
修订后的整个第5.3节,
增强工厂编程( EFP )
修订后的整个第8.0节,
闪存安全模式
修订后的整个第9.0节,
Flash保护寄存器;
加入表15
同时
允许的操作与保护注册
修订后的第10.1节,
上电/下特性
修订后的第11.3节,
直流特性。变
I
CCS ,
I
CCWS ,
I
CCES
从18 μA到规格
21μA ;改变了我
CCR
规格为12 mA至15毫安(突发长度= 4 )
补充图20 ,
在同步未读数组运算波形等待信号
补充图21 ,
在异步页面模式读取操作波形等待信号
补充图22 ,
在异步单字读操作波形等待信号
经修订的数字23 ,
写波形
修订后的第12.4节,
复位操作
澄清13.2节,
SRAM写操作时,
注2
修订后的第14.0节,
订购信息
次要文本编辑
删除SRAM节
新增128M DC与AC规范
添加突发暂停
新增读取,而写转换波形
各种文本编辑
修订后的设备ID
修订后的写入速度斌
各种文本编辑
增加延迟伯爵表
更新包装球出和尺寸
各种文本编辑
少量文字说明
修订后的表20 ,直流电流特性,我
CCS
修订后的表20 ,直流电流特性,我
CCAPS
除去恒忆突发订单
次要文本编辑
更新包图纸和尺寸
修订后的表22 ,读操作,T
APA
补充说明表15 ,配置寄存器描述
补充说明第3.1.1阅读
描述
03/14/01
-002
04/05/02
-003
04/24/02
-004
10/20/02
-005
01/14/03
-006
03/22/03
-007
2007年11月
订单号: 290702-13
数据表
5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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