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2SC1815
东芝三极管
硅NPN外延型(厘过程)
2SC1815
音频通用放大器应用
驱动级放大器的应用
高电压和高电流:
V
首席执行官
= 50 V (最小) ,
I
C
= 150 MA(最大)
单位:mm
优秀
FE
线性:H
FE (2)
= 100 (典型值)。
在V
CE
= 6 V,I
C
= 150毫安
: h
FE
(I
C
= 0.1毫安) /小时
FE
(I
C
= 2 mA)的
= 0.95 (典型值)。
低噪音: NF = 1分贝(典型值) ,在f = 1千赫
补充2SA1015 (O , Y, GR级)
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
5
150
50
400
125
55~125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
TO-92
SC-43
2-5F1B
重量:0.33克(典型值)
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和温度的显著变化等)可能会导致本产品
减少在可靠性显著即使操作条件(即操作
温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
电气特性
(大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE (1)
直流电流增益
(注)
h
FE (2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
基地固有阻力
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
r
bb’
测试条件
V
CB
=
60 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
V
CE
=
6 V,I
C
=
2毫安
V
CE
=
6 V,I
C
=
150毫安
I
C
=
百毫安,我
B
=
10毫安
I
C
=
百毫安,我
B
=
10毫安
V
CE
=
10 V,I
C
=
1毫安
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
V
CE
=
10 V,I
E
= 1
mA
f
=
30兆赫
V
CE
=
6 V,I
C
=
0.1毫安
f
=
1千赫,R
G
=
10 kΩ
70
25
80
典型值。
100
0.1
2.0
50
最大
0.1
0.1
700
0.25
1.0
3.5
V
V
兆赫
pF
Ω
单位
μA
μA
噪声系数
NF
1.0
10
dB
注:H
FE
分类○: 70 140 , Y: 120 240 , GR : 200 400 , BL : 350 700
1
2007-11-01
2SC1815
2
2007-11-01
2SC1815
3
2007-11-01
2SC1815
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规格,数据表和应用笔记产品的注意事项和条件中所规定的“TOSHIBA
半导体可靠性手册“和(b)对于该产品将具有或所使用的应用程序的说明。客户
独自负责其自己的产品设计或应用程序的所有方面,包括但不限于: (a)确定的
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请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品,
包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任
不遵守适用的法律和法规。
4
2007-11-01
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