技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 557分之19500
器件
水平
2N6800
2N6800U
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ） 0.2 W / ℃，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= 10Vdc的，我
D
= 2.0A
符号
V
DS
V
GS
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
价值
400
± 20
3.0
2.0
25
(1)
1.0
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
TO-205AF
（以前的TO- 39）
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= 0.25毫安，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= 320V
V
GS
= 0V, V
DS
= 320V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.0A脉冲
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.0A脉冲
T
j
= +125°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.0A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 3.0A脉冲
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
400
2.0
1.0
4.0
5.0
±100
±200
25
0.25
1.0
1.10
2.40
1.4
NADC
VDC
VDC
符号
分钟。
马克斯。
单位
ü - 18 LCC
μAdc
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
T4 - LDS - 0148修订版1（ 092062 ）
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N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 557分之19500
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= 3.0A ，V
GS
= 10V直流，
门极驱动电阻= 7.5Ω ，
V
DD
= 176Vdc
的di / dt
≤
100A / μs的，V
DD
≤
50V,
I
F
= 3.0A
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
30
35
55
35
700
单位
符号
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
34.75
5.75
16.59
单位
nC
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.0A
V
DS
= 200V
ns
ns
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N沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF- 557分之19500
包装尺寸
LTR
CD
CH
HD
h
J
k
LD
LL
LS
LU
L1
L2
P
Q
r
α
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.305
.160
.335
.355
.180
.370
7.75
4.07
8.51
9.02
4.57
9.39
2
3
7, 8
7, 8
6
7, 8
7, 8
7, 8
5
1.27
0.25
45 ° TP
4
9
6
笔记
.009
.041
.028
.034
.029
.045
.016
.021
.500
.750
0.200 TP
.016
.019
.050
.250
.070
.050
.010
45 ° TP
0.23
1.04
0.72
0.86
0.74
1.14
0.41
0.53
12.7
19.05
5.08 TP
0.41
0.48
1.27
6.35
1.78
注意事项：
尺寸为英寸。毫米给出的只是一般信息。
除了半径（r ）最大，J应保持的0.011 （ 0.028毫米）的最小长度。
从最大的高清测量尺寸k 。
大纲在这个区域不被控制。
CD尺寸变化应不大于0.010 （0.25毫米）的区域P.此区域的控制进行自动处理。
6.信息以低于飞机座位计平面0.054 +.001 ， -.000 （ 1.37 0.03 ， -0.00毫米），应在0.007
在最大的物质条件（ MMC ），相对于选项卡MMC实际位置（TP ） （0.18 MM）半径。
6 ，LU应用于L1和L2之间。 LD适用于L2和L最小值之间。直径不受控制的L1和超越LL
最低限度。
7这三个线索。
8半径（R）适用于标签的两个内角。
9漏极电连接的情况。
10根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
*图1.物理尺寸TO- 205AF
.
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4
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每个合格的MIL -PRF- 557分之19500
注意事项：
1尺寸为英寸。
2毫米给出的只是一般信息。
3根据ASME Y14.5M ，直径相当于
φx
符号。
4陶瓷封装而已。
LTR
BL
BW
CH
LL1
LL2
LS
LS1
LS2
LW
Q1
Q2
Q3
TL
TW
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.345
.360
8.77
.280
.295
7.11
.095
.115
2.41
.040
.055
1.02
.055
.065
1.40
.050 BSC
1.27 BSC
0.025 BSC
0.635 BSC
0.008 BSC
0.203 BSC
.020
.030
0.51
0.76
0.105 REF
2.67 REF
0.120 REF
3.05 REF
.045
.055
1.14
1.40
.070
.080
1.78
2.03
.120
.130
3.05
3.30
T4 - LDS - 0148修订版1（ 092062 ）
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