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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1683
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2SA843
高
击穿电压
●大
集电极耗散功率
应用
·音频
频功率放大器
●颜色
电视垂直偏转输出
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
200
150
5
500
2
20
150
-50~150
单位
V
V
V
mA
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC1683
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
B
=0
150
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 0.5毫安;我
E
=0
200
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 0.5毫安;我
C
=0
5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 500毫安;我
B
=50mA
1.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 400米A; V
CE
=10V
1.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 200V ，我
E
=0
50
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 4V ;我
C
=0
50
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 400米A; V
CE
=10V
60
200
h
FE
分类
P
60-140
Q
85-200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1683
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1683
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SA843
·高击穿电压
·大集电极耗散功率
应用
·音频功放
·彩电垂直偏转输出
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
200
150
5
500
2
20
150
-50~150
单位
V
V
V
mA
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 5毫安;我
B
=0
I
C
= 0.5毫安;我
E
=0
I
E
= 0.5毫安;我
C
=0
I
C
= 500毫安;我
B
=50mA
I
C
= 400米A; V
CE
=10V
V
CB
= 200V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 400米A; V
CE
=10V
60
民
150
200
5
2SC1683
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.0
50
50
200
V
V
A
A
h
FE
分类
P
60-140
Q
85-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1683
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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2SJ668
2SK1458
2N2904U
259150
2020-6615-30
2238916498
2SK3541PT
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型号
厂家
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    2SC1683
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    -
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FAIRCHILD/仙童
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全新原装现货，原厂代理。
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FAIRCHILD/仙童
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上海原装现货库存，欢迎咨询合作
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