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半导体
技术参数
一般工业用途。
切换应用程序。
B
B1
2N2904U
外延平面NPN晶体管
特点
低漏电流
A1
C
1
2
3
A
6
5
4
D
: I
CEX
= 50nA （最大） ，我
BL
=50nA(Max.)
@V
CE
=30V, V
EB
=3V.
出色的直流电流增益线性度。
低饱和电压
暗淡
A
A1
B
B1
C
D
G
H
MILLIMETERS
_
2.00 + 0.20
_
1.3 + 0.1
_
2.1 + 0.1
_
1.25 + 0.1
0.65
0.2+0.10/-0.05
0-0.1
_
0.9 + 0.1
0.15+0.1/-0.05
H
C
: V
CE （ SAT ）
= 0.3V （最大） @I
C
= 50mA时我
B
=5mA.
低集电极输出电容
: C
ob
= 4PF （最大） @V
CB
=5V.
T
G
T
1. Q
1
2. Q
1
3. Q
2
4. Q
2
5. Q
2
6. Q
1
辐射源
BASE
集热器
辐射源
BASE
集热器
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
*总分
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
60
40
6
200
50
200
150
-55 150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
Q1
Q2
US6
等效电路（顶视图）
6
5
4
1
2
3
记号
6
5
4
LOT号
型号名称
ZA
1
2
3
2008. 9. 23
版本号： 1
1/4
2N2904U
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
底座截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CEX
I
BL
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
直流电流增益
*
h
FE
(3)
h
FE
(4)
h
FE
(5)
集电极 - 发射极饱和电压
*
V
CE （ SAT ）
1
V
CE （ SAT ）
2
V
BE （ SAT ）
1
V
BE （ SAT ）
2
f
T
C
ob
C
ib
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
NF
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1毫安RG = 1K
,
V
OUT
V
in
275
测试条件
V
CE
=30V, V
EB
=3V
V
CE
=30V, V
EB
=3V
I
C
= 10 A，I
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 10 A，I
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=0.1mA
V
CE
= 1V ，我
C
=1mA
V
CE
= 1V ，我
C
=10mA
V
CE
= 1V ，我
C
=50mA
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
V
CE
= 20V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
V
CB
= 5V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
BE
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 1MHz的
分钟。
-
-
60
40
6.0
40
70
100
60
30
-
-
0.65
-
300
-
-
1.0
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
50
50
-
-
-
-
-
300
-
-
0.2
单位
nA
nA
V
V
V
V
0.3
0.85
V
0.95
-
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
dB
兆赫
pF
pF
k
x10
-4
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
集电极输出导纳
噪声系数
*
V
CE
= 10V ，我
C
= 1mA时， F = 1KHz的
0.5
100
1.0
-
延迟时间
t
d
10k
Total< 4PF
-
-
35
300ns
上升时间
开关时间
t
r
10.9V
-0.5V
V
CC
=3.0V
0
t
r
,t
f
<为1ns ，杜= 2 ％
V
OUT
-
-
35
nS
V
in
275
贮存时间
t
英镑
10k
1N916
或当量
Total< 4PF
-
-
200
下降时间
t
f
20s
10.9V
-9.1V
V
CC
=3.0V
0
t
r
,t
f
<为1ns ，杜= 2 ％
-
-
50
*脉冲测试：脉冲宽度300秒，占空比2 ％ 。
2008. 9. 23
版本号： 1
2/4
2N2904U
I
C
- V
CE
集电极电流I
C
（MA ）
100
80
60
40
20
0
I
B
=0.1mA
共发射极
TA = 25℃
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
h
FE
- I
C
1k
共发射极
V
CE
=1V
TA = 125℃
TA = 25℃
直流电流增益
FE
500
300
0.4
0.3
0.2
100
50
30
TA = -55℃
10
0
1
2
3
4
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
V
BE （ SAT ）
- I
C
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE （ SAT ）
(V)
基射极饱和
电压V
BE （ SAT ）
(V)
10
5
3
TA = -55℃
共发射极
I
C
/I
E
=10
V
CE （ SAT ）
- I
C
1
0.5
0.3
共发射极
I
C
/I
B
=10
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
TA = 125℃
TA = 25℃
TA = -55℃
TA = 25℃
TA = 125℃
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
I
C
- V
BE
集电极电流I
C
（MA ）
200
160
120
TA
125
C
TA
25 C
Ta=5
5 C
共发射极
V
CE
=1V
V
CE
- I
B
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
C
=1mA
I
C
=10mA
I
C
=30mA
I
C
=100mA
80
40
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
0.001
常见
辐射源
TA = 25℃
0.01
0.1
1
10
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
基极电流I
B
（MA ）
2008. 9. 23
版本号： 1
3/4
2N2904U
C
ob
- V
CB
, C
ib
- V
EB
50
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
PC - TA
250
200
150
100
50
0
电容C
ob
, C
ib
（PF ）
30
f=1MHz
TA = 25℃
10
5
3
C
ib
C
ob
1
0.5
0.1
0.3
1
3
10
30
0
25
50
75
100
125
150
反向电压V
CB
, V
EB
(V)
周围温度Ta （℃）
2008. 9. 23
版本号： 1
4/4
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2EZ6.8D10
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2SJ668
2SK1458
259150
2020-6615-30
2238916498
2SK3541PT
2SB1578GB1
2SD1259
253C503B60NA
2SC4002E
272652B
2N308
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