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MCC
特点
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

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2SC1623
高直流电流增益：H
FE
= 200 TYP 。 （V
CE
= 6.0V ，我
C
=1.0mA)
高电压： V
首席执行官
=50V
NPN硅
外延晶体管
单位
V
V
V
mA
mW
O
C
O
C
F
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
等级
50
60
5.0
100
200
-55到+150
-55到+150
SOT-23
A
D
C
B
E
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
符号
参数
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=60Vdc,I
E
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0VDC ，我
C
=0)
直流电流增益*
(I
C
= 1.0mAdc ，V
CE
=6.0Vdc)
集电极饱和电压*
(I
C
= 100mAdc ，我
B
=10mAdc)
基本饱和电压*
(I
C
=100mAdc,I
B
=10mAdc)
基极发射极电压*
(V
CE
= 6.0VDC ，我
C
=1.0mAdc)
集电极电容
(V
CB
= 6.0VDC ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的）
增益带宽积
(V
CE
= 6.0VDC ，我
E
=10mAdc)
民
---
---
典型值
---
---
最大
0.1
0.1
单位
G
H
J
开关特性
I
CBO
I
EBO
uAdc
K
uAdc
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
尺寸
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
基本特征
h
F
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE
C
ob
f
T
90
---
---
0.55
---
---
200
0.15
0.86
0.62
3.0
250
600
0.3
1.0
0.65
---
---
---
VDC
VDC
VDC
pF
兆赫
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
英寸
mm
h
FE
分类
记号
L4
L5
h
FE
90-180
135-270
*脉冲测试PW<350us ，值班cycle<2 ％
L6
200-400
L7
300-600
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
修订版： 2
2003/04/30
数据表
硅晶体管
2SC1623
音频通用放大器
NPN硅外延型晶体管
MINI模具
特点
高直流电流增益：H
FE
= 200 TYP 。
(V
CE
= 6.0 V，I
C
= 1.0 mA）的
高电压： V
首席执行官
= 50 V
绝对最大额定值
包装尺寸
以毫米为单位
2.8 ± 0.2
0.4
+0.1
–0.05
1.5
0.65
+0.1
–0.15
0.95
最大电压和电流（ TA = 25℃）
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
最大功率耗散
总功耗
在25℃环境温度P
T
最高温度
结温
存储温度范围
T
j
T
英镑
150
C
-55 + 150℃
200
mW
1.1至1.4
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
60
50
5.0
100
V
V
V
mA
2.9 ± 0.2
2
3
0.95
记号
0.3
0.16
+0.1
–0.06
测试条件
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 6.0 V，I
C
= 1.0毫安*
V
V
V
兆赫
pF
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安*
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安*
V
CE
= 6.0 V，I
C
= 1.0毫安*
V
CE
= 6.0 V，I
E
= -10毫安
V
CB
= 6.0 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
0-0.1
电气特性（T
A
= 25 C)
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极饱和电压
基地饱和电压
基极发射极电压
增益带宽积
输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
0.55
90
200
0.15
0.86
0.62
250
3.0
分钟。
典型值。
马克斯。
0.1
0.1
600
0.3
1.0
0.65
1 ：发射器
2 ：基本
3 ：收藏家
单位
A
A
*
脉冲： PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
h
FE
分类
记号
h
FE
L4
90至180
L5
135 270
L6
200至400
L7
300至600
文件编号TC- 1481C
（外径编号TC- 5172C ）
发布日期1995年P月
日本印刷
0.4
+0.1
–0.05
1
1984
2SC1623
典型特征（T
A
= 25 C)
总功耗对比
环境温度
200
P
T
- 总功率耗散 - 毫瓦
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
–20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
A
- 环境温度 - C
自由的空气
归一化集电极截止
电流与环境温度
I
CBO
(T
A
)
- 归集电极电流Cutottt
I
CBO
(T
A
= 25 C)
10000
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
A
- 环境温度 - C
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
100
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
10
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
45
40
I
C
- 集电极电流 - 毫安
I
C
- 集电极电流 - 毫安
80
8
35
30
60
6
0.3
25
20
40
0.2
4
15
10
I
B
= 5.0
A
20
I
B
- 0.1毫安
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
CE
- 集电极到发射极电压 - V
2.0
2
0
0
0
0
10
20
30
40
V
CE
- 集电极到发射极电压 - V
50
直流电流增益主场迎战
集电极电流
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 6.0 V
脉冲
1000
h
FE
- 直流电流增益
500
300
100
50
30
10
5
3
0.1 0.2
h
FE
- 直流电流增益
1000
500
300
100
50
30
10
5
3
0.1 0.2
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
V
CE
= 6.0 V
1.0 V
0.5 V
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
I
C
- 集电极电流 - 毫安
50 100
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
I
C
- 集电极电流 - 毫安
50 100
2
2SC1623
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
= 6.0 V
50脉冲
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
集电极和基极饱和
电压与集电极电流
V
BE （ SAT ）
- 基本饱和电压 - V
V
CE（猫）
- 集电极饱和电压 - V
100
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1 0.2
0.5 1
2
5 10 20
I
C
- 集电极电流 - 毫安
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
脉冲
I
C
= 50 · I
B
20
10
I
C
- 集电极电流 - 毫安
75
C
25
C
–25
C
T
A
=
I
C
= 50 · I
B
20
10
0.2 0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
V
BE
- 基地发射极电压 - V
1.0
50 100
增益带宽积主场迎战
发射极电流
10000
100
50
输入和输出电容
与反向电压
F = 1.0 MHz的
f
T
- 增益带宽积 - 兆赫
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
–0.1 –0.2
V
CE
=10 V 6 V
2V
1V
C
ib
- 输入电容 - pF的
C
ob
- 输出电容 - pF的
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.1 0.2
C
ib
(I
C
= 0)
C
ob
(I
E
= 0)
–0.5 –1 –2
–5 –10 –20
I
E
- 发射极电流 - 毫安
–50 –100
0.5 1
2
5 10 20
50 100
V
CB
- 集电极基极电压 - V
V
EB
- Emittor基极电压 - V
小信号电流增益主场迎战
直流电流增益
1000
输入阻抗电压反馈
比和输出导纳主场迎战
小信号电流增益
100
50
50
h
re
- 电压反馈率 -
×10
–4
h
fe
- 小信号电流增益
h
oe
- 输出导纳 -
S
800
80
40
h
ie
- 输入阻抗 - 千欧
V
CE
= 6.0 V
I
C
= 1.0毫安
F = 1.0千赫
40
V
CE
= 6.0 V
I
C
= 1.0毫安
F = 1.0千赫
600
60
30
30
h
oe
h
re
h
ie
400
40
20
20
200
20
10
10
0
0
200
400
600
800
h
FE
- 直流电流增益
1000
0
0
0
200
400
600
800
h
fe
- 小信号电流增益
1000
3
2SC1623
归一化的H-参数对比
集电极电流
10
h
ie
H
e
- 归 - 参数
5
h
re
2
1
h
fe
V
CE
= 6.0 V
F = 1.0千赫
h
e
(I
C
)
H
e
=
h
e
(I
C
= 1.0 mA）的
h
oe
h
fe
3
H
e
- 归 - 参数
归一化的H-参数对比
集电极到发射极电压
I
CE
= 1.0 V
F = 1.0千赫
H
e
= h
e
(V
CE
)
h
e
(V
CE
= 6 V)
2
h
oe
h
re
1
h
fe
h
ie
h
oe
h
fe
h
ie
h
re
0.5 h
oe
h
re
0.2
0.1
h
ie
0.1
0.2
0.5
1
2
I
C
- 集电极电流 - 毫安
5
10
0
10
20
V
CE
- 集电极到发射极电压 - V
30
4
2SC1623
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