UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2N5551
高压开关
晶体管
特点
*高集电极 - 发射极电压：
V
首席执行官
=160V
*高电流增益
NPN硅晶体管
1
SOT-89
应用
*
电话交换电路
*放大器
1
TO-92
*无铅电镀产品编号： 2N5551L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2N5551-x-AB3-R
2N5551L-x-AB3-R
2N5551-x-T92-B
2N5551L-x-T92-B
2N5551-x-T92-K
2N5551L-x-T92-K
包
SOT-89
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
B
C
E
E
B
C
E
B
C
填料
带盘
磁带盒
体积
2N5551L-x-AB3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
(3)Rank
（ 4 ）铅电镀
（ 1 ） B：磁带盒， K：散装， R：带卷轴
（ 2 ） T92 ： TO- 92 ， AB3 ： SOT- 89
（3 ）× ：指h的分类
FE
（ 4 ） L：无铅电镀，空白：铅/锡
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2005 Unisonic技术有限公司
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QW-R201-002.B
2N5551
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25 ℃ ，除非另有规定）
评级
单位
集电极 - 基极电压
180
V
集电极 - 发射极电压
160
V
发射极 - 基极电压
6
V
集电极耗散
TO-92
625
mW
P
C
集电极耗散
SOT-89
500
mW
集电极电流
I
C
600
mA
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
（ TA = 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
I
C
= 100μA ，我
E
=0
集电极 - 发射极击穿电压BV
首席执行官
I
C
= 1mA时，我
B
=0
发射极 - 基极击穿电压
BV
EBO
I
E
= 10μA ，我
C
=0
集电极截止电流
I
CBO
V
CB
= 120V ，我
E
=0
发射极截止电流
I
EBO
V
BE
=4V,I
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=1mA
h
FE1
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
直流电流增益（注）
h
FE2
V
CE
= 5V ，我
C
=50mA
h
FE3
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
基射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
电流增益带宽积
f
T
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
输出电容
C
ob
V
CB
= 10V ，我
E
= 0，F = 1MHz的
I
C
= 0.25毫安，V
CE
=5V
噪声系数
NF
R
S
= 1kΩ的， F =为10Hz 15.7kHz
注：脉冲测试： PW<300μs ，职务Cycle<2 ％
民
180
160
6
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
50
50
80
80
80
160
400
0.15
0.2
1
1
300
6.0
8
V
V
兆赫
pF
dB
100
分类h及
FE
秩
范围
A
80-170
B
150-240
C
200-400
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典型特征
集电极输出电容
10
电容C
ob
（PF ）
NPN硅晶体管
直流电流增益
10
3
V
CE
=5V
直流电流增益，H
FE
2
8
6
4
2
0
10
0
f=1MHz
I
E
=0
10
2
10
1
10
1
10
0
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
集电极 - 基极电压（ V）
集电极电流，I
C
（MA ）
基射极电压上
10
3
集电极电流，I
C
（MA ）
饱和电压（ V）
饱和电压
10
1
I
C
=10*I
B
V
CE
=5V
10
2
10
0
V
BE （ SAT ）
10
1
10
-1
V
CE （ SAT ）
10
-2
10
-1
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
0
10
1
10
2
10
3
基极 - 发射极电压（V）的
集电极电流，I
C
（MA ）
电流增益带宽积
10
3
电流增益带宽积，
f
T
（兆赫）
V
CE
=10V
2
10
10
1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
集电极电流，I
C
（MA ）
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NPN硅晶体管
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