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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1140
描述
·采用TO-3封装
·高电压，高转速
应用
·转换器
·
逆变器
·
开关稳压器
·
电机控制
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
? )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
mb
=25?
发射极开路
开基
集电极开路
条件
最大
800
400
7
15
150
200
-65~200
单位
V
V
V
A
W
?
?
热特性
符号
R
日J- MB
参数
从结热阻安装基座
价值
1.0
单位
? /W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 8A ;我
B
=1.6A
I
C
= 8A ;我
B
=1.6A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 7.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
15
10
民
400
7
2SC1140
典型值。
最大
单位
V
V
1.5
1.6
0.1
0.1
50
25
10
V
V
mA
mA
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1140
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1140
描述
·带
TO- 3封装
高
电压，高速
应用
·转换器
·
逆变器
·
开关稳压器
·
电机控制
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
mb
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
最大
800
400
7
15
150
200
-65~200
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
日J- MB
参数
从结热阻安装基座
价值
1.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 8A ;我
B
=1.6A
I
C
= 8A ;我
B
=1.6A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 7.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
15
10
民
400
7
2SC1140
典型值。
最大
单位
V
V
1.5
1.6
0.1
0.1
50
25
10
V
V
mA
mA
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1140
图2外形尺寸
3
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2520EX103Z7
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    2SC1140
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