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晶体管
2SC0829
(2SC829)
NPN硅外延平面型
单位：mm
用于高频放大
s
特点
0.7
±0.1
5.0
±0.2
4.0
±0.2
0.7
±0.2
12.9
±0.5
最适用于射频放大，振荡，搅拌，和IF级
调频/调幅收音机
s
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
20
5
30
400
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
0.45
+0.15
–0.1
2.5
+0.6
–0.2
1
2 3
2.5
+0.6
–0.2
0.45
+0.15
–0.1
5.1
±0.2
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
EIAJ ： SC- 43A
TO- 92 -B1包装
s
电气特性
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
*
跃迁频率
共发射极反向传输电容
反向传输阻抗
注） * ：小时
FE
等级分类
秩
h
FE
B
70至160
C
110至250
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
f
T
C
re
Z
rb
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
I
E
=
10
A,
I
C
=
0
V
CE
=
10 V，I
C
=
1毫安
V
CB
=
10 V，I
C
=
1毫安，女
=
200兆赫
V
CE
=
10 V，I
C
=
1毫安，女
=
10.7兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
= 1
毫安，女
=
2兆赫
民
30
20
5
70
150
230
1.3
1.6
60
250
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2002年3月
SJC00098BED
2.3
±0.2
1
2SC0829
P
C
T
a
500
I
C
V
CE
12
I
B
=
100
A
T
a
=
25°C
60
I
C
V
BE
V
CE
=
10 V
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
400
10
50
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
80
A
8
60
A
6
40
A
40
25°C
30
T
a
=
75°C
25°C
300
200
4
20
100
2
20
A
10
0
0
40
80
120
160
0
0
0
6
12
18
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度T
a
(
°C
)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
I
B
V
BE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
120
V
CE
=
10 V
T
a
=
25°C
100
30
10
3
1
0.3
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
/ I
B
=
10
300
h
FE
I
C
V
CE
=
10 V
100
正向电流传输比H
FE
250
T
a
=
75°C
200
25°C
150
25°C
基极电流I
B
(
A
)
80
60
40
T
a
=
75°C
25°C
25°C
100
0.1
0.03
0.01
0.1
20
50
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.3
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
I
E
600
T
a
=
25°C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.1
Z
rb
I
E
共发射极反向传输电容C
re
（PF ）
f
=
2兆赫
T
a
=
25°C
C
re
V
CE
2.4
I
C
=
1毫安
f
=
10.7兆赫
T
a
=
25°C
反向传输阻抗Z
rb
(
)
过渡频率f
T
（兆赫）
500
2.0
400
V
CB
=
10 V
6V
200
1.6
300
1.2
V
CB
=
6 V
10 V
0.8
100
0.4
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0.3
1
3
10
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
发射极电流I
E
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
SJC00098BED
2SC0829
C
ob
V
CB
1.6
b
ie
g
ie
100
b
re
g
re
0
集电极输出电容C
ob
（PF ）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
反向传输纳B
re
（女士）
I
E
= 1
mA
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
12
y
ie
=
g
ie
+
jb
ie
V
CE
=
10 V
y
re
=
g
re
+
jb
re
V
CE
=
10 V
0.5
f
=
0.45兆赫
10.7
25
输入纳B
ie
（女士）
8
58
1.0
58
0.4毫安
1
mA
2
mA
4
mA
6
25
10.7
I
E
=
0.4毫安
1
mA
2
mA
4
mA
7
mA
f
=
0.45兆赫
1.5
4
2.0
2
2.5
100
I
E
= 7
mA
0.4
0.3
0.2
0.1
1
3
10
30
100
0
0
4
8
12
16
20
3.0
0.5
0
集电极基极电压V
CB
(V)
输入电导G
ie
（女士）
反向传输电导G
re
（女士）
b
fe
g
fe
0
b
oe
g
oe
0.45
10.7
4
mA
1.2
100
1.0
向前转移纳B
fe
（女士）
40
100
100
100
58
58
25
输出纳B
oe
（女士）
20
0.1毫安
0.45
10.7
25
1
mA
100 58
0.4毫安
2
mA
0.8
58
0.6
25
0.4
10.7
0.2
7
mA
4
mA
2
mA
1
mA
0.4毫安
I
E
=
0.1毫安
25
60
58
I
E
= 7
mA
f
=
10.7兆赫
80
100
y
fe
=
g
fe
+
jb
fe
V
CE
=
10 V
0
120
f
=
0.45兆赫
0
0.2
0.4
y
oe
=
g
oe
+
jb
oe
V
CE
=
10 V
0.6
0.8
1.0
0
20
40
60
80
100
正向传输电导G
fe
（女士）
输出电导G
oe
（女士）
SJC00098BED
3
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并在此材料中描述的半导体
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换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
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2001年MAR
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2773007111
2SA1246U
2EZ30D10
24AA52T-I/SN
2SB1685
2-282836-0
2020LX103M6
2N5888
252A154B60NA
240002
2SC5886_06
2520AN103Z7
2SB649B
2SB1030AS
24LC01BHT-E/OT
215S12HFS
2.7BSB
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    -
    -
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