功率晶体管
2SB0930
(2SB930)
， 2SB0930A
(2SB930A)
PNP硅外延平面型
进行功率放大
补充2SD1253 ， 2SD1253A
■
特点
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的线性度
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
N型包使散热片直接焊接到
印刷电路板的小型电子设备等。
10.0
±0.3
1.5
±0.1
单位：mm
8.5
±0.2
6.0
±0.2
3.4
±0.3
1.0
±0.1
4.4
±0.5
参数
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
2SB0930
2SB0930A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
a
=
25°C
T
j
T
英镑
等级
60
80
60
80
5
4
8
40
1.3
150
55
to
+150
单位
V
1
2
2.0
±0.5
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
集电极 - 发射极电压2SB0930
（基地开）
2SB0930A
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
V
(6.5)
V
A
A
W
°C
°C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
N-二G1套餐
注）自支撑式封装也准备。
结温
储存温度
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
（基地开）
集电极 - 发射极截止
目前（E -B的短）
集电极 - 发射极截止
电流（基地开）
2SB0930
2SB0930A
2SB0930
2SB0930A
2SB0930
2SB0930A
I
EBO
h
FE1 *
h
FE2
基射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
BE
V
CE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
首席执行官
I
CES
V
CE
=
60
V, V
BE
= 0
V
CE
=
80
V, V
BE
= 0
V
CE
=
30
V，I
B
= 0
V
CE
=
60
V，I
B
= 0
V
EB
=
5
V，I
C
= 0
V
CE
= 4
V，I
C
= 1
A
V
CE
= 4
V，I
C
= 3
A
V
CE
=
4
V，I
C
=
3
A
I
C
= 4
A，I
B
= 0.4
A
V
CE
= 10
V，I
C
=
0.5 A，F
=
10兆赫
I
C
= 4
A,
I
B1
=
0.4 A，I
B2
= 0.4
A
V
CC
= 50
V
20
0.2
0.5
0.2
70
15
2.0
1.5
V
V
兆赫
s
s
s
符号
V
首席执行官
条件
I
C
= 30
妈，我
B
=
0
民
60
80
400
400
700
700
1
250
mA
A
A
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE1
出版日期： 2003年4月
Q
70至150
P
120至250
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
SJD00012BED
(7.6)
(1.5)
0.8
±0.1
R = 0.5
R = 0.5
2.54
±0.3
1.0
±0.1
1.4
±0.1
0.4
±0.1
5.08
±0.5
(8.5)
(6.0)
1.3
3
4.4
±0.5
00.4
14.4
±0.5
3.0
+0.4
–0.2
1.5
+0
–0.4
1
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保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
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松下电器产业株式会社许可
2002年七月
QQ：2880707522 复制
