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功率晶体管
2SB967
PNP硅外延平面型
单位:mm
对于低频功率放大
7.3±0.1
1.8±0.1
6.5±0.1
5.3±0.1
4.35±0.1
2.3±0.1
0.5±0.1
0.8max
q
q
q
可以直接焊接散热片到印刷cicuit板
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
大的集电极电流I
C
2.5±0.1
0.93±0.1
1.0±0.1
0.1±0.05
0.5±0.1
0.75±0.1
2.3±0.1
4.6±0.1
s
1
2
3
绝对最大额定值
(Ta=25C)
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
–27
–18
–7
–8
–5
20
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
0.6
2.3
2.3
0.75
6.5±0.2
5.35
4.35
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
U型套餐
单位:mm
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率(T
C
=25°C)
结温
储存温度
C
C
1
2
3
2.3±0.1
0.5±0.1
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
EIAJ : SC- 63
U型封装( Z)
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*
h
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -10V ,我
E
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= –2A
I
C
= -3A ,我
B
= – 0.1A
V
CB
= -6V ,我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -20V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
120
85
–18
–7
90
625
–1
V
兆赫
pF
典型值
最大
–100
–1
单位
nA
A
V
V
FE
等级分类
P
90 135
Q
125 205
R
180 625
h
FE
6.0
5.5±0.2
13.3±0.3
集电极到发射极电压
1.8
集电极 - 基极电压
1.0±0.2
s
特点
1
功率晶体管
P
C
- TA
32
–6
T
C
= TA
28
–5
I
B
= -40mA -35mA
–30mA
–25mA
–4
–20mA
–15mA
–10mA
–2
–5mA
–1
4
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–1mA
0
0
– 0.4
– 0.8
–10
T
C
=25C
2SB967
I
C
— V
CE
–12
V
CE
=–2V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
24
20
16
12
8
集电极电流I
C
(A)
–8
25C
T
C
=100C
–25C
–3
–6
–4
–2
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–100
I
C
/I
B
=30
–30
–10
–3
–1
100000
h
FE
— I
C
240
V
CE
=–2V
f
T
— I
E
V
CB
=–6V
f=200MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
(兆赫)
–10
30000
200
10000
160
3000
1000
300
–25C
100
30
10
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
T
C
=100C
25C
120
– 0.3
– 0.1
– 0.03
T
C
=100C
–25C
80
40
25C
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
0
–1
–3
1
3
10
30
100
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
(MA )
C
ob
— V
CB
200
集电极输出电容C
ob
(PF )
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
160
120
80
40
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
2
SMD型
PNP硅外延平面型
2SB967
TO-252
晶体管
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
可以直接焊接散热片到印刷cicuit板。
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE (SAT) 。
+0.2
9.70
-0.2
+0.15
1.50
-0.15
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
大的集电极电流I
C.
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
-27
-18
-7
-5
-8
20
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极截止CURENT
发射基截止电流
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= -10 V,I
E
= 0
V
EB
= -5 V,I
C
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -10 IA ,我
C
= 0
V
CE
= -2 V,I
C
= 2 A
-18
-7
90
625
-1
120
85
V
兆赫
pF
典型值
最大
-100
-1
单位
nA
ìA
V
V
V
CE ( SAT )
I
C
= -3 A,I
B
= -0.1 A
f
T
C
ob
V
CE
= -6 V,I
E
= -50毫安, F = 200 MHz的
V
CB
= -20V ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
h
FE
分类
h
FE
P
90 135
Q
125 205
R
180 625
3
.8
0
www.kexin.com.cn
1
产品speci fi cation
2SB967
TO-252
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
可以直接焊接散热片到印刷cicuit板。
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE (SAT) 。
+0.2
9.70
-0.2
+0.15
1.50
-0.15
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
大的集电极电流I
C.
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
-27
-18
-7
-5
-8
20
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极截止CURENT
发射基截止电流
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= -10 V,I
E
= 0
V
EB
= -5 V,I
C
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -10 IA ,我
C
= 0
V
CE
= -2 V,I
C
= 2 A
-18
-7
90
625
-1
120
85
V
兆赫
pF
典型值
最大
-100
-1
单位
nA
ìA
V
V
V
CE ( SAT )
I
C
= -3 A,I
B
= -0.1 A
f
T
C
ob
V
CE
= -6 V,I
E
= -50毫安, F = 200 MHz的
V
CB
= -20V ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
h
FE
分类
h
FE
P
90 135
Q
125 205
R
180 625
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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    终端采购配单精选

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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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电话:0755-83264115
联系人:朱生
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MAT
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联系人:刘先生
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联系人:吴小姐
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