2N4957
硅PNP晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N4957J ）
JANTX级别（ 2N4957JX ）
JANTXV级（ 2N4957JV ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072的JANTXV
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用
VHF- UHF放大器晶体管
PNP硅晶体管
特点
密封TO- 72金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸0006
参考文献：
MIL-PRF-19500/426
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
资质等级： JAN ， JANTX ，并
JANTXV
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
J
T
英镑
等级
30
30
3
30
200
1.14
-65到+200
-65到+200
单位
伏
伏
伏
mA
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
Copyright 2002年
Rev. D的
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
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2N4957
硅PNP晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
测试条件
I
C
= 0.5毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 2毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 5毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 5毫安， V
CE
= 10伏
T
A
= -55°C
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO1
I
CBO2
I
CBO3
I
EBO1
测试条件
I
C
= 1毫安
V
CB
= 20伏
V
CB
= 30伏
V
CB
= 20伏，T
A
= 150°C
V
EB
= 3伏
民
30
100
100
100
100
典型值
最大
单位
伏
nA
A
A
A
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
民
15
20
30
10
典型值
最大
单位
165
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
共发射极的小信号功率
收益
噪声系数
集电极基时间常数
收藏家基地反馈电容
符号
|h
FE
|
G
PE
NF
r
b
’C
C
C
cb
测试条件
V
CE
= 10伏，我
C
= 2毫安，
F = 100 MHz的
I
C
= 2毫安， V
CE
= 10伏，
F = 450 MHz的
V
CE
= 10伏，我
C
= 2毫安，
F = 450兆赫，R
L
= 50
V
CB
= 10伏，我
E
= 2毫安，
F = 63.6兆赫
V
CB
= 10伏，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
民
12
17
典型值
最大
36
25
3.5
1
8
0.8
dB
dB
ps
pF
单位
Copyright 2002年
Rev. D的
Semicoa半导体公司
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