JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB941 2SB941A
描述
·带
TO- 220Fa包
ULOW
集电极饱和电压
·补充
以类型
2SD1266/1266A
应用
For
低频功率放大
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SB941
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SB941A
2SB941
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SB941A
V
EBO
I
C
I
CM
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
35
150
-55~150
℃
℃
集电极开路
开基
-80
-5
-3
-5
2
W
V
A
A
发射极开路
-80
-60
V
条件
价值
-60
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB941 2SB941A
描述
·采用TO- 220Fa包
·低集电极饱和电压
·补充输入
2SD1266/1266A
应用
·对于低频功率放大
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
参数
2SB941
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SB941A
2SB941
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SB941A
V
EBO
I
C
I
CM
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
35
150
-55~150
集电极开路
开基
-80
-5
-3
-5
2
W
V
A
A
发射极开路
-80
-60
V
条件
价值
-60
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB941 2SB941A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB941 2SB941A
描述
·带
TO- 220Fa包
ULOW
集电极饱和电压
·补充
以类型
2SD1266/1266A
应用
For
低频功率放大
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
固电
IN
导½
半
参数
2SB941
2SB941A
2SB941
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
I
C
I
CM
发射极 - 基极电压
集电极电流
ES
昂
CH
2SB941A
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
-60
-80
-60
-80
-5
-3
-5
单位
V
开基
V
集电极开路
V
A
A
集电极电流峰值
T
a
=25℃
2
W
35
150
-55~150
℃
℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB941 2SB941A
描述
·带
TO- 220Fa包
ULOW
集电极饱和电压
·补充
以类型
2SD1266/1266A
应用
For
低频功率放大
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SB941
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SB941A
2SB941
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SB941A
V
EBO
I
C
I
CM
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
35
150
-55~150
℃
℃
集电极开路
开基
-80
-5
-3
-5
2
W
V
A
A
发射极开路
-80
-60
V
条件
价值
-60
V
单位
功率晶体管
P
C
- TA
50
–6
(1) T
C
= TA
（2）在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
（3）同一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
（ 4 ）不带散热片
(P
C
=2W)
T
C
=25C
–5
2SB941 ， 2SB941A
I
C
— V
CE
–10
V
CE
=–4V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
I
B
=–100mA
–4
–80mA
–60mA
–3
–40mA
–30mA
–20mA
30
集电极电流I
C
(A)
40
–8
–6
25C
T
C
=100C
–4
–25C
20
(1)
–2
10
(3)
(4)
0
0
20
40
60
(2)
–1
–16mA
0
–2
–4
–6
–12mA
–8mA
–4mA
–2
0
80 100 120 140 160
0
–8
–10
0
– 0.4
– 0.8
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
I
C
/I
B
=10
–30
–10
–3
–1
10000
h
FE
— I
C
10000
V
CE
=–4V
3000
1000
300
100
30
10
3
f
T
— I
C
V
CE
=–5V
f=10MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
1000
300
100
30
10
3
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
25C
T
C
=100C
–25C
– 0.3
T
C
=100C
–25C
25C
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
过渡频率f
T
（兆赫）
–1
–3
–10
3000
–1
–3
–10
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全操作区（ ASO ）
–100
–30
10
3
非重复脉冲
T
C
=25C
R
日（T ）
— t
（ 1 ）不带散热片
（2）在一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
(1)
热阻R
th
（吨）（ C / W）
集电极电流I
C
(A)
10
2
–10
I
CP
–3
–1
DC
I
C
t=1ms
10ms
10
(2)
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
1
2SB941A
10
–1
2SB941
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
时间t （S ）
2
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