【功率晶体管2SB0930 ， 2SB0930A（ 2SB930 ， 2SB930A ）PNP硅外延平】,IC型号2SB0930AP,2SB0930AP PDF资料,2SB0930AP经销商,ic,电子元器件-51电子网

功率晶体管

2SB0930 ， 2SB0930A

（ 2SB930 ， 2SB930A ）

PNP硅外延平面型

进行功率放大

10.0±0.3

1.5±0.1

8.5±0.2

6.0±0.5

3.4±0.3

单位：mm

1.0±0.1

补充2SD1253和2SD1253A

特点

高正向电流传输比H

它具有良好的线性度

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

N型包使散热片直接焊接到

在印刷电路板，小型电子设备等。

=25C)

评级

–60

–80

–60

–80

–5

–8

–4

1.3

150

-55到+150

单位

1.5max.

1.1max.

10.5min.

2.0

0.8±0.1

0.5max.

2.54±0.3

5.08±0.5

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SB0930

2SB0930A

2SB0930

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

N型套餐

单位：mm

3.4±0.3

1.0±0.1

8.5±0.2

6.0±0.3

发射极电压2SB0930A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

14.7±0.5

4.4±0.5

00.4

10.0±0.3

1.5

–0.4

4.4±0.5

2.0

0.8±0.1

2.54±0.3

R0.5

1.1最大。

5.08±0.5

电气特性

参数

集电极截止

当前

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极到发射极

电压

2SB0930

2SB0930A

2SB0930

2SB0930A

2SB0930

2SB0930A

=25C)

符号

CES

首席执行官

EBO

首席执行官

FE1*

FE2

CE （ SAT ）

英镑

= -4A ，我

= - 0.4A ，我

= 0.4A

条件

= –60V, V

= 0

= –80V, V

= 0

= -30V ，我

= 0

= -60V ，我

= 0

= -5V ，我

= 0

= -30mA ，我

= 0

= -4V ，我

= –1A

= -4V ，我

= –3A

= -4V ，我

= –3A

= -4A ，我

= – 0.4A

= -10V ，我

= - 0.1A ， F = 1MHz的

0.2

0.5

0.2

–60

–80

民

典型值

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

N型封装（ DS ）

最大

–400

–700

–1

3.0

–0.2

+0.4

单位

正向电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

FE1

250

–2

–1.5

兆赫

等级分类

70至150

120至250

注）括号内显示常规零件号的零件号。

秩

FE1

功率晶体管

- TA

–6

(1) T

= TA

（2）在一个50

2mm

铝散热器

（ 3 ）不带散热片

=1.3W)

=–120mA

–5

=25C

2SB0930 ， 2SB0930A

— V

–10

=–4V

— V

集电极耗散功率P

(W)

(2)

(3)

(1)

–100mA

–80mA

集电极电流I

(A)

–4

集电极电流I

(A)

–8

–60mA

–6

25C

=100C

–25C

–3

–40mA

–20mA

–10mA

–4

–2

–1

–8mA

–5mA

–2

80 100 120 140 160

–2

–4

–6

–8

–10

–12

– 0.4

– 0.8

–1.2

–1.6

–2.0

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

(V)

基极至发射极电压V

(V)

CE （ SAT ）

— I

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

–100

=10

–30

–10

–3

–1

25C

=100C

–25C

10000

— I

10000

=–4V

3000

1000

300

100

— I

=–5V

f=1MHz

=25C

正向电流传输比H

1000

25C

300

100

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

=100C

–25C

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.01

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

过渡频率f

（兆赫）

–1

–3

–10

3000

–1

–3

–10

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

安全操作区（ ASO ）

–100

–30

非重复脉冲

=25C

10ms

–1

300ms

t=1ms

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个50

2毫米铝散热片

(1)

(2)

热阻R

（吨）（ C / W）

集电极电流I

(A)

–10

–3

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.01

–1

–3

–10

–30

–100 –300 –1000

–2

–4

–3

–2

–1

集电极到发射极电压V

(V)

时间t （S ）

请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息

并在此材料中描述的半导体

（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的

换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术

＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。

（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-

istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得

物业，给予相对权利，或者给予任何许可。

（3）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-

ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-

struments和家用电器）。

提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：

特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，

燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和

可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或

对人体的危害。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

（ 4 ）在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不

通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购

荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准

确保最新的技术规格满足您的要求。

（ 5 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -

妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -

明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，

所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们

产品。

（ 6 ）使用了该干的包装要求的产品，观察条件（包括保质期

及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。

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从我们公司。

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半导体产品最适合他们的应用程序。

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建议客户联系我们的半导体销售办事处，并获得最新信息

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B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性，但

总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此，

松下将不承担任何错误等，可能AP-而引起的任何损失承担任何责任

梨在这种材料。

C.这些材料仅适用于客户的个人使用。

因此，如果没有松下的事先书面同意，任何其他用途，如再现，

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2001年MAR