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A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB826
描述
·带
的TO-220封装
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2SD1062
ùWide
安全工作区
应用
·继电器
司机，
- 高速
逆变器，转换器
■一般
大电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-60
-50
-6
-12
-15
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -1mA ; R
BE
=∞
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
=-6A;I
B
=-0.3A
V
CB
=-40V;I
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
30
10
民
-50
-60
-6
典型值。
2SB826
最大
单位
V
V
V
-0.5
-0.1
-0.1
280
V
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5.0A ;我
B1
=- I
B2
=0.5A
0.2
0.1
0.4
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB826
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB826
4
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB826
描述
·带
的TO-220封装
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2SD1062
ùWide
安全工作区
应用
·继电器
司机，
- 高速
逆变器，转换器
■一般
大电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-60
-50
-6
-12
-15
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -1mA ; R
BE
=∞
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
=-6A;I
B
=-0.3A
V
CB
=-40V;I
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
30
10
民
-50
-60
-6
典型值。
2SB826
最大
单位
V
V
V
-0.5
-0.1
-0.1
280
V
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5.0A ;我
B1
=- I
B2
=0.5A
0.2
0.1
0.4
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB826
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB826
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB826
描述
·采用TO- 220封装
·低集电极饱和电压
·补键入2SD1062
·安全运行的广域
应用
·继电器驱动器，
·高速逆变器，转换器
·一般高电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-60
-50
-6
-12
-15
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -1mA ; R
BE
=:
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
=-6A;I
B
=-0.3A
V
CB
=-40V;I
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
30
10
民
-50
-60
-6
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
2SB826
典型值。
最大
单位
V
V
V
-0.5
-0.1
-0.1
280
V
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5.0A ;我
B1
=- I
B2
=0.5A
0.2
0.1
0.4
s
s
s
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB826
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB826
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB826
描述
·带
的TO-220封装
ULOW
集电极饱和电压
.Complement
键入2SD1062
ùWide
安全工作区
应用
·继电器
司机，
- 高速
逆变器，转换器
■一般
大电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
固电
IN
导½
半
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
-60
-50
-6
-12
-15
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
40
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -1mA ; R
BE
=∞
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
=-6A;I
B
=-0.3A
V
CB
=-40V;I
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
30
10
民
-50
-60
-6
典型值。
2SB826
最大
单位
V
V
V
-0.5
-0.1
-0.1
280
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
s
t
f
固电
下降时间
导½
半
开启时间
贮存时间
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
IN
昂
CH
S
140-280
MIC
ê SE
I
C
= 5.0A ;我
B1
=- I
B2
=0.5A
ND
O
OR
UCT
0.2
0.1
0.4
兆赫
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB826
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB826
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
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22-05-3191
2SC5076Y
24FC512-EMC
2SC3637
225493411547
27C256-20E/K
295T324F253B22
2302122470
2SB852K_1
2SC5709TP
209-930-23-38
2SD1706Q
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SB826
    -
    -
    -
    -
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全新原装正品/质量有保证
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