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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3637
描述
·带
TO- 3PN封装
电压,高速
可靠性
应用
·超高解像度
CRT显示器的水平
偏转输出应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
900
500
7
10
20
90
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
CE
= 900V ;
BE
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
8
500
2SC3637
典型值。
最大
单位
V
2.0
1.5
10
0.5
1.0
V
V
μA
mA
mA
开关时间
t
s
t
f
贮存时间
V
CC
=200V;I
C
=5A;
I
B1
= 1A ;我
B2
=-2A
下降时间
0.1
0.2
3.0
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3637
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3637
4
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3637
描述
·带
TO- 3PN封装
电压,高速
可靠性
应用
·超高解像度
CRT显示器的水平
偏转输出应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
900
500
7
10
20
90
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
CE
= 900V ;
BE
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
8
500
2SC3637
典型值。
最大
单位
V
2.0
1.5
10
0.5
1.0
V
V
μA
mA
mA
开关时间
t
s
t
f
贮存时间
V
CC
=200V;I
C
=5A;
I
B1
= 1A ;我
B2
=-2A
下降时间
0.1
0.2
3.0
μs
μs
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3637
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3637
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3637
描述
·带
TO- 3PN封装
电压,高速
可靠性
应用
·超高解像度
CRT显示器的水平
偏转输出应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
OR
CT
U
价值
900
500
7
10
20
90
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
CE
= 900V ;
BE
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
8
500
2SC3637
典型值。
最大
单位
V
2.0
1.5
10
0.5
1.0
V
V
μA
mA
mA
开关时间
t
s
t
f
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
贮存时间
V
CC
=200V;I
C
=5A;
I
B1
= 1A ;我
B2
=-2A
下降时间
OR
CT
U
3.0
0.1
0.2
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3637
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3637
导½
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3637
描述
·采用TO- 3PN封装
·高电压,高转速
高可靠性
应用
·超高清晰度CRT显示器的水平
偏转输出应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
900
500
7
10
20
90
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
CE
= 900V ;
BE
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
8
500
2SC3637
符号
V
CEO ( SUS )
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
2.0
1.5
10
0.5
1.0
V
V
A
mA
mA
开关时间
t
s
t
f
贮存时间
下降时间
3.0
0.1
0.2
s
s
V
CC
=200V;I
C
=5A;
I
B1
= 1A ;我
B2
=-2A
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3637
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3637
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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电话:0755-83264115
联系人:朱生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
2SC3637
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12+
10000
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