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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第301页 > 2SB792A
晶体管
2SB792 ， 2SB792A
PNP硅外延平面型
对于高击穿电压低噪声放大
补充2SD814
2.8
–0.3
+0.2
单位：mm
s
特点
q
q
q
0.65±0.15
+0.25
1.5
–0.05
0.65±0.15
s
绝对最大额定值
(Ta=25C)
1.1
–0.1
+0.2
2
集电极
基极电压
集电极
2SB792
2SB792A
2SB792
–185
–150
–185
–5
–100
–50
200
150
–55 ~ +150
发射极电压2SB792A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
V
mA
mA
mW
C
C
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
JEDEC ： TO- 236
EIAJ ： SC- 59
迷你型包装
标记符号：
I
(2SB792)
2F
(2SB792A)
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SB792
2SB792A
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NV
条件
V
CB
= -100V ，我
E
= 0
I
C
= -100μA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA
I
C
= -30μA ，我
B
= -3mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 10毫安中，f = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA ，G
V
= 80分贝，
R
g
= 100kΩ的，功能= FLAT
200
4
150
–150
–185
–5
130
130
450
330
–1
V
兆赫
pF
mV
民
典型值
最大
–1
单位
A
V
V
发射器基极电压
正向电流
传输比
2SB792
2SB792A
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声电压
*
h
FE
等级分类
秩
h
FE
R
130 ~ 220
2SB792
2SB792A
IR
2FR
S
185 ~ 330
IS
2FS
T
260 ~ 450
IT
—
记号
符号
0-0.1
V
CBO
–150
V
为0.1 0.3
0.4±0.2
0.8
参数
符号
评级
单位
0.16
–0.06
+0.1
0.4
–0.05
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
低噪声电压NV 。
迷你型封装，设备，允许小型化，
通过带包装盒自动插入
包装。
0.95
2.9
–0.05
1
1.9±0.2
+0.2
0.95
3
+0.1
1.45
1
晶体管
P
C
- TA
240
–100
Ta=25C
–90
200
I
B
=–10mA
–9mA
–8mA
–7mA
–6mA
–5mA
–4mA
–3mA
–100
2SB792 ， SB792A
I
C
— V
CE
–120
V
CE
=–5V
25C
Ta=75C
–80
–25C
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
160
–70
–60
–50
–40
–30
–20
–10
120
集电极电流I
C
（MA ）
–12
–80
–60
80
–2mA
–40
40
–1mA
–20
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
0
– 0.4
– 0.8
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
25C
–25C
I
C
/I
B
=10
600
h
FE
— I
C
250
V
CE
=–5V
225
500
f
T
— I
E
V
CB
=–10V
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
（兆赫）
–10
–30
–100
200
175
150
125
100
75
50
25
400
Ta=75C
300
25C
–25C
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.1 – 0.3
200
100
–1
–3
–10
–30
–100
0
–0.1 –0.3
–1
–3
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
10
集电极输出电容C
ob
（PF ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
–1
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
2
晶体管
2SB0792
(2SB792)
， 2SB0792A
(2SB792A)
PNP硅外延平面型
对于高击穿电压低噪声放大
单位：mm
■
特点
高集电极 - 发射极电压（基本开）V
首席执行官
低噪声电压NV
迷你型封装，设备，允许小型化，
通过带包装盒自动插入
填料
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
0.16
+0.10
–0.06
1
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
2SB0792
2SB0792A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
等级
150
185
150
185
5
50
100
200
150
55
to
+150
V
mA
mA
mW
°C
°C
V
单位
V
10
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
1.1
+0.2
–0.1
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
标记符号：
2SB0792 ：我
2SB0792A ： 2F
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压
（基地开）
2SB0792
2SB0792A
V
EBO
I
CBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NV
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CB
= 100
V，I
E
=
0
V
CE
= 5
V，I
C
= 10
mA
I
C
= 30
妈，我
B
= 3
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
10毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
V
CE
= 10
V，I
C
= 1
毫安，G
V
=
80分贝
R
g
=
100 kΩ的，功能
=
平
200
4
150
130
130
符号
V
首席执行官
条件
I
C
= 100 A,
I
B
=
0
民
150
185
5
1
450
330
1
V
兆赫
pF
mV
V
A
典型值
最大
单位
V
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
正向电流传输
比
*
2SB0792
2SB0792A
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
噪声电压
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE
记号
符号
2SB0792
2SB0792A
R
130至220
IR
2FR
S
185至330
IS
2FS
T
260 450
IT
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2003年3月
SJC00058BED
0-0.1
集电极 - 发射极电压2SB0792
（基地开）
2SB0792A
1.1
+0.3
–0.1
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
EIAJ ： SC- 59
Mini3 -G1封装
0.4
±0.2
5
1
2SB0792 ， 2SB0792A
P
C
T
a
240
I
C
V
CE
100
T
a
=
25°C
I
B
= 10
mA
9
mA
8
mA
7
mA
6
mA
5
mA
4
mA
3
mA
40
2
mA
20
1
mA
I
C
V
BE
120
25°C
T
a
=
75°C
25°C
V
CE
= 5
V
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
200
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
80
100
160
80
60
120
60
80
40
40
20
0
0
40
80
120
160
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
600
h
FE
I
C
V
CE
= 5
V
f
T
I
E
250
V
CB
= 10
V
T
a
=
25°C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
（兆赫）
10
100
500
10
200
400
T
a
=
75°C
25°C
25°C
150
1
T
a
=
75°C
25°C
25°C
300
100
200
0.1
100
50
0.01
0.1
1
10
100
0
0.1
1
0
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
10
I
E
=
0
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
8
6
4
2
0
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
2
SJC00058BED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
晶体管
2SB792 ， 2SB792A
PNP硅外延平面型
对于高击穿电压低噪声放大
补充2SD814
2.8
–0.3
+0.2
单位：mm
s
特点
q
q
q
0.65±0.15
+0.25
1.5
–0.05
0.65±0.15
s
绝对最大额定值
(Ta=25C)
1.1
–0.1
+0.2
2
集电极
基极电压
集电极
2SB792
2SB792A
2SB792
–185
–150
–185
–5
–100
–50
200
150
–55 ~ +150
发射极电压2SB792A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
V
mA
mA
mW
C
C
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
JEDEC ： TO- 236
EIAJ ： SC- 59
迷你型包装
标记符号：
I
(2SB792)
2F
(2SB792A)
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SB792
2SB792A
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NV
条件
V
CB
= -100V ，我
E
= 0
I
C
= -100μA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA
I
C
= -30μA ，我
B
= -3mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 10毫安中，f = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA ，G
V
= 80分贝，
R
g
= 100kΩ的，功能= FLAT
200
4
150
–150
–185
–5
130
130
450
330
–1
V
兆赫
pF
mV
民
典型值
最大
–1
单位
A
V
V
发射器基极电压
正向电流
传输比
2SB792
2SB792A
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声电压
*
h
FE
等级分类
秩
h
FE
R
130 ~ 220
2SB792
2SB792A
IR
2FR
S
185 ~ 330
IS
2FS
T
260 ~ 450
IT
—
记号
符号
0-0.1
V
CBO
–150
V
为0.1 0.3
0.4±0.2
0.8
参数
符号
评级
单位
0.16
–0.06
+0.1
0.4
–0.05
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
低噪声电压NV 。
迷你型封装，设备，允许小型化，
通过带包装盒自动插入
包装。
0.95
2.9
–0.05
1
1.9±0.2
+0.2
0.95
3
+0.1
1.45
1
晶体管
P
C
- TA
240
–100
Ta=25C
–90
200
I
B
=–10mA
–9mA
–8mA
–7mA
–6mA
–5mA
–4mA
–3mA
–100
2SB792 ， SB792A
I
C
— V
CE
–120
V
CE
=–5V
25C
Ta=75C
–80
–25C
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
160
–70
–60
–50
–40
–30
–20
–10
120
集电极电流I
C
（MA ）
–12
–80
–60
80
–2mA
–40
40
–1mA
–20
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
0
– 0.4
– 0.8
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
25C
–25C
I
C
/I
B
=10
600
h
FE
— I
C
250
V
CE
=–5V
225
500
f
T
— I
E
V
CB
=–10V
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
（兆赫）
–10
–30
–100
200
175
150
125
100
75
50
25
400
Ta=75C
300
25C
–25C
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.1 – 0.3
200
100
–1
–3
–10
–30
–100
0
–0.1 –0.3
–1
–3
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
10
集电极输出电容C
ob
（PF ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
–1
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
2
晶体管
2SB792 ， 2SB792A
PNP硅外延平面型
对于高击穿电压低噪声放大
补充2SD814
2.8
–0.3
+0.2
单位：mm
s
特点
q
q
q
0.65±0.15
+0.25
1.5
–0.05
0.65±0.15
s
绝对最大额定值
(Ta=25C)
1.1
–0.1
+0.2
2
集电极
基极电压
集电极
2SB792
2SB792A
2SB792
–185
–150
–185
–5
–100
–50
200
150
–55 ~ +150
发射极电压2SB792A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
V
mA
mA
mW
C
C
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
JEDEC ： TO- 236
EIAJ ： SC- 59
迷你型包装
标记符号：
I
(2SB792)
2F
(2SB792A)
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SB792
2SB792A
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NV
条件
V
CB
= -100V ，我
E
= 0
I
C
= -100μA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA
I
C
= -30μA ，我
B
= -3mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 10毫安中，f = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA ，G
V
= 80分贝，
R
g
= 100kΩ的，功能= FLAT
200
4
150
–150
–185
–5
130
130
450
330
–1
V
兆赫
pF
mV
民
典型值
最大
–1
单位
A
V
V
发射器基极电压
正向电流
传输比
2SB792
2SB792A
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声电压
*
h
FE
等级分类
秩
h
FE
R
130 ~ 220
2SB792
2SB792A
IR
2FR
S
185 ~ 330
IS
2FS
T
260 ~ 450
IT
—
记号
符号
0-0.1
V
CBO
–150
V
为0.1 0.3
0.4±0.2
0.8
参数
符号
评级
单位
0.16
–0.06
+0.1
0.4
–0.05
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
低噪声电压NV 。
迷你型封装，设备，允许小型化，
通过带包装盒自动插入
包装。
0.95
2.9
–0.05
1
1.9±0.2
+0.2
0.95
3
+0.1
1.45
1
晶体管
P
C
- TA
240
–100
Ta=25C
–90
200
I
B
=–10mA
–9mA
–8mA
–7mA
–6mA
–5mA
–4mA
–3mA
–100
2SB792 ， SB792A
I
C
— V
CE
–120
V
CE
=–5V
25C
Ta=75C
–80
–25C
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
160
–70
–60
–50
–40
–30
–20
–10
120
集电极电流I
C
（MA ）
–12
–80
–60
80
–2mA
–40
40
–1mA
–20
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
0
– 0.4
– 0.8
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
25C
–25C
I
C
/I
B
=10
600
h
FE
— I
C
250
V
CE
=–5V
225
500
f
T
— I
E
V
CB
=–10V
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
（兆赫）
–10
–30
–100
200
175
150
125
100
75
50
25
400
Ta=75C
300
25C
–25C
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.1 – 0.3
200
100
–1
–3
–10
–30
–100
0
–0.1 –0.3
–1
–3
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
10
集电极输出电容C
ob
（PF ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
–1
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
2
SMD型
PNP硅外延平面型
2SB792,2SB792A
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
高集电极 - 发射极电压V
首席执行官
低噪声电压NV
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
2SB792
2SB792A
集电极 - 发射极电压
2SB792
2SB792A
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
-150
-185
-150
-185
-5
-50
-100
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极电压
2SB792
2SB792A
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极截止电流
正向电流传输比
2SB792
2SB792A
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= -30毫安，我
B
= -3毫安
f
T
C
ob
NV
V
CE
= -10 V，I
C
= -10毫安， F = 200 MHz的
V
CB
= -10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
= -10 V，I
C
= -1毫安，G
V
= 80分贝
RG = 100kΩ的，功能= FLAT
200
4
150
V
EBO
I
CBO
h
FE
I
E
= -10 IA ，我
C
= 0
V
CB
= -100 V，I
E
= 0
V
CE
= -5 V，I
C
= -10毫安
130
130
符号
V
首席执行官
Testconditons
I
C
= -100 IA ，我
B
= 0
民
-150
-185
-5
-1
450
330
-1
V
兆赫
pF
mV
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
h
FE
分类
记号
秩
h
FE
2SB792
2SB792A
IR
2FR
R
130 220
IS
2FS
S
185 330
T
260 450
IT
+0.1
0.38
-0.1
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产品speci fi cation
2SB792,2SB792A
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
高集电极 - 发射极电压V
首席执行官
低噪声电压NV
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
2SB792
2SB792A
集电极 - 发射极电压
2SB792
2SB792A
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
-150
-185
-150
-185
-5
-50
-100
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极电压
2SB792
2SB792A
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极截止电流
正向电流传输比
2SB792
2SB792A
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= -30毫安，我
B
= -3毫安
f
T
C
ob
NV
V
CE
= -10 V，I
C
= -10毫安， F = 200 MHz的
V
CB
= -10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
= -10 V，I
C
= -1毫安，G
V
= 80分贝
RG = 100kΩ的，功能= FLAT
200
4
150
V
EBO
I
CBO
h
FE
I
E
= -10 IA ，我
C
= 0
V
CB
= -100 V，I
E
= 0
V
CE
= -5 V，I
C
= -10毫安
130
130
符号
V
首席执行官
Testconditons
I
C
= -100 IA ，我
B
= 0
民
-150
-185
-5
-1
450
330
-1
V
兆赫
pF
mV
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
h
FE
分类
记号
秩
h
FE
2SB792
2SB792A
IR
2FR
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130 220
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2FS
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185 330
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