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2SA1382

东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）

2SA1382

功率放大器的应用

高速开关应用

单位：mm

高直流电流增益：H

= 150 400（我

0.5

低集电极饱和电压： V

CE （SAT）

0.5

V（最大值）（我

高速开关：吨

英镑

= 1.0

μs

（典型值）。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

PEAK

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

900

150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

TO-92MOD

―

2-5J1A

重量：0.58克（典型值）。

注1 ：高负荷下连续使用（如应用程序

温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致本产品

减少在可靠性显著即使操作条件（即操作

温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告

和估计故障率等）。

2009-12-21

2SA1382

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

开启时间

符号

CBO

EBO

（ BR ） CEO

FE （1）

FE （2）

CE （SAT）

BE （SAT）

μs

开关时间

贮存时间

英镑

输入

测试条件

V，I

= 0

V，I

= 0

妈，我

= 0

V，I

0.5

V，I

1.5

A，I

0.033

A，I

0.033

V，I

0.5

V，I

= 0中，f = 1 MHz的

产量

30 Ω

民

―

150

―

典型值。

―

0.2

0.9

110

0.2

最大

0.1

―

400

―

0.5

1.2

―

兆赫

单位

μA

―

1.0

―

μs

下降时间

= 0.033 A，I

= 0.033 A,

占空比

≤

―

0.2

―

记号

A1382

产品型号（或缩写代码）

LOT号

Note2

注2 ：根据批号的行标识产品标签的指示。

没有下划线： [铅] /包括> MCV

下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如RoHS指令

产品的兼容性。 RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27局的

2003年1月关于在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。

2009-12-21

2SA1382

– V

2.0

1.6

1.2

0.8

2.0

常见

辐射源

TA = 25°C

– I

IB =

1.2

0.8

0.4

共发射极

TA =

55°C

(V)

集电极 - 发射极电压

集电极电流I

(A)

1.6

0.4

IB =

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

集电极 - 发射极电压

(V)

集电极电流I

(A)

– I

2.0

IB =

2.0

IB =

1.6

1.2

0.8

– I

1.2

(V)

集电极 - 发射极电压

1.6

集电极 - 发射极电压

0.8

0.4

共发射极

TA = 25°C

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

0.4

共发射极

TA = 100℃

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

– I

1000

500

TA = 100℃

100

共发射极

VCE =

0.01

0.03

0.1

0.3

CE （SAT）

– I

集电极 - 发射极饱和电压

CE （SAT）

(V)

0.5

0.3

直流电流增益

300

0.1

0.05

0.03

TA = 100℃

共发射极

IC / IB = 30

0.01

0.03

0.1

0.3

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

2009-12-21

2SA1382

BE （SAT）

– I

共发射极

2.0

IC / IB = 30

– V

共发射极

VCE =

1.6

基射极饱和电压

BE （SAT）

(V)

集电极电流I

(A)

TA =

55°C

100

0.5

0.3

1.2

TA = 100℃

0.8

0.4

0.1

0.01

0.03

0.1

0.3

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

集电极电流I

(A)

基射极电压

(V)

- TA

1000

800

安全工作区

集成电路最大值（脉冲） *

IC MAX（连续）

100毫秒*

1 s*

100

μs*

1毫秒*

集电极耗散功率P

（ mW）的

600

(A)

0.5

0.3

直流操作

TA = 25°C

0.1

0.05

0.03

10毫秒*

400

200

集电极电流I

单一不重复的脉冲

TA = 25°C

曲线必须是线性降额

同的温度升高。

最大VCEO

100

120

160

200

240

环境温度Ta （C ）

0.01

0.3

集电极 - 发射极电压V

(V)

2009-12-21

2SA1382

限制产品使用

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产品，或纳入产品到他们自己的应用程序，用户还必须参考，并符合第（一）的最新版本

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对于产品，并提出了“东芝半导体可靠性手册”中的注意事项和条件，（二）

与该产品将被用于或应用程序的说明。客户全权负责各方面的

自己的产品设计和应用，包括但不限于：（ a）确定在这样的使用本产品的适当性

设计或应用程序; （二）评估和确定的任何信息本文件所载的适用性，或图表，

图表，程序，算法，样本应用电路，或任何其他引用的文件; （三）确认所有操作

参数对这样的设计和应用。

东芝半导体公司没有责任为客户的产品设计或

应用程序。

产品适用于一般电子设备的应用程序（使用例如，计算机，个人设备，办公设备，测量

设备，工业机器人和家用电子电器），或针对特定应用本文件中的明确规定。

产品既不打算也不保证在设备或系统的使用要求非常高的质量水平和/或

可靠性和/或故障或故障可能导致人的生命，人身伤害，严重财产损失或严重损失

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在航空航天工业，医疗设备，用于汽车，火车，轮船等运输，交通信号设备

设备，用来控制发火或爆炸，安全装置，电梯和自动扶梯设备，相关电力设备

电力，装备财务相关领域。不要使用产品的误用，除非在此特别许可

文档。

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不遵守适用的法律和法规。

2009-12-21