晶体管
P
C
- TA
1.2
–1.2
2SB1473
I
C
— V
CE
500
Ta=25C
–1.0
–9mA
–8mA
–7mA
–6mA
–5mA
–4mA
–3mA
–2mA
–1mA
I
B
=–10mA
450
400
350
300
250
200
150
100
50
Ta=100C
h
FE
— I
C
V
CE
=–10V
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
0.8
– 0.8
0.6
– 0.6
0.4
– 0.4
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(A)
印刷circut板：铜
为1cm箔领域
2
或更多，并且
的1.7毫米板厚度
对于集电部。
0.2
– 0.2
25C
–25C
0
0
40
80
120
160
200
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
25C
–25C
I
C
/I
B
=10
320
f
T
— I
E
V
CB
=–10V
Ta=25C
–100
–30
–10
–3
–1
过渡频率f
T
（兆赫）
–1
–3
–10
280
240
200
160
120
80
40
0
1
3
10
30
100
Ta=–25C
25C
75C
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
50
集电极输出电容C
ob
（PF ）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1
3
10
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
30
100
集电极基极电压V
CB
(V)
2
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