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数据表
硅功率晶体管
2SC4554
NPN硅外延型晶体管
切换
该2SC4554是特别适用于低的设计的功率晶体管
集电极饱和电压和功能的大电流开关在
低功耗。
此外,高
FE
能够减轻驾驶员的负担。
封装图(单位:mm )
特点
FE
低V
CE ( SAT )
:
h
FE
800 (V
CE
= 2 V,I
C
= 5 A)
V
CE ( SAT )
0.12 V(I
C
= 5 A,I
B
= 0.05 A)
在-芯片C至E阻尼二极管
模具包,不需要绝缘板或
绝缘套管
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流(DC)的
总功耗
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
*
I
B( DC )
P
T
( TC = 25 ° C)
P
T
( TA = 25°C )
T
j
T
英镑
评级
100
100
7.0
±15
±22
4.0
35
2.0
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
电极连接
1.基地
2.收集
3.辐射源
等效电路
* PW
10毫秒,占空比
50%
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D15600EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2002年4月 CP ( K)
日本印刷
2002
1998
2SC4554
电气特性(Ta = 25 ° C)
°
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
集电极饱和电压
集电极饱和电压
集电极饱和电压
基本饱和电压
增益带宽积
集电极电容
开启时间
贮存时间
下降时间
二极管的正向电压
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
CE(sat)3
V
CE(sat)4
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
DF
I
DF
= 10 A
条件
V
CB
= 100 V,I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V,I
C
= 0
V
CE
= 2.0 V,I
C
= 5.0 A
V
CE
= 2.0 V,I
C
= 10 A
I
C
= 5.0 A,I
B
= 100毫安
I
C
= 5.0 A,I
B
= 50毫安
I
C
= 10 A,I
B
= 200毫安
I
C
= 10 A,I
B
= 100毫安
I
C
= 10 A,I
B
= 100毫安
V
CE
= 5.0 V,I
C
= 1.0 A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
I
C
= 8.0 A,R
L
= 2.0
,
I
B1
=
I
B2
= 80 mA时, V
CC
16 V
参考测试电路。
0.5
1.6
100
210
0.5
2.0
0.12
450
150
0.25
0.3
0.4
0.75
1.2
V
V
V
V
V
兆赫
pF
800
分钟。
典型值。
马克斯。
10
17
2,000
单位
A
mA
s
s
s
V
切换时间(T
on
, t
英镑
, t
f
)测试电路
基极电流
波形
集电极电流
波形
2
数据表D15600EJ2V0DS
2SC4554
典型特性( TA = 25 ° C)
°
总功耗P
T
(W)
案例温度T
C
(°C)
I
C
降额的dT ( % )
案例温度T
C
(°C)
集电极电流I
C
(A)
单脉冲
集电极到发射极电压V
CE
(V)
瞬态热阻R
(t)
( ° C / W)
无需散热器
具有无穷散热器
脉冲宽度PW (S )
数据表D15600EJ2V0DS
3
2SC4554
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流增益
FE
集电极电流I
C
(A)
集电极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
集电极电流I
C
(A)
基本饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
集电极电流I
C
(A)
4
数据表D15600EJ2V0DS
2SC4554
[备忘录]
数据表D15600EJ2V0DS
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SC4554
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    -
    -
    -
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联系人:王
地址:虎丘区龙湖中心1302室
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