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数据表

硅功率晶体管

2SC4554

NPN硅外延型晶体管

切换

该2SC4554是特别适用于低的设计的功率晶体管

集电极饱和电压和功能的大电流开关在

低功耗。

此外，高

能够减轻驾驶员的负担。

封装图（单位：mm ）

特点

高

低V

CE （ SAT ）

800 (V

= 2 V，I

= 5 A)

CE （ SAT ）

0.12 V（I

= 5 A，I

= 0.05 A)

在-芯片C至E阻尼二极管

模具包，不需要绝缘板或

绝缘套管

绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

基极电流（DC）的

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（ DC ）

C（脉冲）

B（ DC ）

（ TC = 25 ° C）

（ TA = 25°C ）

英镑

评级

100

7.0

±15

±22

4.0

2.0

150

+150

单位

°C

电极连接

1.基地

2.收集

3.辐射源

等效电路

* PW

≤

10毫秒，占空比

≤

50%

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证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件D15600EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2002年4月 CP （ K）

日本印刷

2002

1998

2SC4554

电气特性（Ta = 25 ° C）

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极饱和电压

基本饱和电压

增益带宽积

集电极电容

开启时间

贮存时间

下降时间

二极管的正向电压

符号

CBO

EBO

FE1

FE2

CE(sat)1

CE(sat)2

CE(sat)3

CE(sat)4

BE （ SAT ）

英镑

= 10 A

条件

= 100 V，I

= 0

= 5.0 V，I

= 0

= 2.0 V，I

= 5.0 A

= 2.0 V，I

= 10 A

= 5.0 A，I

= 100毫安

= 5.0 A，I

= 50毫安

= 10 A，I

= 200毫安

= 10 A，I

= 100毫安

= 10 A，I

= 100毫安

= 5.0 V，I

= 1.0 A

= 10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= 8.0 A，R

= 2.0

= 80 mA时， V

16 V

参考测试电路。

0.5

1.6

100

210

0.5

2.0

0.12

450

150

0.25

0.3

0.4

0.75

1.2

兆赫

800

分钟。

典型值。

马克斯。

2,000

单位

切换时间（T

, t

英镑

, t

）测试电路

基极电流

波形

集电极电流

波形

数据表D15600EJ2V0DS

2SC4554

典型特性（ TA = 25 ° C）

总功耗P

(W)

案例温度T

(°C)

降额的dT （％）

案例温度T

(°C)

集电极电流I

(A)

单脉冲

集电极到发射极电压V

(V)

瞬态热阻R

(t)

（ ° C / W）

无需散热器

具有无穷散热器

脉冲宽度PW （S ）

数据表D15600EJ2V0DS

2SC4554

集电极电流I

(A)

集电极到发射极电压V

(V)

直流电流增益

集电极电流I

(A)

集电极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

集电极电流I

(A)

基本饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

集电极电流I

(A)

数据表D15600EJ2V0DS

2SC4554

[备忘录]

数据表D15600EJ2V0DS

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