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晶体管
2SB1438
PNP硅外延平面型
对于低频输出放大
单位：mm
6.9±0.1
0.15
1.05 2.5±0.1
±0.05
(1.45)
0.8
0.5
4.5±0.1
0.7
4.0
s
特点
q
q
q
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
让供应与径向录音。
0.65最大。
1.0 1.0
0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
(Ta=25C)
评级
–100
–100
–5
–3
–2
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
0.45
–0.05
0.45
–0.05
+0.1
+0.1
2.5±0.5
2.5±0.5
2
3
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
1
注意：除了
所示引线型
上图所示，
在如图所示键入
下图是
也可提供。
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
MT2类型封装
印刷电路板：为1cm铜箔区
2
以上，板
厚度1.7毫米的集电极部
1.2±0.1
0.65
马克斯。
0.45
+0.1
– 0.05
2.5±0.1
（ HW型）
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -1mA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -2V ，我
C
= -200mA
V
CE
= -2V ，我
C
= –1A
*2
I
C
= -1A ，我
B
= -50mA
*2
I
C
= -1A ，我
B
= -50mA
*2
V
CB
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
–100
–100
–5
120
60
– 0.17
– 0.85
90
70
*2
民
典型值
最大
– 0.1
14.5±0.5
单位
A
V
V
V
340
– 0.3
–1.2
V
V
兆赫
90
pF
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
R
120 ~ 240
S
170 ~ 340
秩
h
FE1
1
晶体管
P
C
- TA
1.2
–2.0
印刷circut板：铜
为1cm箔领域
2
或更多，并且
的1.7毫米板厚度
对于集电部。
Ta=25C
–1.8
2SB1438
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–10
–3
–1
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=20
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
集电极电流I
C
(A)
–1.6
–1.4
–1.2
–1.0
I
B
=–8mA
–7mA
–6mA
–5mA
–4mA
–3mA
–2mA
0.8
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
25C
Ta=100C
0.6
– 0.8
– 0.6
– 0.4
– 0.2
–25C
0.4
0.2
– 0.003
– 0.001
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1mA
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
–1
–3
–10
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=20
500
V
CE
=–2V
200
180
450
400
350
300
Ta=100C
250
200
150
100
50
0
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
25C
–25C
f
T
— I
E
V
CB
=–10V
Ta=25C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
过渡频率f
T
（兆赫）
–1
–3
–10
–30
–10
–3
25C
–1
100C
Ta=–25C
正向电流传输比H
FE
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
3
10
30
100
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
240
集电极输出电容C
ob
（PF ）
200
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
160
120
80
40
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
2
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26-03-3211
22-29-2061
255MABA02KI
2SK1818
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