23A640/23K640
64K SPI总线的低功耗串行SRAM
器件选型表
产品型号
23K640
23A640
V
CC
范围
2.7-3.6V
1.5-1.95V
PAGE SIZE
32字节
32字节
温度。范围
I，E
I
套餐
P， SN ， ST
P， SN ， ST
产品特点：
马克斯。时钟20MHz的
低功耗CMOS技术：
- 读电流： 3毫安在1 MHz
- 待机电流： 4
A
马克斯。在+ 85°C
8192 ×8位的组织
32字节页
HOLD引脚
灵活的操作模式：
- 字节读写
- 页面模式（ 32字节页）
- 顺序模式
连续读/写
高可靠性
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
- 汽车（ E） ：
无铅和符合RoHS ，无卤素
描述：
Microchip Technology Inc.的23X640是64千
串行SRAM器件。该存储器通过一个访问
简单的串行外设接口（ SPI ）兼容
串行总线。所需的总线信号的时钟输入
（SCK ），加上在（SI）的单独的数据和数据输出（SO ）
线。对设备的访问是通过一个芯片控制
选择（ CS ）输入。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，
对输入信号的变化都将被忽略，与
除片选，允许主机服务
高优先级中断。
该23X640是标准的封装
包括8引脚PDIP和SOIC封装，以及先进
包装包括8引脚TSSOP封装。
封装类型（不按比例）
引脚功能表
名字
CS
SO
V
SS
SI
SCK
HOLD
V
CC
功能
片选输入
串行数据输出
地
串行数据输入
串行时钟输入
HOLD输入
电源电压
PDIP / SOIC / TSSOP
（P ， SN ， ST ）
CS
SO
NC
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
2010 Microchip的技术公司
DS22126D第1页
23X640
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................4.5V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.3V到V
CC
+0.3V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-40°C至125℃的
所有引脚的ESD保护...........................................................................................................................................2kV
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
工业级（I ） ：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
汽车（ E） ：T已
A
= -40 ° C至+ 125°C
分钟。
1.5
2.7
.7 V
CC
-0.3
—
V
CC
-0.5
—
—
—
—
—
—
待机电流
—
—
1
5
4
10
7
—
1.2
—
典型值
(1)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
马克斯。
1.95
3.6
V
CC
+0.3
0.2xV
CC
0.2
—
±0.5
±0.5
3
6
10
1
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
A
A
A
pF
V
I
OL
= 1毫安
I
OH
= -400
A
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS或
V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS或
V
CC
F
CLK
= 1 MHz的; SO = O
F
CLK
= 10 MHz的; SO = O
F
CLK
= 20 MHz的; SO = O
CS = V
CC
= 1.8V ，输入连接到V
CC
或V
SS
CS = V
CC
= 3.6V ，输入连接到V
CC
或V
SS
CS = V
CC
= 3.6V ，输入连接到V
CC
或V
SS
@ 125°C
V
CC
= 0V ， F = 1 MHz时，TA = 25℃
（注
1)
测试条件
23A640 （ I-温度）
23K640 （ I， E-温度）
DC特性
参数。
号
D001
D001
D002
D003
D004
D005
D006
D007
D008
符号。
V
CC
V
CC
V
IH
V
IL
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
CC
读
工作电流
D009
I
CCS
特征
电源电压
电源电压
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏
当前
输出漏
当前
D010
D011
注1 ：
2:
C
INT
V
DR
输入电容
RAM数据保持
电压
(2)
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。在室温采取典型的测量
温度（25 ℃）。
这是极限到V
DD
可以在不丢失RAM数据被降低。此参数是周期性
采样，而不是100 ％测试。
DS22126D第2页
2010 Microchip的技术公司
23A640/23K640
64K SPI总线的低功耗串行SRAM
器件选型表
产品型号
23K640
23A640
V
CC
范围
2.7-3.6V
1.5-1.95V
PAGE SIZE
32字节
32字节
温度。范围
I，E
I
套餐
P， SN ， ST
P， SN ， ST
产品特点：
马克斯。时钟20MHz的
低功耗CMOS技术：
- 读电流： 3毫安在1 MHz
- 待机电流： 4
μA
马克斯。在+ 85°C
8192 ×8位的组织
32字节页
HOLD引脚
灵活的操作模式：
- 字节读写
- 页面模式（ 32字节页）
- 顺序模式
连续读/写
高可靠性
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
- 汽车（ E） ：
无铅和符合RoHS ，无卤素
描述：
Microchip Technology Inc.的23X640是64千
串行SRAM器件。该存储器通过一个访问
简单的串行外设接口（ SPI ）兼容
串行总线。所需的总线信号的时钟输入
（SCK ），加上在（SI）的单独的数据和数据输出（SO ）
线。对设备的访问是通过一个芯片控制
选择（ CS ）输入。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，
对输入信号的变化都将被忽略，与
除片选，允许主机服务
高优先级中断。
该23X640是标准的封装
包括8引脚PDIP和SOIC封装，以及先进
包装包括8引脚TSSOP封装。
封装类型（不按比例）
引脚功能表
名字
CS
SO
V
SS
SI
SCK
HOLD
V
CC
功能
片选输入
串行数据输出
地
串行数据输入
串行时钟输入
HOLD输入
电源电压
NC
V
SS
3
4
6
5
SCK
SI
CS
SO
1
2
8
7
V
CC
HOLD
PDIP / SOIC / TSSOP
（P ， SN ， ST ）
2009年Microchip的科技公司
DS22126C第1页
23A640/23K640
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................4.5V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.3V到V
CC
+0.3V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-40°C至125℃的
所有引脚的ESD保护...........................................................................................................................................2kV
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
工业级（I ） ：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
汽车（ E） ：T已
A
= -40 ° C至+ 125°C
分钟。
1.5
2.7
.7 V
CC
-0.3
—
V
CC
-0.5
—
—
—
—
—
—
待机电流
—
—
1
5
4
10
7
—
1.2
—
μA
μA
pF
V
典型值
(1)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
200
马克斯。
1.95
3.6
V
CC
+0.3
0.2xV
CC
0.2
—
±0.5
±0.5
3
6
10
500
单位
V
V
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
mA
nA
I
OL
= 1毫安
I
OH
= -400
μA
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS或
V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS或
V
CC
F
CLK
= 1 MHz的; SO = O
F
CLK
= 10 MHz的; SO = O
F
CLK
= 20 MHz的; SO = O
CS = V
CC
= 1.8V ，输入连接到V
CC
或V
SS
CS = V
CC
= 3.6V ，输入连接到V
CC
或V
SS
CS = V
CC
= 3.6V ，输入连接到V
CC
或V
SS
@ 125°C
V
CC
= 0V ， F = 1 MHz时，TA = 25℃
（注1 ）
测试条件
23A640 （ I-温度）
23K640 （ I， E-温度）
DC特性
参数。
号
D001
D001
D002
D003
D004
D005
D006
D007
D008
符号。
V
CC
V
CC
V
IH
V
IL
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
CC
读
工作电流
D009
I
CCS
特征
电源电压
电源电压
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏
当前
输出漏
当前
D010
D011
注1 ：
2:
C
INT
V
DR
输入电容
RAM数据保持
电压
(2)
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。在室温采取典型的测量
温度（25 ℃）。
这是极限到V
DD
可以在不丢失RAM数据被降低。此参数是周期性
采样，而不是100 ％测试。
DS22126C第2页
2009年Microchip的科技公司
QQ：2880707522 复制
