2SB1409(L)/(S)
PNP硅外延
应用
低频功率放大器互补配对2SD2123 （ L） / （ S）
概要
DPAK
4
4
1
2
3
12
S型
3
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
L型
2SB1409(L)/(S)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
P
C
*
1
Tj
TSTG
评级
–180
–160
–5
–1.5
–3
18
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿
电压
符号
V
（ BR ） CBO
民
–180
–160
–5
—
60
30
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
240
25
最大
—
—
—
–10
200
—
–1
–1.5
—
—
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= -1毫安，我
E
= 0
I
C
= -10毫安，R
BE
=
∞
I
E
= -1毫安，我
C
= 0
V
CB
= -160 V，I
E
= 0
V
CE
= -5 V，I
C
= -150毫安*
2
V
CE
= -5 V，I
C
= -500毫安*
2
I
C
= -500毫安，我
B
= -50毫安
V
CE
= -5 V，I
C
= ± 150毫安
V
CE
= -5 V，I
C
= ± 150毫安
V
CB
= -10 A，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
集电极到发射极击穿V
（ BR ） CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE1
*
1
h
FE2
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
COB
注：1. 2SB1409 （L） / （S）是用h分组
FE1
如下。
B
60至120
C
100至200
2.脉冲测试。
2
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
2SB1409(L)/(S)
PNP硅外延
ADE - 208-877 （ Z）
1日。版
2000年9月
应用
低频功率放大器互补配对2SD2123 （ L） / （ S）
概要
DPAK
4
4
1
2
3
12
S型
3
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集
L型
2SB1409(L)/(S)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
P
C
*
1
Tj
TSTG
评级
–180
–160
–5
–1.5
–3
18
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿
电压
符号
V
（ BR ） CBO
民
–180
–160
–5
—
60
30
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
240
25
最大
—
—
—
–10
200
—
–1
–1.5
—
—
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= -1毫安，我
E
= 0
I
C
= -10毫安，R
BE
=
∞
I
E
= -1毫安，我
C
= 0
V
CB
= -160 V，I
E
= 0
V
CE
= -5 V，I
C
= -150毫安*
2
V
CE
= -5 V，I
C
= -500毫安*
2
I
C
= -500毫安，我
B
= -50毫安
V
CE
= -5 V，I
C
= ± 150毫安
V
CE
= -5 V，I
C
= ± 150毫安
V
CB
= -10 A，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
集电极到发射极击穿V
（ BR ） CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE1
*
1
h
FE2
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
COB
注：1. 2SB1409 （L） / （S）是用h分组
FE1
如下。
B
60至120
C
100至200
2.脉冲测试。
QQ：2880707522 复制
