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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6322
描述
·带
TO- 3封装
高
电流和高输出功率能力
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
在大电流使用，高
功耗应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
200
5
30
10
200
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2N6322
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极电压breakdwon
I
C
= 30毫安，我
B
=0
200
V
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
集电极 - 基极电压Breakdwon
I
C
= 2 A;我
E
=0
I
E
= 2 A;我
C
=0
300
V
发射极 - 基breakdwon电压
5
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 20A ;我
B
=2A
1.5
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 30A ;我
B
=6A
3.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 30A ; V
CE
=5V
2.5
V
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
= 100V ;我
B
=0
2.0
mA
μA
μA
I
CES
I
EBO
集电极截止电流
V
CE
=300V; V
BE
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
20
发射极截止电流
20
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
40
150
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 20A ; V
CE
=5V
12
h
FE-3
直流电流增益
I
C
= 30A ; V
CE
=5V
6
f
T
跃迁频率
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
10
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6322
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6322
描述
·采用TO-3封装
·高电流和高功率能力
·低集电极饱和电压
应用
·对于大电流的使用，高
功耗应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
200
5
30
10
200
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.5
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压breakdwon
集电极 - 基极电压Breakdwon
发射极 - 基breakdwon电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 30毫安，我
B
=0
I
C
= 2 A;我
E
=0
I
E
= 2 A;我
C
=0
I
C
= 20A ;我
B
=2A
I
C
= 30A ;我
B
=6A
I
C
= 30A ; V
CE
=5V
V
CE
= 100V ;我
B
=0
V
CE
=300V; V
BE
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 20A ; V
CE
=5V
I
C
= 30A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
40
12
6
10
民
200
300
5
典型值。
2N6322
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
最大
单位
V
V
V
1.5
3.0
2.5
2.0
20
20
150
V
V
V
mA
A
A
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6322
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
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