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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1344
描述
·带
TO- 220Fa包
高
直流电流增益
ULOW
饱和电压
·达林顿
.Complement
键入2SD2025
应用
For
低频功率放大器
功率驱动器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
固电
IN
导½
半
参数
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
ES
昂
CH
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
-100
-100
-7
-8
-10
单位
V
V
V
A
A
开基
集电极开路
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
W
30
150
-55~150
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1344
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -5mA ;我
B
=0
-100
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -50μA ;我
E
=0
-100
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
-1.0
-1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -100V ;我
E
=0
-10
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-3.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -2A ; V
CE
=-3V
1000
20000
f
T
C
OB
电半
固
IN
跃迁频率
导½
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
12
90
兆赫
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1344
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.15
mm)
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1344
描述
·采用TO- 220Fa包
·高直流电流增益
·低饱和电压
·达林顿
·补键入2SD2025
应用
·对于低频功率放大和
功率驱动器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-100
-100
-7
-8
-10
2
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1344
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -5mA ;我
B
=0
I
C
= -50μA ;我
E
=0
I
C
= -3A ，我
B
=-6mA
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -2A ; V
CE
=-3V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
-100
V
集电极 - 基极击穿电压
-100
V
集电极 - 发射极饱和电压
-1.0
-1.5
V
集电极截止电流
-10
A
发射极截止电流
-3.0
mA
直流电流增益
1000
20000
跃迁频率
12
兆赫
输出电容
90
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1344
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
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20032WR-07A00
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    2SB1344
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