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2N5612A
尺寸以毫米(英寸) 。
3.68
( 0.145 )弧度。
马克斯。
6.35 (0.250)
8.64 (0.340)
3.61 (0.142)
4.08(0.161)
弧度。
在一个双极NPN器件
密封TO66
金属包装。
11.94 (0.470)
12.70 (0.500)
24.13 (0.95)
24.63 (0.97)
1
14.48 (0.570)
14.99 (0.590)
2
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 100V
I
C
= 5A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规格
4.83 (0.190)
5.33 (0.210)
9.14 (0.360)
分钟。
1.27 (0.050)
1.91 (0.750)
TO66 ( TO213AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
100
5
单位
V
A
-
Hz
@ 5/2.5 (V
CE
/ I
C
)
30
60M
150
25
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
1-Aug-02
2N5612
尺寸以毫米(英寸) 。
3.68
( 0.145 )弧度。
马克斯。
6.35 (0.250)
8.64 (0.340)
3.61 (0.142)
4.08(0.161)
弧度。
在一个双极NPN器件
密封TO66
金属包装。
11.94 (0.470)
12.70 (0.500)
24.13 (0.95)
24.63 (0.97)
1
14.48 (0.570)
14.99 (0.590)
2
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 100V
I
C
= 5A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规格
4.83 (0.190)
5.33 (0.210)
9.14 (0.360)
分钟。
1.27 (0.050)
1.91 (0.750)
TO66 ( TO213AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
100
5
单位
V
A
-
Hz
@ 5/2.5 (V
CE
/ I
C
)
30
60M
90
25
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
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产生
1-Aug-02
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5612A
描述
·带
TO- 66封装
优秀
安全工作区
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
通用放大器;
和切换应用程序
钉扎(参照图2)
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
120
100
5
5
25
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
4.37
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
典型值。
2N5612A
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 50毫安,我
B
=0
100
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
0.5
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
0.1
mA
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
=额定V
首席执行官
,I
B
=0
1.0
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 2.5A ; V
CE
=5V
30
150
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
60
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N5612A
图2外形尺寸
3
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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